一种微小型发光二极管结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种微小型发光二极管结构。本实用新型专利技术包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触，接触电极上方设有用于与焊盘电极接触的通孔区，所述台阶与芯片衬底正面之间形成有沿芯片衬底正面周向设置的隔离槽，所述隔离槽上分布有凹槽点。本实用新型专利技术所述的一种微小型发光二极管结构，通过在隔离槽上设置凹槽点，增强侧向取光效率，改善发光均匀性。改善发光均匀性。改善发光均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种微小型发光二极管结构


[0001]本技术涉及半导体
，尤其是指一种微小型发光二极管结构。

技术介绍

[0002]发光二极管（LED）是一种将电能转化为光能的固体发光器件。随着发光二极管芯片尺寸缩小到小型(mini)甚至微型(micro)，发光二极管的有效发光面积急剧缩小，因此，针对微小型发光二极管，如何有效提升LED的取光效率，成为了微小型发光二极管开发的关键之一。

技术实现思路

[0003]为此，本技术提供一种微小型发光二极管结构，可有效提升取光效率并改善发光均匀性。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种微小型发光二极管结构，包括芯片衬底，所述衬底正面设有外延结构，所述外延结构正面设有透明导电层，所述外延结构的侧面形成有台阶，所述台阶以及透明导电层的正面覆盖有绝缘层，所述绝缘层设有接触区，接触电极通过接触区与透明导电层及外延结构接触，接触电极上方设有用于与焊盘电极接触的通孔区，所述台阶与芯片衬底正面之间形成有沿芯片衬底正面周向设置的隔离槽，所述隔离槽上分布有凹槽点。
[0005]在本技术的一种实施方式中，所述隔离槽为矩形结构。
[0006]在本技术的一种实施方式中，所述凹槽点设于隔离槽相对的两边中宽度较宽的一边上。
[0007]在本技术的一种实施方式中，所述凹槽点在隔离槽上均匀分布。
[0008]在本技术的一种实施方式中，所述凹槽点的分布间距为2~20μm。
[0009]在本技术的一种实施方式中，所述凹槽点的直径为1~5μm，深度为5
‑
20μm。
[0010]在本技术的一种实施方式中，所述外延结构包括设于芯片衬底正面的缓冲层，在缓冲层的正面设有第一半导体层，第一半导体层的正面为台阶面，在第一半导体层的正面高台阶面设有有源层，在有源层的正面设有第二半导体层，所述透明导电层设于第二半导体层的正面。
[0011]在本技术的一种实施方式中，所述绝缘层与接触电极形成间隙区，所述间隙区覆盖有致密绝缘层，所述致密绝缘层覆盖有绝缘反射层，接触电极上方的致密绝缘层和绝缘反射层之间形成用于与焊盘电极接触的通孔区。
[0012]在本技术的一种实施方式中，所述致密绝缘层的侧坡面与芯片衬底正面法线形成的角度小于绝缘反射层的侧坡面与衬底正面法线形成的角度。
[0013]在本技术的一种实施方式中，所述微小型发光二极管结构的宽度介于20~500
µ
m，长度介于20~1000
µ
m。
[0014]本技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
[0015]本技术所述的一种微小型发光二极管结构，通过在隔离槽上设置凹槽点，增强侧向取光效率，改善发光均匀性，致密绝缘层、绝缘反射层形成有两种角度的斜坡，绝缘反射层进一步提升了整体取光效率。
附图说明
[0016]为了使本技术的内容更容易被清楚的理解，下面根据本技术的具体实施例并结合附图，对本技术作进一步详细的说明，其中
[0017]图1是本技术凹槽点在隔离槽上设置的第一种方式示意图。
[0018]图2是本技术微小型发光二极管结构的组成示意图。
[0019]图3是本技术凹槽点在隔离槽上设置的第二种方式示意图。
[0020]图4是本技术凹槽点在隔离槽上设置的第三种方式示意图。
[0021]说明书附图标记说明：100、隔离槽；110、凹槽点；1、芯片衬底；2、外延结构；20、台阶；21、缓冲层；22、第一半导体层；23、有源层；24、第二半导体层；3、透明导电层；4、绝缘层；5、焊盘电极；6、致密绝缘层；7、绝缘反射层；8、接触电极。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本技术并能予以实施，但所举实施例不作为对本技术的限定。
[0023]参照图1至图2所示，本技术的一种微小型发光二极管结构，包括芯片衬底1，所述衬底正面设有外延结构2，所述外延结构2正面设有透明导电层3，所述外延结构2的侧面形成有台阶20，所述台阶20以及透明导电层3的正面覆盖有绝缘层4，所述绝缘层4设有接触区，接触电极8通过接触区与透明导电层3及外延结构2接触，接触电极8上方设有用于与焊盘电极5接触的通孔区，所述台阶20与芯片衬底1正面之间形成有沿芯片衬底1正面周向设置的隔离槽100，所述隔离槽100上分布有凹槽点110。
[0024]具体地，所述隔离槽100为矩形结构。
[0025]在一些实施例中，如图1所示，所述凹槽点110设于隔离槽100四条边上；
[0026]在一些实施例中，如图3所示，所述凹槽点110设于隔离槽100相对的两条边上。
[0027]在一些实施例中，所述凹槽点110设于隔离槽100相对的两边中宽度较宽的一边上，相对的两边可以为相对的长边，也可为相对的短边。如图4所示，通过切割参数调整，使得W1>W2，同时实现仅单边形成激光烧蚀爆点。
[0028]具体地，所述凹槽点110在隔离槽100上均匀分布，所述凹槽点110的分布间距为2~20μm，所述凹槽点110的直径为1~5μm，深度为5
‑
20μm。
[0029]具体地，参照图2所示，所述外延结构2包括设于芯片衬底1正面的缓冲层21，在缓冲层21的正面设有第一半导体层22，第一半导体层22的正面为台阶面，在第一半导体层22的正面高台阶20面设有有源层23，在有源层23的正面设有第二半导体层24，所述透明导电层3设于第二半导体层24的正面。
[0030]具体地，所述绝缘层4与接触电极8形成间隙区，所述间隙区覆盖有致密绝缘层6，所述致密绝缘层6覆盖有绝缘反射层7，接触电极8上方的致密绝缘层6和绝缘反射层7之间形成用于与焊盘电极5接触的通孔区。
[0031]具体地，所述致密绝缘层6的侧坡面与芯片衬底1正面法线形成的角度小于绝缘反射层7的侧坡面与芯片衬底1正面法线形成的角度。致密绝缘层6、绝缘反射层7形成有两种角度的斜坡，绝缘反射层7进一步提升了整体取光效率。
[0032]具体地，所述微小型发光二极管结构的宽度介于20~500
µ
m，长度介于20~1000
µ
m。
[0033]本实施例中，所述缓冲层21为u
‑
GaN层，所述第一半导体层22为n
‑
GaN层，所述有源层23为量子阱层，所述第二半导体层24为p
‑
GaN层。其中，芯片衬底1包括但不限于蓝宝石、硅片、碳化硅片或金属。凹槽点110可通过激光形成烧蚀爆点。
[0034]本技术所述的一种微小型发光二极管结构，通过在隔离槽100上设置凹槽点110，增强侧向取光效率，改善发光均匀性。
[0035]最后所应说明的是，以上具体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微小型发光二极管结构，其特征在于，包括芯片衬底（1），所述衬底正面设有外延结构（2），所述外延结构（2）正面设有透明导电层（3），所述外延结构（2）的侧面形成有台阶（20），所述台阶（20）以及透明导电层（3）的正面覆盖有绝缘层（4），所述绝缘层（4）设有接触区，接触电极（8）通过接触区与透明导电层（3）及外延结构（2）接触，接触电极（8）上方设有用于与焊盘电极（5）接触的通孔区，所述台阶（20）与芯片衬底（1）正面之间形成有沿芯片衬底（1）正面周向设置的隔离槽（100），所述隔离槽（100）上分布有凹槽点（110）。2.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述隔离槽（100）为矩形结构。3.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）设于隔离槽（100）相对的两边中宽度较宽的一边上。4.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）在隔离槽（100）上均匀分布。5.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）的分布间距为2~20μm。6.根据权利要求1所述的一种微小型发光二极管结构，其特征在于，所述凹槽点（110）的直径为1~5μm，深度为5<...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锋，黄慧诗，陈晓冰，张秀敏，
申请(专利权)人：普瑞无锡研发有限公司，
类型：新型
国别省市：