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南京模砾半导体有限责任公司专利技术
南京模砾半导体有限责任公司共有14项专利
一种集成恒定平均和恒定均方根电压输出的控制电路制造技术
本发明公开了一种集成恒定平均和恒定均方根电压输出的控制电路,属于集成电路技术领域,包括:用于提供参考电压及输入电压的分压的两路分压电阻串;用于提供占空比信号的比较器;用于驱动功率管的驱动电路模块;振荡器;用于控制所述比较器输入及输出切换...
一种实现高压隔离的电压采集及断线检测方法技术
本发明公开了一种实现高压隔离的电压采集及断线检测方法,属于电源管理技术领域,包括:利用电阻电容网络对电池组中每个节点电压进行分压得到低电压;将采集的低电压通过低压数据选择器,配合时序,输出电压值;将低压数据选择器输出的每一组电压值驱动放...
基于锂电池包短路保护放电制造技术
本发明公开了基于锂电池包短路保护放电
一种防止短路电流损坏制造技术
本发明公开了一种防止短路电流损坏
一种基于对称加密的文件安全传输方法技术
本发明公开了一种基于对称加密的文件安全传输方法,所述方法包括建立密钥系统;接收用户依据密钥系统,创建密钥对,并将用户身份信息和密钥对上传至管理中心;发送用户依据密钥系统,将文件经过密钥加密处理生成密文,并利用接收用户上传至管理中心的公钥...
一种基于对称加密的文件安全传输方法技术
本发明公开了一种基于对称加密的文件安全传输方法,所述方法包括建立密钥系统;接收用户依据密钥系统,创建密钥对,并将用户身份信息和密钥对上传至管理中心;发送用户依据密钥系统,将文件经过密钥加密处理生成密文,并利用接收用户上传至管理中心的公钥...
一种OTP存储器制造技术
本发明公开了一种OTP存储器,属于异常通讯检测技术领域,针对了对于芯片生产时增加了FT的测试时间导致生产成本的提高的问题,包括存储单元,用于存储需要写入的所有数据,存储单元的一端连接有写入单元,用于将需要写入的数据写入到存储单元中;本发...
一种超低功耗高速动态锁存比较器制造技术
本发明公开了一种超低功耗高速动态锁存比较器,所述比较器由一对交叉耦合的反相器、cascode电流镜和两个电流源型反相器构成。通过将mos管由栅极输入改成由衬底输入,输入对的体跨导和交叉耦合的反相器的总跨导将提供更强的正反馈,极大的减小比...
一种宽输入电压范围强带载能力的预稳压电路制造技术
本发明公开了一种宽输入电压范围强带载能力的预稳压电路,当输入电压较低时,NMOS功率管截止,PMOS功率管导通,此时PMOS功率管等效为开关,将输入电压与稳压器输出直连,为后级电路提供电源电压;当输入电压提高后,PMOS功率管自动进入截...
一种基于电池虚电检测装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种基于电池虚电检测装置及方法,检测装置包括中控系统、MCU、电流源和待测电池,所述中控系统、电流源、待测电池都与MCU电性连接,所述MCU、待测电池都与电流源电性连接。本发明可以实时检测电池是否处在虚电状态,不让虚电电池直...
一种电池均衡中选择非相邻电池的电路及其实现方法技术
本发明公开了一种电池均衡中选择非相邻电池的电路及其实现方法,电池选择电路根据输入的当前均衡电路实际连接电池的连接标识,以及输入的需要被均衡的电池的均衡标识,经过逻辑运算,输出非相邻可均衡电池的选择标识。本方法用于电池均衡电路中的电池选择...
一种超低功耗非共地双向数据隔离电路制造技术
本发明公开了一种超低功耗非共地双向数据隔离电路,低电平芯片的电平转换电路包括第二三极管Q26、第四场效应晶体管Q27和第二二极管D107;高电平芯片的电平转换电路包括第一三极管Q69、第一场效应晶体管Q66和第一二极管D106;第二场效...
一种适用于COT电压变换器的百分百占空比产生电路制造技术
本发明公开了一种适用于COT电压变换器的百分百占空比产生电路,包括锯齿波产生电路、误差放大器EA、自适应导通时间控制电路、脉宽调制比较器CMP、D触发器、逻辑驱动单元、P型场效应晶体管PMOS、N型场效应晶体管NMOS、电感L、负载电容...
一种高速比较器电路制造技术
本发明公开了一种高速比较器电路,包括:输入级电路,用于连接差分电压信号输入,并将所述差分电压信号转换为差分电流信号;电压保持电路,用于将第一节点的电压保持在低于电源电压的范围;电源,与所述输入级电路、电压保持电路连接,并给输入级电路和电...
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