一种制备ＡｌＮ纳米线及其阵列的方法，是一种宽隙带ＡｌＮ纳米线及其阵列的中温制备方法，它采用金属Ａｌ或合金Ａｌ催化氮化法，以金属Ａｌ源和气态Ｎ源为原料，在孔性氧化铝模板上沉积，即得ＡｌＮ纳米线及其阵列，在催化剂上即得ＡｌＮ纳米线。本发明的...

一种ＡｌＮ一维纳米结构及其阵列的制备方法，其特征是以气化的ＡｌＣｌ↓［３］为Ａｌ源，以ＮＨ↓［３］／Ｎ↓［２］混和气为Ｎ源，在中温条件下，利用气－固相反应在负载有催化剂的基片上沉积得到ＡｌＮ一维纳米结构阵列，包括ＡｌＮ的纳米锥、纳米柱（...

一种在温和条件下高产率、高纯度和大量制备碳纳米管的方法，其特征是以可挥发的苯为原料，以γ－氧化铝载体负载的铁系含：Ｆｅ－Ｃｏ、Ｆｅ－Ｎｉ和Ｆｅ－Ｃｏ－Ｎｉ合金合金为催化剂，采用热化学气相沉积法在６５０～７１０℃条件下高产率、高纯度地合成...

一种聚合物薄膜表面的化学镀镍导电薄膜，其特征在于在聚合物表面有一层导电的镍金属薄膜镀层。

金属Ｉｎ预沉积生长氮化铟薄膜的方法，用ＭＯＣＶＤ生长ＩｎＮ前，先在衬底表面预沉积一层金属Ｉｎ，沉积时温度在３００－５００℃，然后才同时通入氨气和三甲基铟，继续生长从而得到氮化铟薄膜，生长温度在３００－５００℃。本发明在衬底表面预沉积适量...

一种金属有机源压力闭环控制系统包括流量计、金属有机源、与反应室相连的调节阀和压力传感器（ＤＰ），其特点是还包括由单片机、数模转换器、放大器所组成的单片机控制电路。载气通过流量计导入到金属有机源，携带了金属有机源气体的混合气体通过调节阀通...

本发明公开了一种快速制备纳米带和星形纳米材料的方法，首先将Ｚｎ用金属网包裹放置在反应管内，在Ｚｎ的一侧放置Ｓ，另一侧放置金属网，金属网可紧靠着Ｚｎ放置；然后将保护气体从放置Ｓ的一端吹入，并吹向金属网；再对反应管进行加热，加热温度为７５０...

本发明公开了一种有机膦稳定的磺酸银配合物和合成方法及其在制备银薄膜方面的应用，该磺酸银配合物用右述通式表示：其中ｎ＝１，２，３Ｒ代表ＣＨ↓［３］，ＣＦ↓［３］，ＣＦ↓［２］ＣＦ↓［３］，Ｅｔ，Ｈ↓［２］Ｎ，Ｐｈ，ｐ－Ｔｏｌ　　Ｌ代表Ｐ（...

锆、铪及与钛复合无水硝酸盐的金属复合无机源，通式如下述：（Ｚｒ↓［ｘ］Ｔｉ↓［ｙ］）（ＮＯ↓［３］）↓［４］，（Ｈｆ↓［ｘ］Ｔｉ↓［ｙ］）（ＮＯ↓［３］）↓［４］，ｘ＋ｙ＝１，０．９≥ｘ≥０．１，０．９≥ｙ≥０．１。其合成方法是：以四氯...

化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在７００～８５０℃的衬底温度下，以ＧｅＨ↓［４］、Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］为反应气源，保持腔体压强１０～１００Ｐａ，Ｃ↓［２］Ｈ↓［４］分压０．０１～０．１５Ｐａ，ＧｅＨ↓［４］分压０．１...

本发明公开了一种用于纳米粒子束流源的复合型分离器，它是采用光汇集再发散的气流通道结构，该气流通道由圆锥形的入口侧（１２），圆锥形的出口侧（１３）和连接入口侧（１２）的喉部（１４）所构成。本发明的分离器采用先汇集再发散的气流通道结构取代了...

本发明是采用气相聚集法团簇束流源（１）产生纳米粒子，通过绝热膨胀获得纳米粒子束流（５），再经过准直器（４）进入高真空沉积室（６）而形成高度定向的纳米粒子束流；旋转衬底座，使衬底（７）与纳米粒子束流（５）成１０°的入射角、并保持衬底（７）...

化学气相淀积的生长设备，采用射频感应加热，射频感应加热器中间设有石墨反应腔，石墨反应腔置于真空石英管（１）内，在石英管与被感应加热的石墨反应腔（３）之间设有耐高温的热解ＢＮ套管（２）组。ＢＮ套管组为２－６只套管，套管壁间距、套管壁与石英...

加热氧化层包裹金属纳米核壳结构形成纳米液体的喷射方法，在洁净非晶碳或硅衬底用真空离子刻蚀的方法去除其表面附着物加强结合力，在衬底上采用气相凝聚沉积来制备直径在４０－１００ｎｍ之间的低熔点金属纳米颗粒，低熔点金属是铅、锑、锡中的一种或二元...

气相自组装生长硅量子环纳米结构的制备方法，首先在等离子体增强化学汽相淀积（ＰＥＣＶＤ）系统中衬底硅表面分别进行氩气（Ａｒ）等离子体和氢气（Ｈ↓［２］）等离子体的预处理，在衬底硅表面形成硅纳米环的成核中心；然后，在ＰＥＣＶＤ系统中原位周期...

一种自清洁氧化物薄膜是由不同价态金属离子Ｘ掺杂的ＳｒＴｉＯ↓［３］，用公式Ｘ：ＳｒＴｉＯ↓［３］表示，其中Ｘ为Ｃｒ↑［３＋］、Ｚｎ↑［２＋］、Ａｌ↑［３＋］、Ｇａ↑［３＋］、Ｇｅ↑［３＋］、Ｉｎ↑［３＋］、Ｗ↑［６＋］、Ｔａ↑［５＋］、...

本发明公开了一种大尺度氧化锌二维周期半球壳点阵的制备方法，它包括以下步骤：制备蛋白石结构模板；采用垂直沉积方法或者提拉法在衬底材料上生长组装材料，获得多层或者单层的胶体晶体，得到蛋白石模板；采用ＲＦ高真空磁控溅射装置，将制得的蛋白石模板...

本发明提供了一种在ＭｇＯ或Ｓｉ衬底上超薄ＮｂＮ超导薄膜的生长方法，该方法包括（ａ）ＭｇＯ或Ｓｉ或ＳｉＯｘ／Ｓｉ单晶基片的清洗；（ｂ）将基片放入磁控溅射系统中的样品座上，样品座采用冷却循环水进行冷却，水温度低于摄氏２０度；（ｃ）对系统进行...

非极性面ＧａＮ薄膜材料的控制生长方法，在ＭＯＣＶＤ系统中生长，通过选择［１１２０］的Ｒ面蓝宝石做衬底材料，首先，在ＭＯＣＶＤ系统中对生长的Ｒ面蓝宝石衬底在９００－１１００℃温度下进行材料热处理，时间为５－６０分钟；或然后通入氨气进行表面...

一种不同相结构的纳米晶金属Ｔａ薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，溅射靶材为纯度达到９９．９ｗｔ％以上的Ｔａ，衬底为单晶Ｓｉ片（１１１），在沉积之前，将Ｓｉ片清洗，然后对真空室抽真空，对Ｔａ靶进行约３０ｍｉｎ的预溅射；Ｔａ膜制备时采用直...