本发明公开了一种半导体功率器件的硅片的背面制备方法，包括以下步骤：首先把完成前道工序的硅片研磨其背面至所需厚度，接着在半导体衬底刚完成磨薄工序后，还未注入任何掺杂剂前，便在硅片背表面溅射或沉积最小一层金属层，然后对硅片背表面以注入角度为...

本发明公开了一种制备沟槽半导体分立器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型1区，并在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；然后，在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀，在层间...

本发明公开了一种制造沟槽型半导体功率器件的方法，其包括以下步骤：首先，利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型和N型掺杂剂，分别形成P型基区和N型源区，并进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；然后，在外延层表面上形成层间介质，利用接触孔掩模，对层间介...

本发明公开了一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，再在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；并向沟槽顶部的侧壁注入N型掺杂剂，形成N型源区；然后，在外延层表面沉积层...

本发明公开了一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽，在外延层表面依次沉积二氧化硅层和多晶硅层，再利用多晶硅掩模形成多晶硅区作静电保护用，P型基区掺杂剂可...

本发明公开了一种沟槽半导体分立器件的制备方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；然后，在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀，在层间介质中形成开孔，然后注入P型和N型掺杂剂...

本发明公开了一种沟槽半导体功率器件的制备方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层作两次注入掺杂剂分别形成P型基区和N型源区，并在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；然后，在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质...

本发明公开了一种沟槽半导体功率分立器件的制备方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，并在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；然后，在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质进行侵蚀，在...