一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法技术

本发明专利技术涉及一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法。本发明专利技术包括芯片与电阻元件，所述芯片包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有第一透明导电层，正极焊盘与第一透明导电层接触，负极焊盘与外延结构接触；所述电阻元件包括设于芯片上的第二透明导电层以及与第二透明导电层接触的电阻焊盘。本发明专利技术所述的一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法，通过在芯片设置电阻元件，能够有效解决LED关闭时的微亮问题，增强LED芯片抵抗过电流或过电压的冲击，并可实现不同亮度的调节以及局域控光，提升发光均匀性。提升发光均匀性。提升发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是指一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法。

技术介绍

[0002]发光二极管作为一种电容器件，通常在关闭的瞬间，电荷并不能得到有效释放，因此，会存在关闭状态下的微亮问题。同时，如果电源不稳定，会对发光二极管产生瞬时的过电流或过电压，造成器件的烧毁。

技术实现思路

[0003]为此，本专利技术所要解决的技术问题在于克服现有技术中发光二极管存在关闭状态下的微亮的问题，以及在关闭的瞬间若电源不稳定会对发光二极管产生瞬时的过电流或过电压、造成器件烧毁的问题，提供一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法，可有效解决LED关闭时的微亮问题，增强LED芯片抵抗过电流或过电压的冲击。
[0004]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种集成电阻的发光二极管结构，包括芯片与电阻元件，所述芯片包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有第一透明导电层，正极焊盘与第一透明导电层接触，负极焊盘与外延结构接触；所述电阻元件包括设于芯片上的第二透明导电层以及与第二透明导电层接触的电阻焊盘。
[0005]在本专利技术的一种实施方式中，所述外延结构包括设于芯片衬底部分正面上的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述第一透明导电层设置在第二半导体层的正面，所述负极焊盘与第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层设于所述芯片衬底正面，所述电阻焊盘与第二透明导电层和芯片衬底接触，所述第二透明导电层的两端分别接触有一个电阻焊盘。
[0006]在本专利技术的一种实施方式中，所述外延结构包括设于芯片衬底正面上的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述第一透明导电层设置在第二半导体层的正面，所述负极焊盘与第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层设于所述芯片第一半导体层的低台阶面，所述电阻焊盘与第二透明导电层和第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层的两端分别接触有一个电阻焊盘。
[0007]在本专利技术的一种实施方式中，所述外延结构包括设于芯片衬底部分正面的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述第一透明导电层设置在第二半导体层的正面，所述第二透明导电层设于所述芯片第一半导体层的低台阶面；在缓冲层外侧的芯片衬底的正面、缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半导体层、第一透明导电层、第二透明导电层各自的侧面、第一透明导电层、第二透明导电层以及第一
半导体层各自的正面均覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有第一接触区、第二接触区以及第三接触区；正极焊盘设有扩展部，扩展部通过第一接触区与第一透明导电层接触，负极焊盘通过第二接触区与第一半导体层的低台阶面接触，电阻焊盘通过第三接触区与第二透明导电层和第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层的两端分别设有一个电阻焊盘。
[0008]在本专利技术的一种实施方式中，所述电阻元件设置有一个或多个，设置多个电阻元件时，各个电阻元件的阻值不完全相同。
[0009]在本专利技术的一种实施方式中，所述第二透明导电层的横剖面为矩形。
[0010]在本专利技术的一种实施方式中，通过改变第二透明导电层长宽比以调节电阻元件阻值。
[0011]在本专利技术的一种实施方式中，所述第二透明导电层长宽比范围在：1~1000。
[0012]本专利技术还提供一种集成电阻的发光二极管结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供芯片衬底，在芯片衬底的正面生长外延结构；S2：在芯片外延结构表面和芯片衬底表面分别镀第一透明导电层和第二透明导电层，第一透明导电层和第二透明导电层均为ITO膜；S3：通过ICP刻蚀技术将暴露区域的N
‑
GaN层刻蚀出来，形成N
‑
GaN台阶；S4：在芯片结构上通过刻蚀技术形成切割道，所述切割道位于芯片结构的正面或背面或双面；S5：通过电子束蒸发技术制作正极焊盘、负极焊盘和电阻焊盘；S6：利用激光将芯片衬底上的器件沿切割道进行切割，并利用裂片技术将芯片分离。
[0013]在本专利技术的一种实施方式中，所述芯片衬底包括蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属之一。
[0014]本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：本专利技术所述的一种集成电阻的发光二极管结构及制作方法，通过同一个器件结构中同时集成了一颗发光二极管芯片及一颗或多颗电阻元件，能够有效解决LED关闭时的微亮问题，增强LED芯片抵抗过电流或过电压的冲击，并可实现不同亮度的调节以及局域控光，提升发光均匀性。
附图说明
[0015]为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图，对本专利技术作进一步详细的说明，其中图1是本专利技术实施例一中集成电阻的发光二极管结构示意图。
[0016]图2是本专利技术实施例一中设置多个电阻元件的发光二极管结构示意图。
[0017]图3是本专利技术实施例二中集成电阻的发光二极管结构示意图。
[0018]图4是本专利技术实施例三中集成电阻的发光二极管结构示意图。
[0019]图5是本专利技术实施例三中集成电阻的发光二极管封装示意图。
[0020]图6是电阻元件第一种结构示意图。
[0021]图7电阻元件第二种结构示意图。
[0022]图8电阻元件第三种结构示意图。
[0023]图9电阻元件第四种结构示意图。
[0024]图10电阻元件第五种结构示意图。
[0025]图11电阻元件第六种结构示意图。
[0026]图12电阻元件第七种结构示意图。
[0027]图13电阻元件第八种结构示意图。
[0028]图14电阻元件第九种结构示意图。
[0029]图15电阻元件第十种结构示意图。
[0030]说明书附图标记说明：1、芯片衬底；2、外延结构；21、缓冲层；22、第一半导体层；23、有源层；24、第二半导体层；3、第一透明导电层；4、电阻元件；41、第二透明导电层；42、电阻焊盘；5、绝缘层；6、正极焊盘；7、负极焊盘。
具体实施方式
[0031]下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本专利技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本专利技术的限定。
[0032]实施例一参照图1所示，一种集成电阻的发光二极管结构，包括芯片与电阻元件4，所述芯片包括芯片衬底1，所述衬底正面设有外延结构2，所述外延结构2正面设有第一透明导电层3，正极焊盘6与第一透明导电层3接触，负极焊盘7与外延结构2接触；所述电阻元件4包括设于芯片上的第二透明导电层41以及与第二透明导电层41接触的电阻焊盘42。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成电阻的发光二极管结构，其特征在于，包括芯片与电阻元件，所述芯片包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有第一透明导电层，正极焊盘与第一透明导电层接触，负极焊盘与外延结构接触；所述电阻元件包括设于芯片上的第二透明导电层以及与第二透明导电层接触的电阻焊盘。2.根据权利要求1所述的一种集成电阻的发光二极管结构，其特征在于，所述外延结构包括设于芯片衬底部分正面上的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述第一透明导电层设置在第二半导体层的正面，所述负极焊盘与第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层设于所述芯片衬底正面，所述电阻焊盘与第二透明导电层和芯片衬底接触，所述第二透明导电层的两端分别接触有一个电阻焊盘。3.根据权利要求1所述的一种集成电阻的发光二极管结构，其特征在于，所述外延结构包括设于芯片衬底正面上的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述第一透明导电层设置在第二半导体层的正面，所述负极焊盘与第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层设于所述芯片第一半导体层的低台阶面，所述电阻焊盘与第二透明导电层和第一半导体层的低台阶面接触，所述第二透明导电层的两端分别接触有一个电阻焊盘。4.根据权利要求1所述的一种集成电阻的发光二极管结构，其特征在于，所述外延结构包括设于芯片衬底部分正面的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述第一透明导电层设置在第二半导体层的正面，所述第二透明导电层设于所述芯片第一半导体层的低台阶面；在缓冲层外侧的芯片衬底的正面、缓冲层、第一半导体层、有源层、第二半...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锋，黄慧诗，陈晓冰，张秀敏，
申请(专利权)人：普瑞无锡研发有限公司，
类型：发明
国别省市：