对处理衬底的框架进行均匀照射的方法和系统技术方案

本发明专利技术涉及对处理衬底的框架进行均匀照射的方法和系统。一种用于对处理衬底(1)的框架进行均匀照射的方法，所述处理衬底包括多个框架，两个连续的框架被中间区域隔开，所述方法包括以下步骤：

【技术实现步骤摘要】
对处理衬底的框架进行均匀照射的方法和系统


[0001]本专利技术涉及对半导体衬底的照射。
[0002]更具体地，本专利技术涉及对处理衬底的框架(frame)进行均匀照射的方法和系统。

技术介绍

[0003]为了制造半导体器件，在称为热处理的过程期间将半导体衬底暴露于脉冲光束。
[0004]半导体衬底通常由包括多个框架的材料晶片形成。每个框架包括一个或多个集成电路。
[0005]在热处理过程期间，对多个框架的照射必须遵循一些特定的规则，以便均匀照射每个框架。必须对照射进行管理，以避免任何重叠(对应于对框架的两次或多次照射)。
[0006]此外，晶片也具有一些不应该被照射的区域。事实上，晶片的边缘很脆弱，照射可能会造成损坏。
[0007]第一种已知的解决方案是使用足以同时覆盖整个晶片的照射。在这样的解决方案中，不需要管理从一个框架到另一框架的照射过渡。由于系统的布置，实现了均匀性。
[0008]在这样的系统中，使用保护环来防止边缘受到照射。
[0009]然而，这样的系统不能提供足够的能量密度来同时覆盖整个晶片。此外，对保护环的照射可能会生成使晶片劣化的颗粒。
[0010]第二种已知的解决方案基于使用不足以覆盖整个晶片的较小照射。这种较小的照射与扫描台相结合，该扫描台适于在照射下方移动晶片，使得整个晶片不中断地被均匀曝光。作为替代方案，可以使用光学扫描系统来移动照射，以便不中断地均匀照射晶片(在该替代方案中晶片不移动)。作为另一替代方案，包括扫描台和光学扫描系统的系统适于均匀照射晶片(通过较小的照射)。
[0011]然而，使用扫描台仅适于慢速扫描过程，因为所述扫描台通常很重。此外，用这样的系统实现精确的扫描过程是相当困难的。最后，对扫描台和光学扫描系统的运动同步进行控制是非常复杂的。

技术实现思路

[0012]本专利技术的目的是提供一种用于对处理衬底的框架进行均匀照射的方法，所述处理衬底包括多个框架，两个连续的框架被中间区域隔开，所述方法包括以下步骤：
[0013]‑
使用检测单元确定所述处理衬底的初始位置，
[0014]‑
将与所述处理衬底的第一框架相关联的第一预定位置与检测到的初始位置进行比较，
[0015]‑
基于所述第一预定位置，通过由源单元发射并由扫描单元扫描的照射光束来照射所述处理衬底的所述第一框架，所述照射光束适于均匀地覆盖整个所述第一框架。
[0016]根据本专利技术，照射被引导到处理衬底的框架。由于框架的定位是已知的，因此本专利技术使能对框架的精确照射。另外，照射使得整个框架被均匀照射，从而导致处理衬底的最佳
退火处理。
[0017]因此，本专利技术允许对处理衬底上需要被均匀照射的部件(即，框架)进行精确地照射，并且避免对可能被这种照射损坏的部件(即，边缘和中间区域)的照射。
[0018]根据本专利技术的方法的其他优点和非限制性特征包括：
[0019]‑
所述方法还包括将所述处理衬底从所述检测到的初始位置移动到与所述处理衬底的所述第一框架相关联的所述第一预定位置的步骤；
[0020]‑
所述方法还包括基于所述第一预定位置来移动所述扫描单元以使得所述照射光束被引导到所述处理衬底的所述第一框架的步骤；
[0021]‑
光学系统被配置为使得所述照射光束在所述中间区域中衰减；
[0022]‑
所述扫描单元被配置为使得与覆盖所述第一框架的所述照射光束相比，所述照射光束在所述中间区域中衰减超过80％；
[0023]‑
所述处理衬底包括至少一个参考标记，确定所述初始位置的步骤包括检测所述处理衬底上的所述至少一个参考标记的步骤；
[0024]‑
所述处理衬底包括外围区域的边缘和凹口，确定所述初始位置的步骤包括检测所述处理衬底上的所述外围区域的边缘和所述凹口的步骤；
[0025]‑
所述方法还包括以下步骤：
[0026]‑
将所述处理衬底从所述第一预定位置移动到与所述处理衬底的第二框架相关联的第二预定位置，所述第二框架与所述第一框架直接相邻，以及
[0027]‑
基于所述第二预定位置，通过由所述源单元发射的所述照射光束来照射所述处理衬底的所述第二框架，所述照射光束适于均匀地覆盖整个所述第二框架；
[0028]‑
所述方法还包括以下步骤：
[0029]‑
基于与所述处理衬底的第二框架相关联的第二预定位置来移动所述扫描单元，所述第二框架与所述第一框架直接相邻，以及
[0030]‑
基于所述第二预定位置，通过由所述源单元发射的所述照射光束来照射所述处理衬底的所述第二框架，所述照射光束适于均匀地覆盖整个所述第二框架；
[0031]‑
所述检测的步骤包括将所述检测到的初始位置与至少一个边缘位置进行比较的步骤；以及
[0032]‑
所述方法还包括如果所述初始位置对应于至少一个边缘位置，则阻挡对所述处理衬底的所述照射的步骤。
[0033]本专利技术还涉及一种用于对处理衬底的框架进行均匀照射的系统，所述处理衬底包括多个框架，两个连续的框架被中间区域隔开，所述系统包括：
[0034]‑
支撑物，其被设计为承载所述处理衬底，
[0035]‑
检测单元，其被配置为确定所述处理衬底的初始位置，
[0036]‑
控制单元，其被配置为将与所述处理衬底的第一框架相关联的第一预定位置与检测到的初始位置进行比较，以及
[0037]‑
扫描单元，其被配置为通过发射照射光束来照射所述处理衬底的所述第一框架，所述照射光束适于均匀地覆盖整个所述第一框架。
[0038]根据本专利技术的系统的其他优点和非限制性特征包括：
[0039]‑
所述系统还包括：定位单元，其被配置为将所述处理衬底从所述检测到的初始位
置移动到与所述处理衬底的第一框架相关联的第一预定位置；
[0040]‑
所述系统还包括：高架移动单元，其适于基于所述第一预定位置来移动所述扫描单元，以使得所述照射光束被引导到所述处理衬底的所述第一框架；
[0041]‑
所述系统还包括：光学系统，其被配置为使得所述照射光束在所述中间区域中衰减；
[0042]‑
所述光学系统被配置为使得与覆盖所述第一框架的所述照射光束相比，所述照射光束在所述中间区域中衰减超过80％；
[0043]‑
所述照射光束的照射波长低于1064纳米，优选地等于或低于355纳米；
[0044]‑
所述系统还包括包含激光源的源单元；以及
[0045]‑
所述系统还包括容纳所述处理衬底和所述支撑物的真空室。
附图说明
[0046]下面将参考附图描述根据本专利技术的系统和方法。
[0047]在附图中：
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于对处理衬底(1)的框架(2)进行均匀照射的方法，所述处理衬底(1)包括多个框架(2)，两个连续的框架(2)被中间区域(7)隔开，所述方法包括以下步骤：
‑
使用检测单元(80)确定所述处理衬底(1)的初始位置，
‑
将与所述处理衬底(1)的第一框架相关联的第一预定位置与检测到的初始位置进行比较，
‑
基于所述第一预定位置，通过由源单元(30)发射并由扫描单元(40)扫描的照射光束(105)来照射所述处理衬底(1)的所述第一框架，所述照射光束(105)适于均匀地覆盖整个所述第一框架。2.根据权利要求1所述的方法，还包括将所述处理衬底(1)从所述检测到的初始位置移动到与所述处理衬底(1)的所述第一框架相关联的所述第一预定位置的步骤。3.根据权利要求1所述的方法，还包括基于所述第一预定位置来移动所述扫描单元(40)以使得所述照射光束(105)被引导到所述处理衬底(1)的所述第一框架的步骤。4.根据权利要求1所述的方法，其中光学系统(33)被配置为使得所述照射光束(105)在所述中间区域(7)中衰减。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述扫描单元(40)被配置为使得与覆盖所述第一框架的所述照射光束(105)相比，所述照射光束(105)在所述中间区域(7)中衰减超过80％。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理衬底(1)包括至少一个参考标记，确定所述初始位置的步骤包括检测所述处理衬底(1)上的所述至少一个参考标记的步骤。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述处理衬底(1)包括外围区域(9)的边缘和凹口(8)，确定所述初始位置的步骤包括检测所述处理衬底(1)上的所述外围区域(9)的边缘和所述凹口(8)的步骤。8.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：
‑
将所述处理衬底(1)从所述第一预定位置移动到与所述处理衬底(1)的第二框架相关联的第二预定位置，所述第二框架与所述第一框架直接相邻，以及
‑
基于所述第二预定位置，通过由所述源单元(30)发射的所述照射光束(105)来照射所述处理衬底(1)的所述第二框架，所述照射光束(105)适于均匀地覆盖整个所述第二框架。9.根据权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：
‑
基于与所述处理衬底(1)的第二框架相关联的第二预定位置来移动所述扫描单元(40)，所述第二框架与所述第一框架直接相邻，以及
‑
基于所述第二预定位置，通过由所述源...

【专利技术属性】
技术研发人员：F，
申请(专利权)人：欧洲激光系统和解决方案公司，
类型：发明
国别省市：