南开大学专利技术

南开大学共有9811项专利

  • 本发明涉及血红白叶藤乙醇提取物和白叶藤碱在农药上的应用。此血红白叶藤乙醇提取物和白叶藤碱能很好的抑制烟草花叶病毒;此血红白叶藤乙醇提取物和白叶藤碱用作杀菌剂,对番茄早疫、小麦赤霉、水稻稻瘟、辣椒疫霉、油菜菌核、黄瓜灰霉、水稻纹枯、黄瓜枯...
  • 本发明公开了一种均匀分散的氧化镍量子点的制备方法,属于无机材料技术领域。包括如下步骤:(1)将沉淀剂水溶液逐滴加入镍盐水溶液中,使二者在强烈搅拌下充分反应,得到氢氧化镍沉淀;(2)将上述氢氧化镍沉淀经离心、洗涤、低温或真空干燥、高温焙烧...
  • 膜生物污染一直制约着膜分离技术的广泛应用,但是现有的膜生物污染控制手段存在控制周期短、难以长久控制的问题。为此,本发明开发了一种采用D
  • 本发明公开了一种基于图像的分布式光伏屋顶资源分割与提取方法及系统,涉及分布式光伏设计及图像处理技术领域,该方法包括:首先将三维点云处理问题转换为二维遥感图像语义分割问题,将目标区域正射投影图格网裁切后建立样本区域的建筑物语义分割数据集,...
  • 本发明公开了一种基于航拍图像的光伏组串位置确定方法及系统,涉及太阳能光伏电站运维及图像处理技术领域,该方法包括:建立光伏电站的样本数据集,并基于样本数据集对改进的U
  • 本申请提供一种环境重金属污染修复剂的制备方法,包括:步骤一,将电气石或改性电气石与生物炭混合进行第一球磨处理,得到球磨产物;第一球磨处理为湿法球磨处理,电气石或改性电气石与生物炭的质量比为1:1
  • 单路斜坡型模拟像素驱动电路及其驱动方法,属于集成电路技术的硅基显示芯片电路应用领域。由数字信号锁存器、计数器、使能数字信号比较器、斜坡信号放大器、斜坡信号传输门、像素寻址存储电路、模拟显示放大器、模拟显示传输门、像素模拟信号输出电极、连...
  • 本发明公开一种基于光子神经网络的飞行目标识别系统及搭建方法,面向高速运动飞行器,包括但不限于飞机,无人机,直升机,滑翔机,三角翼等航空器以及导弹等目标设计并搭建光子神经网络的超快飞行目标识别系统,实现高速运动目标的快速识别,本发明提供一...
  • 本发明公开了一种生物炭负载锰氧化物复合材料及其制备方法和应用,所述生物炭负载锰氧化物复合材料包括生物质热解形成的生物炭和负载于所述生物炭上的锰氧化物,所述生物炭负载锰氧化物复合材料通过以下方法制备:步骤1,配制锰前驱体溶液:将高锰酸钾溶...
  • 本发明涉及焦油催化重整技术领域,具体涉及一种利用二氧化碳催化重整制备合成气的方法。本发明提供的利用二氧化碳催化重整制备合成气的方法,包括如下步骤:将含甲苯的原料气、二氧化碳气体通入装有催化剂的低温等离子体反应器中,在催化剂存在的条件下进...
  • 本发明公开了一种原位限域还原
  • 本申请涉及一种红外测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:检测待测场景下的和频光在不同偏振基的投影的强度信息;所述和频光为红外信号光和泵浦光发生和频过程产生的和频光;根据所述和频光在不同偏振基的投影的强度信息...
  • 一种基于CNN的深度学习网络RugbyNet的构建方法,属于计算机应用领域。RugbyNet构建方法包括:对训练集中图像进行归一化处理;采用包含两个卷积的卷积块1处理并池化;然后采用包含三个卷积的卷积块2处理并池化;接着采用包含四个卷积...
  • 本发明公开了一种绿色连续合成纳米铁及其复合材料的方法,包括以下步骤:采用超临界萃取技术,提取绿色植物或藻类微生物中的还原性物质,配制成质量分数为3~60%的溶液;将上述溶液与铁盐溶液通过液滴流撞击微反应器撞击反应后制备得到纳米铁材料。在...
  • 双路对称斜坡型模拟像素驱动电路及其驱动方法,属于集成电路技术领域,由数字信号锁存器、计数器、使能数字信号比较器、正斜坡信号放大器、正斜坡信号传输门、像素正寻址存储电路、正模拟显示放大器、正模拟显示传输门、负斜坡信号放大器、负斜坡信号传输...
  • 本发明提供了一种基于自抗扰解耦控制策略的动力翼伞半实物仿真系统,涉及无人机飞行控制领域,8
  • 本发明涉及土壤修复技术领域,尤其涉及一种土壤修复系统。本发明提供的土壤修复系统包括≥1个土壤修复单元;所述土壤修复单元包括工作电极、钛丝、对电极、植物、导线、恒电位仪、表面活性剂和保水剂;所述工作电极和恒电位仪之间以及所述对电极和恒电位...
  • 本发明涉及合成硼氮吡啶化合物的技术领域,尤其涉及一种简单制备硼氮吡啶化合物的方法,以带有不同取代基的苯肼与2
  • 本发明提供了一种碳纳米管包覆菱形镍颗粒催化剂及其制备方法及其应用,所述催化剂以泡沫镍为基体,在泡沫镍的表面生长有碳纳米管,在碳纳米管内包覆有菱形镍颗粒,碳纳米直径约为50
  • 本发明为一种具有长时程突触可塑性的突触晶体管及其制备方法。该晶体管的结构为:衬底上为半导体层,半导体层的两端有电极,电极之间的半导体层上,覆盖有离子胶层;其中,电极为间隔的源极和漏极;所述半导体层为氧化铟锌纳米线阵列以及覆盖其上nafion