一种干燥硅片用异丙醇干燥装置，适用于半导体材料生产技术领域。清洗后的硅片被机械吊臂吊放到干燥腔体的石英缸（1）底部，蒸气腔（4）产生异丙醇蒸气，通过管路输送到石英缸（1）内，经双层喷管（3）喷射出高度雾化的异丙醇蒸气，利用异丙醇低表面张...

一种单工位硅抛光片载体盘冷却清洗机，适用于单晶硅片抛光生产技术领域。本实用新型是在同一工位中同时采用了传导散热和喷淋降温两种冷却方式对装片后的载体盘进行冷却、淋洗，以此来完成抛光前的准备工序。操作人员只需将装片后的载体盘放置在冷却盘（3...

一种粗抛机中心轮，用于生产单晶硅抛光片的抛光机上。中心轮由外圈的定位页片（1）和内圈的支撑轴（2）组成，内圈支撑轴（2）采用一体式结构设计，抛弃了轴承、密封环的复杂设计方式，杜绝了漏油、漏锈的可能性。定位页片（1）和支撑轴底座（6）通过...

一种半导体硅片手动酸腐蚀装置，用于采用化学方法去除硅片表面在切片、磨片等机加过程中产生的损伤层和油污，获得洁净光亮、几何参数完善的腐蚀硅片。本装置的腐蚀槽（1）分隔成硅片腐蚀区（2）、热交换区（6）、循环区（9）、循环排气区（11）即相...

一种可拆卸式手动硅片上下料装置，用于单晶硅抛光片生产中卧式低压化学气相沉积炉上下料。本实用新型设计的硅片上下料装置，两个支撑三角架（1）固定在净化工作台支撑支架（12）上，两个支撑臂（3）与支撑三角架（1）固定连接在一起，支撑臂（3）可...

一种过滤器清洗器，用于清洗单晶硅生产过程中吸附在过滤器过滤网上的有毒物质。本实用新型所述的清洗器主要是由清洗筒（1）、上盖（2）、固定螺栓（3）、清洗管（4）、固定架（5）、出水孔（6）、托盘（7）、排水孔（8）、支架（9）、可调旋转电...

一种新型湿法卸片流水板，适用于单晶硅抛光片生产技术领域。本实用新型所述的流水板主要由进水底板（1）、出水板（2）构成；进水底板（1）上的底板水路（9）由四条竖向水路和两条横向水路组成，使带有一定水压的纯水快速、均衡充满底板水路（9）流入...

本实用新型所述的一种硅晶片表面晶格结构损伤处理用混酸供应装置，适用于半导体硅抛光片制造过程中损伤层的去除工艺。混酸供应装置主要由化学品供应柜（2）、储酸罐（8）、防漏池（9）、液位指示杆（5）、高液位传感器（6）、低液位传感器（7）、上...

本实用新型所述的一种分段式悬挂热屏，适用于直拉法硅单晶生产技术领域，特别是适用于电路级硅单晶的生产使用。所述的一种分段式悬挂热屏是由上热屏内层（1）和上热屏外层（2）组成的上热屏、由下热屏外层（5）和下热屏内层（6）组成的下热屏、钼挂钩...

一种全封闭自动清扫装置用过滤器，适用于直拉法硅单晶生产过程中所产生的SiO等挥发物的清扫。本实用新型所述的全封闭自动清扫装置用过滤器主要是由过滤罐（2）、不锈钢吹管（3）、过滤网（4）构成；过滤罐（2）为圆柱体结构，底部设计成倒锥形底面...

本实用新型公开了一种充气式气囊压头，主要用于单晶硅衬底片化学机械抛光前有蜡贴片生产技术领域。本实用新型充分利用密闭气体可以大小不变的向各个方向传递压强这一特点，设计出的充气式气囊压头对单晶硅衬底片表面的每一点都能施加相同的压力。在确保衬...

本实用新型公开了一种自重式加热器，主要是由加热片（1）、排气孔（2）、电极引脚（3）、锥形孔（4）、圆台（5）构成；加热器两个电极引脚（3）的底部设置有圆台（5），在两个圆台（5）底面圆心处设有锥形孔（4）用于与电极柱（6）连接，在对应...

本实用新型所述的一种一体型气相掺杂装置，是用于直拉法生产易挥发掺杂元素单晶硅生产过程中砷、磷等元素的掺杂，该掺杂装置主要由上部挂件（1）、中部空腔（2）、掺杂导管（5）、石英罩（7）构成；中部空腔（2）内设有一个掺杂导管（5），通过掺杂...

本实用新型公开的封闭式热系统用液相掺杂装置，用于直拉法生产易挥发掺杂元素单晶硅生产过程中易熔化元素掺杂。掺杂装置主要由上部挂件（1）、中部空腔（2）、石英罩（8）构成；上部挂件（1）与炉子上轴连接，可上下升降。中部空腔（2）内设置有一个...

本实用新型所述的一种精抛机导轮，主要用于生产单晶硅抛光片的抛光机上。导轮外壳（1）和导轮底座（2）均采用一体式结构设计，导轮外壳（1）不再有留存抛光液残留的缝隙，导轮外壳（1）与导轮底座（2）过盈配合组装，避免出现松动或相对移动产生摩擦...

本实用新型属于直拉法硅单晶生产技术领域，主要涉及一种组合式籽晶卡具。本实用新型公开的组合卡具主要是由挂件（1）、石墨卡头（2）和销子（3）构成。挂件（1）上设置有连杆（5）、中部腔体（6）和定位孔（7）；石墨卡头（2）上设置有籽晶安装孔...

本实用新型属于直拉法硅单晶生产技术领域，涉及一种泄压式石墨坩埚。泄压式石墨坩埚主要由石墨坩埚（1）、石墨托盘（6）、石墨保险销（2）构成。石墨坩埚（1）底部的外沿处和与石墨托盘（6）上外沿处的接触面为一个8°～15°的泄压面（3），石墨...