本发明涉及一种包含下列层结构的单片集成半导体结构：A)基于掺杂的或未掺杂的Si的载体层，B)任选地具有组成BxAly?GazNtPv的层，其中x=0-0.1,y=0-1,z=0-1,t=0-0.1和v=0.9-1，C)具有组成BxAly...

本发明涉及制造单片模板的方法，该模板包含Si晶片，在该Si晶片表面上外延施加有III/V半导体层，该III/V半导体的晶格常数与Si的相差小于10%，所述方法包括以下步骤：A)任选地，使Si晶片表面脱氧，B)任选地，在脱氧的Si晶片表面...