通过用于制造ｐ－ｉ－ｎ结半导体层堆叠的方法实现在衬底上的薄膜光伏器件，该堆叠具有ｐ型微晶硅层、ｐ型非晶硅层、选包括本征非晶硅的缓冲硅层、本征型非晶硅层以及在本征型非晶硅层上的ｎ型硅层。

公开了硅太阳能电池电学和光学性能的改进，以及制造光电电池或光电转换板的方法，其包括使用包含比例为１∶２∶２∶１．２５的硅烷、甲烷、氢气和三甲基硼的气体混合物沉积ｐ－掺杂非晶硅层。特别地，使用等离子体增强化学气相沉积进行沉积。同时说明了相...

在光伏电池制作的框架中，在载体结构上沉积硅化合物层。一方面通过结合这种硅化合物层的环境空气暴露来增加制作灵活性，且另一方面通过使得待暴露于环境空气的所述硅化合物层的表面富集氧而防止这种环境空气暴露导致的重复性的恶化。

一种带有真空腔室（１）的真空处理系统具有进口（１４）、至少第一和第二出口（３，４）、在所述出口（３，４）中的第一个出口处的排气装置（１３）、和远程等离子体源ＲＰＳ，其中ＲＰＳ被附连于到所述出口中的第二个出口的连接点。在用于利用这种布置对...

一种用于真空腔室的闸门阀包括两个托架（５ａ），其中每个托架通过两个平行的链接（６）连接到提供基本上平的前部的框架结构并通过平行杆（１４）连接到致动杆（１２ａ）。活塞（１７）通过杆（１４）引起致动杆（１２ａ）向上运动，托架（５ａ）的向上运...

大表面基板（５、５ａ）是在包括偶数个电极带（９ａ，％）的电极布置（９）的帮助下进行Ｒｆ真空等离子体处理的。至少一个带是在沿着所讨论的带（９ａ）的中心轴（Ａ）的至少两个不同位点（Ｐ１、Ｐ２）处进行Ｒｆ供给的。

用于处理衬底（４０）的等离子体反应器（１），其包括被布置在所述反应器（１）内的至少两个电极（２０，３０），在所述两个电极（２０，３０）之间定义内部工艺空间（１３），同时所述两个电极（２０，３０）彼此相对地并且相对于所述电极（２０，３０）...

一种用于制造薄膜太阳能电池的方法，包括在面积至少为０．７５ｍ２的衬底上设置第一导电层。第一导电层位于所述面积的沉积部分中。施加紫外激光束，使其穿过透镜到第一导电层。划刻第一导电层的部分以形成穿过该层的沟槽。透镜聚焦所述束并且具有至少１０...

本发明涉及一种用于显示装置的扩散阻挡系统，其包括具有至少两层电介质材料的层系统，其中该层系统中的至少两个相邻层包括相同的材料。在单一等离子体沉积系统的处理腔中制造这样的扩散阻挡系统的相应方法，包括的步骤有引入待处理的基板到所述处理腔中，...

公开了一种真空处理设备和对于大面积和／或高频等离子体反应器中的电压和电场非均匀性的补偿方法。该方法一般适用于生产ＬＣＤ、等离子体显示器和太阳能电池的矩形（或方形）大面积等离子体加工设备或任何其他使用电磁波（ＲＦ，ＶＨＦ）进行加工的反应器...

提供了一种用于将半导电层沉积到非常大的玻璃区域上的ＲＦ等离子体反应器（４０）。该ＲＦ等离子体反应器包括真空室（１８）、反应器室（２４）、ＲＦ电源（１２）、匹配网络（１４）、位于真空室内部的第一（２２）和第二金属板（２０）以及被限定在第一...

为了避免ＰＥＣＶＤ反应器的金属内表面影响沉积在大表面基体（１５）上的μｃ－Ｓｉ层（１９）的厚度均匀性和质量均匀性，在单次处理每个基体之前用介电层（１３）预涂布至少部分所述壁。