活性膜的沉积制造技术

用于处理衬底（４０）的等离子体反应器（１），其包括被布置在所述反应器（１）内的至少两个电极（２０，３０），在所述两个电极（２０，３０）之间定义内部工艺空间（１３），同时所述两个电极（２０，３０）彼此相对地并且相对于所述电极（２０，３０）的第一表面（２０ａ）平行地被设置。另外，其包括用于将气体传送入以及传送出所述等离子体反应器（１）的气体入口（１１）以及气体出口（１２）、被连接到所述电极（２０，３０）中的至少一个的射频发生器（２１）。所述电极（２０，３０）中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部工艺空间（１３）的表面（２０ａ）具有非平面的形状，所述非平面的形状在沿所述电极（２０）的半径的第一截面中具有包括三个连续的并且邻近的分段的轮廓，即第一、第二和第三分段，其中所述第三分段邻近于所述电极（２０）的边缘并且其中所述第一分段中的中间梯度小于所述第二分段中的中间梯度并且所述第二分段中的中间梯度大于所述第三分段中的中间梯度。以上述方式成形的电极（２０）沿所述衬底（４０）的表面提供均匀的等离子体强度并且因此提供同质的并且以均匀的厚度为特征的处理。本发明专利技术还允许真空处理设备（１）的紧凑的构造。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于处理衬底的等离子体反应器，其包括被布置在所述反应器内的至 少两个电极，在所述两个电极之间定义内部工艺空间，其中所述两个电极彼此相对地并且 相对于所述电极的第一表面平行地被设置。所述反应器还包括用于将气体传送入以及传送 出所述等离子体反应器的气体入口和气体出口以及被连接到所述电极中的至少一个的射 频发生器，其中所述电极中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部工艺空间 的表面具有非平面的形状。
技术介绍
这种反应器被称为“电容性的”RF辉光放电反应器，或者平面等离子体电容器或者 平行板RF等离子体反应器，或者被命名为上述术语的组合。电容性的RF等离子体反应器 典型地被用于将衬底暴露于辉光放电的处理操作。各种工艺被用于改变所述衬底表面的特 性。取决于工艺并且特别地取决于被注入所述辉光放电的气体的特性，衬底性质可以被改 变(粘着、润湿)，薄膜可以被添加(化学汽相沉积CVD、等离子体增强CVD PECVD、二极管溅 射)或者另外的薄膜可以选择性地被去除(干蚀刻)。现有技术US 6, 228, 438 (Jacques Schmitt等人)通过引用的方式被合并入此处。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理衬底（４０）的等离子体反应器（１），所述等离子体反应器（１）包括：ａ）至少两个电极（２０，３０），所述至少两个电极（２０，３０）被布置在所述反应器（１）内，在其之间定义内部工艺空间（１３），同时所述两个电极（２０，３０）彼此相对地并且相对于所述电极（２０，３０）的第一表面平行地被设置；ｂ）气体入口（１１）以及气体出口（１２），所述气体入口（１１）以及气体出口（１２）用于将气体传送入以及传送出所述等离子体反应器（１）；ｃ）射频发生器（２１），所述射频发生器（２１）被连接到所述电极（２０，３０）中的至少一个；ｄ）同时所述电极（２０，３０）中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-10-1 60/976593一种用于处理衬底(40)的等离子体反应器(1)，所述等离子体反应器(1)包括a)至少两个电极(20，30)，所述至少两个电极(20，30)被布置在所述反应器(1)内，在其之间定义内部工艺空间(13)，同时所述两个电极(20，30)彼此相对地并且相对于所述电极(20，30)的第一表面平行地被设置；b)气体入口(11)以及气体出口(12)，所述气体入口(11)以及气体出口(12)用于将气体传送入以及传送出所述等离子体反应器(1)；c)射频发生器(21)，所述射频发生器(21)被连接到所述电极(20，30)中的至少一个；d)同时所述电极(20，30)中的至少一个具有矫正层，所述矫正层沿面向所述内部工艺空间(13)的表面(20a)具有非平面的形状；其特征在于，e)至少一个电极(20)具有矫正层，所述矫正层在沿所述电极(20)的半径的第一截面中具有包括三个连续的并且邻近的分段的轮廓，即第一、第二和第三分段，其中f)所述第三分段邻近于所述电极(20)的边缘并且其中g)所述第一分段中的中间梯度小于所述第二分段中的中间梯度并且所述第二分段中的中间梯度大于所述第三分段中的中间梯度。2.根据权利要求1所述的等离子体反应器(1)，其特征在于，其中所述第一分段包括在 其中所述矫正层基本上是平坦的部...

【专利技术属性】
技术研发人员：C埃勒特，W韦兰德，D佐齐，AAH塔哈，
申请(专利权)人：欧瑞康太阳IP股份公司特吕巴赫，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]