本技术公开了一种低噪声分布式放大器及电路，放大器包括常规分布式结构和低噪声负载结构；所述低噪声负载结构连接在所述常规分布式结构的输入传输线终端，作为输入等效传输线的终端负载，同时为射频放大器提供参考偏置。所述低噪声负载结构为电流镜结构；...

本发明提供一种低功耗环形振荡器，通过环形振荡器产生有相位差的波形控制buffer里支路上产生对应相位差的波形，再用buffer产生的三个波形控制buffer相邻支路上有并联电阻的开关，来实现缓冲器buffer里同支路上开关不存在同时开的...

本实用新型公开了控制电路领域的一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，包括：晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；晶...

本发明公开了射频测试技术领域的一种提高P1dB测试结果的精准度的方法，包括构建硬件测试环境；基于构建的硬件测试环境，采用设定的测试方法进行测试，获得P1dB测试值；对P1dB测试值进行判断，直至P1dB测试值满足设定条件，输出功率即为P...

本实用新型公开了一种可调节功率门限检测电路，包括：包括晶体管、放电电阻、短路电容和第一隔直电阻；晶体管的栅极连接第一隔直电阻的一端和短路电容的一端，第一隔直电阻的另一端连接控制信号端，所述短路电容的另一端连接信号输入端；晶体管的漏极连接...

本发明公开了一种射频驱动放大器，输入匹配电路的输入端作为射频驱动放大器的射频输入端，其输出端与第一级放大电路的输入端连接；第一级放大电路、第一级间匹配电路、第二级放大电路、第二级间匹配电路与功率放大电路依次连接；功率放大电路的输出端连接...

本发明公开了一种电平移位电路，本发明通过在PMOS管Mp1的D极和节点n1之间、PMOS管Mp2的D极和节点n2之间增设电阻，消除了电平转换过程中所有的竞争风险；在增设电阻的基础上增设增速辅助电路，通过辅助电路提升整体电路的切换速度，实...

本实用新型公开了开关晶体管技术领域的一种集成开关晶体管分流电容结构，包括开关晶体管和分流电容结构，且分流电容结构叠放于开关晶体管的正上方，所述分流电容包括多个单元分流电容结构，且单元分流电容结构之间为多维度对称结构。本实用新型中，晶体管...

本发明公开了一种增加低频射频信号承载能力的MOS管堆叠结构，包括若干个MOS管，MOS管的源级、栅级依次相连堆叠成开关栈，开关栈连接高压信号Vin的一端为高阶，连接低压信号Vout的一端为低阶，射频信号从高阶输入，低阶输出，所述每个MO...

本实用新型公开了大功率多通道射频开关，包括：多个开关；所述大功率多通道射频开关的公共RFC端口至各个端口呈树状，公共RFC端口作为树根，从公共RFC端口到各端口作为树干，从树根至树干多个开关被分为n级，且每级有多个开关；第n级的每个开关...

本发明公开了一种解决LDO上电过渡的LDO电路，包括：时控系统T1、开关K2和限压模块D1，所述运放opa的输出端与负载端vout之间并联有补偿电路；所述时控系统T1输入端与电源VDD端相连接，时控系统T1输出端接地，开关K2的输入端与...

本发明公开了一种低电压噪声电荷泵电路，包括时钟单元、电容单元和开关单元；时钟单元，用于产生非交叠的时钟信号控制所述第一受控开关单元和第二受控开关单元中的开关打开和闭合，电容单元包括第一泵电容C1、第二泵电容C2以及负载电容C3；开关单元...

本发明公开了降低噪声的电荷泵电路，包括连接在第一泵电容C1和第二泵电容C2上极板的第一受控开关单元，以及连接在第一泵电容C1和第二泵电容C2下极板的第二受控开关单元；第一受控开关单元还包括充电限流电阻和放电限流电阻；产生非交叠的时钟信号...

本发明公开了一种电流复用结构的增益放大模块，包括依次串接的射频信号输入电路、多级放大电路和射频信号输出电路，多级放大电路的各级放大电路之间依次串接，多级放大电路共用一偏置电流，各相邻的两级放大电路之间设置级间匹配电路；各级放大电路均为共...

本发明公开了一种改善数字可控衰减半导体芯片误差的装置，包括旁路串联开关组和调控装置，旁路串联开关组与数字可控衰减器并联设置于端口P1和端口P2之间的电节点；旁路串联开关组连接调控装置后接地，调控装置用于提高衰减态时端口P1和端口P2之间...

本发明公开了横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法，利用接触蚀刻停止层做为端点对层间电介质层进行化学机械抛光工艺平坦化；利用化学气相沉积工艺沉积附加的层间介电层；用掩模在多晶硅栅极和漏极延伸区域上方的层间电介质层中打开缺口空...

本发明提供了金属氧化物半导体晶体管及其制备工艺，晶体管包括：半导体衬底和隔离层，所述隔离层限定半导体衬底的有源区域，所述有源区域上方设置绝缘栅极介电层，所述绝缘栅极介电层上形成多晶硅栅极；所述有源区域的表面设置漏极区域和源极区域，所述漏...

本发明公开了一种绝缘体上硅场效应晶体管，包括：半导体衬底，半导体衬底的表面上具有绝缘层，绝缘层上设置有源区域；有源区域上方设置绝缘栅极介电层，绝缘栅极介电层上形成多晶硅栅极，多晶硅栅极通过绝缘栅极介电层与有源区域电性绝缘；有源区域的表面...

本发明公开了一种大功率谐振开关，包括发射支路和接收支路；所述发射支路包括匹配网络N2、开关SW1和发射端口TX；所述发射端口TX串联开关SW1后连接ANT端口；发射端口TX与开关SW1之间连接匹配网络N2；所述接收支路包括匹配网络N1、...

本实用新型涉及电路板技术领域，特别涉及一种印刷电路板。包括：介质层，所述介质层的一侧形成有用于设置第一金属连接线的第一凹槽，所述介质层的另一侧形成有用于设置第二金属线的第二凹槽，所述第一金属连接线背离所述介质层的一侧位于所述介质层的外侧...