本发明揭示一种接近激活手势电路，其包含激活接收器电极、发射器电极、额外接收器电极、控制电路及信号处理器电路。所述控制电路经配置以在由所述激活接收器电极进行的电容测量达到阈值时激活所述发射器电极及额外接收器电极。所述信号处理器电路经配置以...

本发明揭示一种步进机控制电路，其包含经配置以提供用于步进机马达移动的多个轴的步进信号的数值控制振荡器。所述数值控制振荡器经配置以依由同步时钟信号提供的相同频率操作。

本发明涉及一种使用电容分压器CVD及模/数转换器测量电压的方法，所述方法包含以下步骤：测量带隙或参考电压且确定所述带隙或参考电压的第一代码值；将第一电容器充电到待测量的电压且确定所述第一电容器的电压的第二代码值；将第二电容器充电到第二已...

提供了一种波纹降低电路。所述波纹降低电路可以包括：波纹电容器，其被配置为驱动一串发光二极管(LED)的至少第一区段；第一二极管，其具有耦接到所述波纹电容器的阳极以及被配置为耦接到所述第一LED区段的输入端的阴极；第二二极管，其具有耦接到...

提供顺序线性LED驱动器电路。顺序线性LED驱动器电路可以包括多个电流吸收器(100、105、110、115)，其中多个电流吸收器(100、105、110、115)中的每一个被配置为耦合到发光二极管(LED)串的分段(SEG1、SEG2...

脱机功率转换器在无负载或非作用中(无负载需求)时汲取极小量的功率，能够通过允许起动控制器及/或次侧控制器进入休眠模式(所述控制器内的功能关闭)来进一步降低功率消耗。当所述起动控制器或所述次侧控制器中的任一者的能量存储电容器达到低电荷状态...

本发明涉及半导体制造，尤其涉及一种用于认证等离子体蚀刻过程的蚀刻速率的实时方法。一种用于测试半导体等离子体蚀刻腔室的方法可包含：将膜沉积在晶片的衬底上，所述晶片包含中心区域及边缘区域；以使所述晶片的所述中心区域与所述边缘区域隔离的图案将...

本发明揭示一种集成电路装置，其包含：第一处理核心，其可操作以处理第一指令集；第二处理核心，其可操作以处理不同于所述第一指令集的第二指令集；多个外围装置；存储器；及切换电路，其经配置以取决于所述集成电路装置的配置设置而将所述存储器及所述多...

一种集成电路包含循环冗余校验CRC电路，所述CRC电路经配置以：从由处理器执行的代码读取识别执行路径的数据；确定用于所述数据的CRC校验值；及基于所述CRC校验值，确定所述执行是否有效。

本发明揭示用于保留USB集线器中的带宽的系统及方法。所述系统及方法可包含：将来自至少一个下游端点的数据接收在缓冲器中；识别所述缓冲器的当前容量；比较所述缓冲器的所述当前容量与缓冲器阈值；至少基于所述比较而产生输出；至少基于所述输出，动态...

间隔件蚀刻过程在多个半导体裸片中产生超窄导电线。在第一电介质(212)中形成沟槽，接着将牺牲膜(222)沉积到所述第一电介质及形成于其中的沟槽表面上。从所述第一电介质的面及所述沟槽的底部去除平面牺牲膜，从而仅在沟槽壁上留下牺牲膜(222...

本发明揭示用于定位拥挤资产环境中的不良状态的系统及方法，所述系统及方法包含：提供与监测资产的状态的传感器相关联的多个无线收发器，其中处于长范围操作模式的所述多个无线收发器中的每一者将发射功率调整为高输出功率；使用所述长范围操作模式与传感...

本发明揭示一种用于扩展用于微处理器架构的数据存储器的方法，所述数据存储器使用用于存取分成多个存储器库的数据存储器的库选择存取方案。库选择寄存器经配置以选择存储器库，且所述微处理器架构具有具备用于选择存储器库的专属指令的指令集。所述专属库...

在微控制器中使用一组核心独立外围设备CIP实施测距功能，而在其操作期间免除了对中央处理器的软件额外负荷。脉冲宽度调制PWM外围设备产生高频驱动信号；计数器用以设置PWM驱动信号(脉冲)的持续时间；以及第二计时器耦接到比较器以测量接收回来...

本发明揭示一种通用异步接收器/传输器UART模块。所述UART模块可包含边沿检测器，所述边沿检测器与所述UART模块的数据线耦合，其中所述边沿检测器在上升边沿及下降边沿使计数器复位。

本发明揭示一种单芯片微控制器，其具有主控核心及至少一个从控核心。所述主控核心由主控系统时钟计时，且所述从控核心由从控系统时钟计时，且其中每一核心与多个外围装置相关联以分别形成主控微控制器及从控微控制器。在所述主控微控制器与所述从控微控制...

本发明揭示一种具有接近振荡器中的晶体谐振频率的脉冲重复率的循环脉冲振荡器，其将更有效的起动能提供到晶体振荡器电路，且因此提供快很多的起动时间。起动脉冲振荡器运行若干循环或直到晶体振荡器振幅建立期望值。所述脉冲振荡器可具有从大约三分之一所...

本发明揭示一种通用异步接收器/发射器UART接口。所述UART接口可包含可配置异步接收器与发射器单元；及可配置状态机，其中所述状态机允许所述接收器与发射器单元的配置支持各种波特率且提供起始位及停止位配置，其中所述状态机可进一步配置为自动...

本发明揭示一种用于在完成铜过程模块上的铜化学机械抛光CMP工艺之后制造薄膜电阻器的方法，其包含以下步骤：跨越至少两个结构(90a、90b)沉积电介质势垒层(100)；将第二电介质层(110)沉积于所述电介质势垒的顶上作为硬掩模；使用光刻...

一种晶体振荡器以高功率模式启动达一定时间周期以确保利用平均等级晶体启动振荡，接着一旦所述一定时间周期结束，所述振荡器便切换到低功率模式中且利用被振荡器输出频率触发且与所述振荡器输出频率同步的能量脉冲维持振荡。这些能量脉冲可产生于时钟输出...