一体型气相掺杂装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术所述的一种一体型气相掺杂装置，是用于直拉法生产易挥发掺杂元素单晶硅生产过程中砷、磷等元素的掺杂，该掺杂装置主要由上部挂件（1）、中部空腔（2）、掺杂导管（5）、石英罩（7）构成；中部空腔（2）内设有一个掺杂导管（5），通过掺杂导管（5）将掺杂元素（4）装入中部空腔（2）内，中部空腔（2）的下端设有与掺杂导管（5）连在一起的石英罩（7）可起到保护硅熔体溅起破坏或污染热屏的作用，同时也可起到阻止掺杂元素（4）的蒸气被真空泵抽走的作用。使用本实用新型专利技术，增加了掺杂元素（4）与熔硅的接触时间，提高了掺杂效率，操作方便，安全性能好，克服了现有技术中气相掺杂效率低、掺杂装置易损坏的问题。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一体型气相掺杂装置，其特征是：所述的一体型气相掺杂装置主要是由上部挂件（1）、中部空腔（2）、掺杂导管（5）、石英罩（7）构成；其中上部挂件（1）设置在中部空腔（2）的上端与单晶炉上轴连接，掺杂导管（5）的上部设置在中部空腔（2）内，下部连接有石英罩（7）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：令狐铁兵，张明亮，高林育，仝泉，
申请(专利权)人：洛阳单晶硅有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：