本发明涉及一种半导体功率芯片，其包括半导体裸片(102、140、172、173、210、220、230、240、240')，所述半导体裸片具有制造于其衬底(210)上的功率装置，例如，功率场效应晶体管，其中所述功率装置具有布置在所述半导...

通过将导电与非导电电阻式存储器单元两者布置为交叉耦合布置以促进读取数据状态，所述存储器单元在其电阻值中可具有非常小的差异且仍能正确读取。这允许所述存储器单元两者的电阻随时间变化且仍具有介于其电阻之间的足够差异来读取经编程的所需数据状态。...

本发明涉及一种电阻性存储器单元(100)，其包含环形底电极(102)、顶电极(108)及布置于所述底电极与所述顶电极之间的电解质层(106)。可通过如下而形成环形底电极：在底电极接触件上方形成电介质层(104)；在所述电介质层中蚀刻通孔...

根据本发明实施例的处理器包括机载取样率转换器，用于将以第一取样率取样的源音频信号转换到以第二取样率取样的输出音频信号。所述取样率转换器利用主时钟信号来转换所述音频信号。所述取样率转换器从例如芯片上系统时钟或总线接口时钟的可用参考时钟信号...

一种能够从各自存储启动映像的多个启动装置启动的多重启动装置。所述多重启动装置基于指派给所述启动装置中的每一者的序号确定加载哪个启动装置。一些实施例将仅使用硬件操作进行这一确定。所述多重启动装置比较所述可用启动装置的所述序号以确定待加载的...

本发明提出CBRAM或ReRAM类型电阻式存储器单元，其包含：顶部电极(106)；底部电极(102)，其具有伸长沟槽形状，界定一对间隔开的底部电极侧壁(110A、HOB)；及电解质切换区(104)，其经布置以提供用于在将电压施加到所述单...

一种电荷转移类型的数/模转换器DAC可在ΣΔ调制器中用于产生N个输出电平，其中输出电平是通过由所述DAC转移的电荷的相应量定义的。所述DAC具有：第一电容器开关单元，其接收参考电压及第一数字输入值以转移第一输出电荷；至少一个第二电容器开...

一种斜率补偿模块使用电流模式控制提供切换模式电力供应器的斜率补偿。可由数字斜率补偿产生器及具有可选择响应模式低通滤波器的脉冲密度调制数/模转换器PDM DAC来提供此斜率补偿功能。

本发明涉及对存储器单元阵列进行编程及擦除的方法。本发明提供一种用于对NMOS电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)单元阵列进行编程及擦除的方法，其最小化对所述存储器阵列单元及支持电路的位干扰及高电压要求。另外，可通过形成其上制作有独立...

通过使用经特殊构建的RF定位器装置确定在未知位置处具有无线电装置的射频RF网络中的到达角AoA。可由所述RF定位器装置使用复相关来解码包括举例来说但不限于直接序列展频DSSS符号的任何种类的调制。所述RF定位器装置连接到具有在DSSS符...

本发明揭示一种侧壁式存储器单元(例如，CBRAM、ReRAM或PCM单元)，其可包含底电极(120)、界定侧壁的顶电极(132)层及布置于所述底电极层与所述顶电极层之间的电解质层(130)，使得经由所述电解质层在所述底电极与所述顶电极侧...

一种CBRAM或ReRAM类型的电阻式存储器单元包含：顶部电极(222)；及沟槽形底部电极结构，其界定底部电极连接(200)及从邻近所述底部电极连接的第一侧壁区(214)延伸到尖端区(212)的侧壁(210)，其中背对所述底部电极连接的...

本发明提供一种用于数字控制负载电压的转换速率的电路及方法。所述电路由利用反馈信号(508)来产生控制信号(在501及502中)的数字转换速率控制单元(504,510)组成，其中所述反馈信号指示负载(505)上的观测电压变化率。所述电路进...

本发明揭示一种电容性电极，其具有呈几何形状的平坦电极，其中移除所述电极的至少一个中心部分以提供所述电极的类似框架式形式。

本发明涉及一种功率FET，其包括半导体芯片(500)，所述半导体芯片具有各自并联耦合的多个源极及漏极触点(506a到506c、504a到504c)以及彼此分离的多个栅极区，其中每一栅极区连接到单独接合垫(502a到502c)。通过将功率...

可在使用连续正弦驱动时通过在相电流为实质上零时计算无刷DC BLDC电动机的每一相(3)的到共同点(接地)的电压来确定所述BLDC电动机的反电动势BEMF。可从DC供应电压及对所述电动机相中的每一者的脉冲宽度调制PWM驱动的工作循环来计...

在初级集成电路裸片的一面上形成高额定电压隔离电容器或电感器。所述隔离电容器或电感器将第一电压域中的所述初级集成电路AC耦合到第二电压域中的次级集成电路。所述隔离电容器或电感器使所述初级集成电路与所述次级集成电路裸片DC隔离。经由所述高额...

本发明揭示一种用于测试布置在条带上的多个半导体装置的方法，其可包含在框架(105)上形成半导体装置(104)阵列，其中邻近半导体装置的接触衬垫被短接；部分切割所述条带以电隔离在所述阵列中的个别半导体装置；将所述条带放置在经配置以耐受低温...

本发明涉及一种用于在裸片拾取过程中提供对准的方法，所述方法可包含：基于参考裸片对准半导体晶片；通过沿着跨越所述晶片延伸的线拾取若干个裸片来相对于所述参考裸片形成指示线；及使用参考线来监视拾取机器相对于所述晶片的位置。裸片附着机器可包含用...

高电压额定隔离电容器形成于初级集成电路裸片的一面上。所述隔离电容器将第一电压域中的初级集成电路AC耦合到第二电压域中的第二集成电路。所述隔离电容器将所述初级集成电路与第二集成电路裸片DC隔离。借助AC振荡器或PWM产生器通过所述高电压额...