【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于依赖所谓非晶的多结或单结结构的薄膜、硅基太阳能电池或模块 的整体制造工艺的改进。
技术介绍
光伏器件，光电转换器件或太阳能电池是将光，特别是太阳光转换成直流(DC)电 力的器件。对于低成本大量生产，薄膜太阳能电池为人们所感兴趣，因为其允许使用玻璃、 玻璃陶瓷或其他刚性或柔性衬底来代替单晶或多晶硅作为基底材料(衬底)。太阳能电池 结构，即，负责或能够有光伏效应的层顺序被淀积在薄层上。这个淀积可以在大气或真空条 件下进行。淀积技术为现有技术所公知，例如PVD、CVD、PECVD、APCVD……，所有的都用在半 导体技术中。薄膜太阳能电池通常包括第一电极、一个或多个半导体薄膜p-i-n或n-i-p结，以 及第二电极，它们被顺序地堆叠在衬底上。每个P-i-n结或薄膜光电转换单元包括夹在ρ 型层和η型层(ρ型=正掺杂，η型=负掺杂)间的i型层。作为基本本征半导体层的i型 层，占据薄膜P-i-n结的大部分厚度。光电转换最初发生在该i型层中。现有技术附图说明图1示出了基本、简单的光伏电池40，包括透明衬底41，例如，具有淀积 其上的透明导电氧化物(TCO)层...
【技术保护点】
１．一种在具有导电接触的衬底上形成薄膜光伏器件的方法，包括：形成ｐ－ｉ－ｎ结半导体层堆叠，包括：形成ｐ型微晶硅层；形成ｐ型非晶硅层；形成缓冲硅层；形成本征型非晶硅层；在本征型非晶硅层上形成ｎ型硅层。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：S·贝纳格利，
申请(专利权)人：欧瑞康太阳IP股份公司特吕巴赫，
类型：发明
国别省市：CH
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