本发明公开了一种制备太阳能电池金属栅线方法，包括在n型硅衬底的一侧形成绒面结构，并覆盖氧化铝层、氮化硅层、氧化硅薄膜叠层，作为受光面；在另一侧设有两个平行排列的功能叠层，第一个叠层包括氧化硅层、p型多晶硅层、氧化铝层、氮化硅层和金属导电...

本实用新型公开了一种缺片检测装置，属于太阳能电池生产技术领域。包括架体，还包括：设于所述架体上的花篮传输机构；所述花篮传输机构具有输入端和输出端；将所述花篮传输机构从输入端至输出端依次划分为输送区域、检测区域、缓存区域和等待区域；分别设...

本发明涉及一种简易低成本的N型晶硅TBC太阳能电池及其制备方法，在制备过程中采用激光掺杂制备磷掺杂，不仅不需要掩膜及去除掩膜工艺，而且可以完美兼容topcon技术，从而大大降低了生产成本；同时采用本发明的方法制备的N型晶硅TBC太阳能电...

本发明提供了一种P型IBC电池结构以及制备方法，本发明生产步骤包括：

本发明公开了一种高效的背接触P型太阳能电池结构及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。电池结构包括：采用掺镓P型硅作为衬底；衬底的背面具有N区、P区、镂空结构、正电极和负电极；衬底的正面从背面至正面依次涂覆有氧化铝和钝化层；N区从正面至背...

本发明公开了一种单晶硅电池PECVD镀膜工艺，属于单晶硅太阳能电池技术领域。包括以下步骤：步骤一，硅基底预处理；步骤二，缓冲层的形成；步骤三，高折层的形成；步骤四，中间层的生成；步骤五，最外层的生成。本发明在常规氮化硅减反射钝化膜的多层...