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氮化铝一维纳米结构阵列的制备方法技术

技术编号:1807297 阅读:121 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种AlN一维纳米结构及其阵列的制备方法,其特征是以气化的AlCl↓[3]为Al源,以NH↓[3]/N↓[2]混和气为N源,在中温条件下,利用气-固相反应在负载有催化剂的基片上沉积得到AlN一维纳米结构阵列,包括AlN的纳米锥、纳米柱(或棒)、纳米花、纳米珊瑚簇。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:胡征刘淳吴强王喜章陈懿
申请(专利权)人:南京大学
类型:发明
国别省市:

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