本发明提供的等离子显示器试验用台车装置，包括，模组固定架，其为前侧面与后侧面相通的长方体结构，后侧面的四个角上分别固定有固定板，固定板的前侧面安装有用于固定等离子显示器的模组固定转接块；模组移动车体，包括主框架，主框架上安装有与模组固定...

本发明公开了一种基于高电子迁移率晶体管太赫兹空间外部相位调制器。该器件将具有快速响应的高电子迁移率晶体管与新型人工电磁媒质谐振结构相结合，使其具备对自由空间传播的太赫兹波进行快速调相的能力。本调制器是由半导体材料衬底、HEMT外延层、周...

该发明一种用于测量扫描电子显微镜电子束电流的装置，涉及电子技术领域，具体涉及一种测量扫描电镜电子束电流的测量装置。该装置包括：一个带有栅网的法拉第杯、贯穿有两个电极的扫描电子显微镜的样品室隔板、高灵敏度的电流表，各部分之间采用镀有陶瓷的...

一种电子元件移动测试装置，包括承载治具和检测仪器，承载治具包括有导电体；导电体包括用于连接被测的电子元件的元件连接端，用于连接检测仪器的仪器连接端以及用于连接元件连接端和仪器连接端的连接部；检测仪器设有用于触接电子元件的元件接触部和用于...

本发明公开了一种表面等离子体激元产生切伦科夫辐射的装置，属于电磁波辐射的产生检测领域。具体是一种利用自由电子注激励样品产生表面等离子体激元并由介质转化为可见光波段切伦科夫辐射的装置，包括：电子发射系统、电子接收系统、真空腔室、样品架系统...

本发明公开了一种电子布，涉及电子工业材料技术领域，包括电子布本体、玻璃纤维布、透气通孔和防静电器，所述电子布本体包括经纱线和纬纱线交织而成，经纱线和纬纱线交织形成纬二重组织单元，经纱线和纬纱线交织形成的口字格，口字格中间填充有玻璃纤维布...

本发明公开了一种微波电子回旋共振等离子体化学气相淀积设备，该设备包括微波功率源及传输系统101、微波谐振腔体102、工艺室与样品台系统103、真空系统104、气路系统105、自动传片系统106、控制系统107，其中，微波谐振腔体内设有等...

本发明涉及电子调谐器，目的是为了解决现有的电子调谐器与整机设备的连接方式易受整机产生的逆向干扰的，导致整机稳定性差的问题。本发明的电子调谐器，包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一电容、第二电容、第三电容及第四电容。由于在现有技术的基础...

本发明涉及基于射频识别技术的电子衡器数据传输中继器，所述中继器包括中央处理模块、存储模块、电源模块、通信模块和射频识别模块，所述存储模块、通信模块和射频识别模块分别与中继器的中央处理模块连接用于向中央处理模块传输数据并接收来自中央处理模...

本发明提供一种表面贴装石英晶体电子元件，其中电子元件为谐振器或滤波器，其特征在于：增设一绝缘的长方体外壳，套装固定在电子元件的外侧，两者结合构成长方体，外壳对应电子元件设置引线端的底部设有凹槽，引线向后弯折固定在凹槽中，其底部与外壳的底...

本发明公开了一种应用于电子镇流器中的多频率振荡器，主要解决荧光灯无预热和点火，使用寿命短的问题。本发明的多频率振荡器包括基准电流产生电路、电压控制电路、电流控制电路、电流镜电路和振荡信号产生电路。其中电流控制电路连接在基准电流产生电路和...

本发明公开一种免PCB板电子连接器，包括有绝缘本体、上排端子、下排端子、屏蔽片以及屏蔽外壳；该绝缘本体的前端具有一插置槽，该上排端子、下排端子和屏蔽片均设置于绝缘本体上，该绝缘本体的尾端内部固定有导电片，导电片与对应的端子焊接电连接，该...

本发明提供了一种电子卡连接器，包括塑胶本体、导电端子、遮蔽壳体，塑胶本体内设有插槽，电子卡的侧边上设有凹部；插槽的后端还设有一弹性部件，在电子卡插入后呈受力压缩状态；插槽上设有对应于凹部的安装槽，遮蔽壳体上在安装槽的正前端设有通孔；安装...

本发明涉及一种用于接线装置内的接线机构，一种连接电子元件的导电装置，包括电子元件和多个导电片，电子元件设置于相邻的两个导电片之间，电子元件的两端分别设置有导电脚，电子元件通过导电脚与导电片电连接，所述导电装置设置有弹片弹性元件，所述导电...

本发明公开了一种用于电子不停车收费系统路侧单元的双通信天线，主要解决现有电子不停车收费系统中易出现跟车干扰的问题。该天线包括两个金属辐射贴片(1和2)、介质基板(3)、金属地板(4)和人工电磁媒质覆层(6)。两个金属贴片(1和2)对称设...

本发明提供了一种适用于ISO18000‑6/B/C和EPC GEN2电子标签标准、具有较高的长宽比尺寸特性的电子标签天线。该天线在现有偶极子天线上加载三种类型的枝节：1)两端各加载一个“L”形弯折枝节，2)中间馈电点两侧加载一个环路枝节...

本发明涉及一种新型光热电复合器件，属于太阳能利用领域。公开了一种全固态的光子增强热电子发射器件。该器件从上至下依次包括：透明导电氧化物层，用于减少载流子复合的背表面场钝化层，用于吸收太阳光的阴极吸收层，高导电高绝热半导体材料层和用于收集...

本发明公开了一种阶梯型凹槽栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有技术的击穿电压低和场板制作工艺复杂的问题。该器件自下而上包括：衬底(1)、成核层(2)、主沟道层(3)和主势垒层(4)，主势垒层(4)顶端两侧为源极(5)和漏极(6)，中间为栅...

本发明公开了一种多沟道鳍式结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构和制作方法。主要解决现有多沟道器件栅控能力差及FinFET器件电流低的问题。其自下而上依次包括衬底(1)、第一层AlGaN/GaN异质结(2)、SiN钝化层(4)和...

本发明公开了一种增强型鳍式绝缘栅高电子迁移率晶体管，主要解决现有增强型器件的阈值电压小，短沟道效应严重的问题。其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、GaN沟道层(3)、AlGaN势垒层(4)、栅介质层(5)、钝化层(6)和源、...