本发明公开了一种InAs/GaSb超晶格材料阳极氧化方法，属于半导体器件制造技术领域；本发明方法，包括如下步骤：配制电解液、制备InAs/GaSb超晶格外延片；氧化InAs/GaSb超晶格外延片、生成钝化层，得到氧化InAs/GaSb超...

本发明公开了一种用于制冷型红外探测器的杜瓦外壳结构，包括杜瓦冷指，所述杜瓦冷指的下端设有用于与制冷机耦合的法兰，其上端内部焊接有杜瓦壳体，所述杜瓦壳体和杜瓦冷指的外表面均呈条纹状凸起，所述杜瓦冷指的上端外部与杜瓦光窗焊接；为保证窗座部分...

本发明公开了一种红外探测器芯片背减薄工艺，包括设计器件版图切割道宽度90‑150微，对切割道区域进行深刻蚀至缓冲层，经减薄工艺和湿法工艺将芯片旧边缘腐蚀去除后产生新的芯片边界，去除划片和减薄工艺过程中对器件边缘造成的损伤，进而提升二类超...

本发明公开了一种利用光刻与刻蚀联用控制掩膜层底切形貌的方法，包括：利用刻蚀气体扩散的原理及气体保护原理，通过光刻制备出所需形貌，再控制刻蚀条件实现角度继承，通过光刻与刻蚀联用得到所需形貌；以简单的条件制备出复杂的形貌，根据所用设备进行参...

本发明适用于红外探测技术领域，提供了一种带异步积分清零高动态红外读出电路，包括CTIA积分电路、增益控制模块、电容复位模块和N‑bit计数器；其中，CTLA积分电路包括CTIA放大器、第一电容、第二电容、第一开关管以及第二开关管；所述C...

本发明属于探测器技术领域，提供了一种红外宽光谱超晶格探测器及其制备方法，所述红外宽光谱超晶格探测器包括有衬底，所述衬底上侧中间生长有重掺杂缓冲层，所述重掺杂缓冲层为与衬底晶格匹配的InAsSb材料；所述重掺杂缓冲层上侧依次叠层为n型接触...

本发明公开了一种基于M型势垒的长波红外探测器的新型结构，其整体结构为pπMn结构，以InAs/GaSb超晶格结构作为顶部接触层和吸收层，以InAs/GaSb/AlSb/GaSb超晶格作为势垒层和底部接触层。本发明提供的器件结构在77K时...

本发明公开了一种基于InAs‑AlSb势垒的长波红外探测器的新型结构，其整体结构为pπBn结构，采用InAs/GaSb超晶格结构作为顶部接触层和吸收层，采用InAs/AlSb超晶格作为势垒层和底部接触层。本发明提供的器件结构在77K时的...