一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器制造技术

本实用新型专利技术公开了控制电路领域的一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，包括：晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；晶体管M2的S端与工作电路连接；晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；分支电路上设有电阻R1；所述分支电路连接至所述晶体管M0的D端；所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端；本实施例在工作电路关断时，降低偏置电路中的电流以节约电能。置电路中的电流以节约电能。置电路中的电流以节约电能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器


[0001]本技术属于控制电路领域，具体涉及一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器。

技术介绍

[0002]砷化镓工艺一般结构较为简单，因此，设计用于放大器的偏置电路结构亦较为简单。一般以电流镜结构为主，电流镜电路可以将数倍于偏置电路本身的工作电流加到工作电路上，使得电路正常工作时，消耗电流的绝大部分用于工作电路，有利于最大化的利用电流。而当电路不工作时，通常选择将工作电路关断，而偏置电路则保持开启，此部分电流通常在几百微安甚至毫安级别，这样的缺点是，造成此部分偏置电路电流浪费。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，将工作电路关断时，降低偏置电路中的电流，以解决偏置电路电流浪费的技术问题。
[0004]为达到上述目的，本技术所采用的技术方案是：
[0005]第一方面本实施新型提供了一种基于砷化镓工艺的偏置电路，包括晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；
[0006]所述晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压V本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于砷化镓工艺的偏置电路，其特征在于，包括晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；所述晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；所述晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；所述晶体管M2的S端与工作电路连接；所述晶体管M2的G端依次电路连接电阻R4和控制信号Vctrl的输入端；所述电阻R2和电阻R3之间设有分支电路；所述分支电路上设有电阻R1；所述分支电路连接至所述晶体管M0的D端；所述晶体管M0的S端与所述晶体管M3的D端电路连接；所述晶体管M3的S端接地；所述晶体管M3的G端依次电路连接电阻R5和控制信号Vctrl的输入端。2.根据权利要求1所述的一种基于砷化镓工艺的偏置电路，其特征在于，电阻R1、电阻R2...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱志锐，潘茂林，
申请(专利权)人：南京元络芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：