本发明涉及最小化照射非均匀性的系统和方法。本发明涉及一种用于照射处理衬底(1)的处理表面(5)以获得预定义温度分布的方法，处理表面(5)包括第一区域(11)和第二区域(13)，第一区域(11)具有光学特性和热特性的第一组合，并且第二区域...

本发明涉及对处理衬底的框架进行均匀照射的方法和系统。一种用于对处理衬底(1)的框架进行均匀照射的方法，所述处理衬底包括多个框架，两个连续的框架被中间区域隔开，所述方法包括以下步骤：

一种用于在空间上控制传递到处理基板(1)的处理表面(5)的能量的量的系统(21)，所述处理表面(5)包括第一区域(11)和第二区域(13)，所述第一区域具有光学特性和热特性的第一组合，并且所述第二区域具有光学特性和热特性的第二组合，所述...

本发明涉及一种低压线离子等离子体放电源，其包括细长的电离室(1)，所述电离室(1)容纳在电离室内纵向延伸的至少两个平行的阳极线(2，3)。根据本发明，所述至少两个阳极线中的第一(2)阳极线连接到DC电压源(4)，并且所述至少两个阳极线中...

本发明涉及一种在半导体衬底上形成多晶硅的方法，其包括：在半导体衬底上设置非晶硅，将所述非晶硅的至少一区域暴露于第一激光束以及第二激光束，所述方法的特征在于，在将所述区域暴露于所述第二激光束期间，不发生所述激光束相对于所述区域的位移。此外...

本发明涉及用于激光放电管的气体循环回路，其包括气体供应管道(a)及气体排放管道(c)，其中该气体供应管道(a)和/或该气体排放管道(c)在所述激光放电管(b)的纵向方向上是长形的，并且分别藉由入口流分配器、出口流分配器连接至该激光放电管...