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NXP股份有限公司专利技术
NXP股份有限公司共有2775项专利
双桥放大器结构制造技术
本发明公开了双桥放大器结构。放大器具有包括两个桥式放大器的双桥设计。模式开关使得这两个桥式放大器能够按照串联放大模式配置。模式开关的切换是动态的,并且使能了信号电流的重新使用,从而改进了总系统效率。在放大器输出之一的削波事件情况下提供对...
Sigma‑Delta调制器制造技术
一种Sigma‑Delta调制器(300),包括:第一滤波器级(304);与第一滤波器级(304)串联的第二滤波器级(306);在第二滤波器级(306)的输出与第二滤波器级(306)的输入之间的第一反馈通路(311),第一反馈通路(31...
集成电路和移动设备制造技术
本发明提供一种集成电路和移动设备。该集成电路包括连接到第一天线和电源的NFC伴核,NFC伴核能够向NFC信号提供非连续的功率提升,从而有利于使用较宽范围的天线,多个天线,以及从而提供更强的NFC功能和通用性。本发明还揭示了可拆卸的天线,...
在无线数据传输环境中管理无线传输的使用数据制造技术
一种在无线数据传输环境中管理无线传输的使用数据的方法,该方法包括:由第一接收机接收无线传输的使用数据;并且通过应用质量准则,估计由第一接收机接收的使用数据的接收质量。在接收质量满足质量准则的情况下,该方法还包括使用第二接收机来后台扫描无...
栅极驱动电路制造技术
在高电压CMOS技术中,电源电压通常高于最大允许栅极电压。在例如D类放大器的放大器和DC-DC转换器的切换输出级,需要快速地改变功率场效应晶体管的栅极。这需要一种栅极驱动器,能够传送较大电流,而不超过功率场效应晶体管的栅极上的最大允许电压。
电源仲裁方法和具有用于访问并选择电源的控制逻辑电路的装置制造方法及图纸
使用多种方法和设备来实现用于切换电源的电源选择器。根据本公开的示例实施例,一种装置通过在第一电源和第二电源之间进行选择来向电路供电。第一电源电路向集成电路(IC)提供稳压电源电平,具有指定为用于向IC供电的电路操作电平的操作电源电平。第...
针对共享总线的增强驱动器模式的设备和方法技术
一种设备包括:传输电路,配置和布置为根据信号总线协议来传输数据,所述信号总线协议在没有有源驱动的信号值的情况下使用无源偏置将信号总线设置为隐性值。所述传输电路包括:第一驱动器电路,配置和布置为将信号总线有源驱动到与隐性值不同的显性值。所...
制造双极晶体管的方法、双极晶体管和集成电路技术
公开了一种制造双极晶体管的方法,所述方法包括:提供包括集电极区(11)的半导体衬底(10);在半导体衬底上形成基极层(30);在基极层的限定了发射极区的部分上形成刻蚀保护层(32,34);在刻蚀保护层和基极层上形成基极接触层(35);在...
可调光LED照明电路,控制器和控制可调光LED照明电路的方法技术
公开了一种控制器(360,360’),照明电路和方法,该控制器用于包括至少一个第一类型LED与至少一个第二类型LED串联连接布置的可调LED照明电路,该控制器包括控制电路(330),旁路电路(340)和可选的附加旁路电路,该控制器被操作...
电气组件封装制造技术
本发明提供了一种电气组件封装。该封装具有连接引线结构,其中,连接引线或每个连接引线具有在封装内的连接区域,用于连接导线连接器。没有连接引线材料的区域被直接提供在在连接区域和相邻的腔体的邻近外边缘之间。这为流动互连材料提供诱捕。
作为光传感器的MOS晶体管结构制造技术
描述了一种用于登记光的结构,包括:MOS晶体管结构(101,201,401,501,601,701),具有第一源极/漏极区域(103)、第二源极/漏极区域(105)、以及至少部分地在所述第一源极/漏极区域和所述第二源极/漏极区域之间的主...
电压发生器制造技术
本公开涉及一种电压发生器,用于根据接收的目标信号提供输出电压,所述电压发生器包括:谐振转换器,配置为接收输入电压,谐振转换器包括:第一开关;第二开关,与第一开关串联连接在输入电压和地之间;谐振储能电路,与第二开关相关联;输出电容器,耦合...
针对单线内部集成电路控制总线的方法和系统技术方案
本发明公开了一种系统和方法的实施例。一种实施例是一种I2C可兼容设备。所述I2C可兼容设备包括:SDA接口,用于与SDA线连接;以及单线I2C模块,配置为:通过SDA线传输来自SDA接口的同步字;并且在同步字之后,通过SDA线传输来自S...
时钟控制电路与方法技术
本发明提供一种时钟控制电路,其可以被加入到任何在途处理器,以解决由于处理结果和环境条件所导致的变化而带来的计时问题。在环境检测(如处理、温度和电压)时检测关键指令(使用关键通路的指令)。该信息用于控制周期挪用。
聚合器和用于聚合数据的方法技术
本发明提出一种用于网络中的聚合器以及用于在网络中聚合数据的方法。聚合器被配置成对加密数据进行聚合,聚合器包括安全元件,安全元件被配置成以安全方式对加密数据进行聚合。
级联的半导体器件制造技术
本发明提出了一种级联晶体管电路,具有耗尽模式晶体管和开关装置。栅极偏置电路连接在耗尽模式晶体管的栅极和低电源线之间。栅极偏置电路适用于补偿开关装置的二极管功能的正向电压。将耗尽模式晶体管和栅极偏置电路形成为集成电路的一部分。
半导体器件和制造方法技术
公开了一种半导体器件,包括:在衬底(10)上的至少一个有源层(14,16);以及至所述至少一个有源层的第一触点(24、26、28),所述第一触点包括与所述至少一个有源层接触的金属以及金属上的氮化钛钨TiW(N)层(30)。还公开了一种制...
电容型电平移位设备、方法和系统技术方案
系统和使用方法涉及一种设计为检测两个控制信号的状态的电路,其中一个控制信号指示栅极驱动器的接通状态,另一控制信号指示栅极驱动器的关断状态。电路通过控制栅极驱动器使得栅极驱动器驱动或高或低的输出,来响应每个控制信号。电路也可以配置为控制所...
级联半导体器件制造技术
一种半导体器件,包括以级联形式布置的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管,其中所述第一场效应晶体管是耗尽型晶体管;并且其中所述第二场效应晶体管包括第一源栅电容和与第一源栅电容并联的第二附加源栅电容。一种功率因子校正(PFC)电路,包括所述...
时间修改系统、用于混合信号的系统以及用于时间修改输入信号的方法技术方案
本发明涉及一种时间修改系统,包括延迟模块(D),用于接收输入信号(S),该输入信号(S)包括在输入采样率下的一系列数字样本,该延迟模块(D)提供延迟的输出信号(延迟的S);持续时间修改模块(M),用于接收输入信号(S)并且提供修改的输出...
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