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本实用新型公开了控制电路领域的一种基于砷化镓工艺的偏置电路及射频放大器，包括：晶体管M0、晶体管M2和晶体管M3；晶体管M0的D端依次电路连接电阻R0和电源电压VDD；晶体管M0的G端依次电路连接电阻R2、电阻R3和晶体管M2的D端；晶体管...
该专利属于南京元络芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南京元络芯科技有限公司授权不得商用。

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