本发明利用共挤压或共拉拔工艺来将管状靶直接地结合到内背衬管上。共挤压或共拉拔工艺使外管状靶的内径和外径减小，以使靶的部分突入并且至少部分地填充入沿着内背衬管的槽中。该填充使靶互锁至背衬板。

提供了一种用于产生在合成气生产过程中使用的热的方法和设备。公开的方法和设备包括多个管状氧输送膜元件，其适于从接触膜元件的渗余侧的含氧流分离氧。透过的氧与接触管状氧输送膜元件的透过侧的含氢合成气流一起燃烧，从而生成反应产物流和辐射热。本方...

本发明涉及由通式(Cp(R′)x)yM(H)z-y表示的有机金属前体化合物，生产该有机金属前体化合物的方法，以及通过该有机金属前体化合物的热或等离子强化解离，例如，通过CVD或ALD技术，在基材上沉积金属和/或金属碳化物层，例如Ta金属...

一种用于产生合成气产物的方法和设备具有一个或更多氧输送膜元件(2)，其与一个或更多催化反应器(3)热耦合，使得从氧输送膜元件生成的热通过辐射热传递和对流热传递来供应发生在催化反应器内的蒸汽甲烷重整反应的吸热加热要求。优选地含有不超过百分...

本发明公开了用于基于膜生物反应器的污水处理厂的先进控制系统。所公开的控制系统包括膜生物反应器(MBR)系统，以及基于微处理器的控制器，所述控制器接收对应于选定的所测得MBR参数的信号，并计算或估计一个或多个MBR计算参数，所述参数包括膜...

本发明涉及一种用于冷凝气体中的蒸汽的方法和装置。制冷剂，例如液态氮，可提供入冷凝器壳体中的第一盘管组和第二盘管组来冷却壳体中的可冷凝蒸汽以将蒸汽冷凝成液体或固体形式。可独立地控制第一盘管组和第二盘管组中的制冷剂的流动，第一和/或第二盘管...

本发明提供一种循环吸附工艺，该工艺包含一个或多个吸附剂容器，吸附剂容器至少经过加压和减压的步骤并且由一个或多个变速离心机驱动，变速离心机在加速和减速条件下操作并且适于所采用的步骤、容器尺寸和工艺条件，其中工艺循环时间大于惯性变化——其限...

提供了一种用于在碳注入期间延长离子源寿命和改善离子源性能的新型方法和系统。特别是，碳离子注入工艺包括利用包含一氧化碳和一种或更多种由式CxFy(其中x≥1且y≥1)表示的含有碳的含氟气体的掺杂物气体混合物。至少一种含有碳的含氟气体以基于...

本发明涉及利用新的且先进的循环从含有氢气的进料气体(即，合成气体)获得提高的氢气回收率的大规模变压吸附系统(即，十二至十六床范围)。

本发明提供了用于气体分离的系统和方法，其使用高速永磁变速电动机来使适用于变压吸附(PSA)或真空变压吸附(VPSA)过程中的离心式压缩机加速和减速。

提供了一种用于在碳注入期间延长离子源寿命和改善离子源性能的新型方法和系统。特别是，碳离子注入工艺包括利用包含一氧化碳和一种或更多种由式CxFy(其中x≥1且y≥1)表示的含有碳的含氟气体的掺杂物气体混合物。至少一种含有碳的含氟气体以基于...

一种用于将不合规格气体混合物的浓度调节到目标浓度的动态气体混合方法，该方法包括以下步骤：将不合规格气体混合物回收到混合器的上游，其中不合规格气体混合物以不合规格浓度含有气体组分；利用第一流量控制装置来调节活性气体的流速；其中活性气体以大...

本发明涉及利用新的且先进的循环从含有氢气的进料气体(即，合成气体)获得提高的氢气回收率的十床变压吸附(PSA)系统。更特别地，通过新开发的工艺循环，十床PSA系统能够匹配被设计以生产1亿标准立方英尺每天的气体的常规十二床PSA系统的氢气...

本发明涉及利用新的且先进的循环从含氢的进料气体(即，合成气体)获得提高的氢气回收率的六床变压吸附(PSA)系统。在一个此类循环中，六个床各自均具有四个压力均衡步骤，并且所述床中的至少一个接收并处理所述进料气体以获得氢气产物气体(即，6-...

从全氧燃烧加热的玻璃熔炉获得的燃烧产物流中的热在换热器中流向引入的玻璃制造材料，而不需要降低所述流的温度，而且不引起所述玻璃制造材料的软化。

本发明提供了一种用于在多晶硅制造中改进工艺流的低温冷却的系统和方法。所公开的系统和方法提供在制造多晶硅期间的硅烷和氢工艺流的低温冷却，同时从气化的氮回收制冷能力和从冷氢流回收制冷能力。改进的低温冷却系统和方法减少了液态氮的总体消耗，而不...

本发明提供蒸汽甲烷转化工艺方法和系统，其利用具有高压蒸汽回路和低压蒸汽回路两者的整合的蒸汽系统。根据本发明，充分将离开脱气器的全部的处理过的锅炉给水流加压并送至在升高的压力下的锅炉给水加热器。将所得的高压的加热的锅炉给水分流，其中一部分...

本发明涉及一种执行蒸馏工艺的方法和一种在这种工艺中使用的交叉波纹整装填料，其中上升的蒸气相和下降的液体相在这种填料中接触。所述交叉波纹整装填料包含由开孔类泡沫材料制成的波纹板材。液体相产生沿形成所述材料的孔的支杆下降的液膜，蒸气相在交叉...

本发明提供了一种用于过程气体的改进的低温冷却的系统和方法。所公开的系统和方法通过同时进行的来自蒸发的氮的制冷容量回收和来自冷的氢气流的制冷容量的回收而提供了多晶硅制造期间的硅烷和氢气过程流的低温冷却。改进的低温冷却系统和方法减少了液氮的...

本发明部分地涉及防止或减少在半导体及微电子制造中使用的离子注入机的离子源组件中形成及/或积聚沉积物的方法。所述离子源组件包括电离室及一个或一个以上含于所述电离室内的组件。所述方法涉及将掺杂剂气体引入所述电离室中，其中，所述掺杂剂气体具有...