理想万里晖真空装备泰兴有限公司专利技术

理想万里晖真空装备泰兴有限公司共有30项专利

  • 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的PECVD设备及其预热腔。所述预热腔包括外腔以及设置在所述外腔之内的内腔,所述内腔包括分别设置在其顶部及底部的顶部加热模块及底部加热模块,还包括设置在顶部加热模块上的导热气体供应模块,所述导热气体供应...
  • 本发明提供一种点燃系统。所述点燃系统用于点燃等离子体处理设备反应腔中的反应气体,包括:串联连接的第一电阻及第二电阻,其与设置在反应腔中的上极板、下极板并联连接,并与匹配器串联连接;电压测量模块,其用于检测与地电性连接的第一电阻上的电压,...
  • 本实用新型提供用于进出料腔室的抽气结构。所述抽气结构包括在进出料腔室入口侧相连通的第一缓冲室以及第一组连接管、在出口侧相连通的第二缓冲室以及第二组连接管、以及对包括第一子腔、第二子腔以及排气腔的进出料腔室进行抽气的抽气泵,第一缓冲室在其...
  • 本实用新型提供载板传送结构以及PVD设备。所述载板传送结构包括用于传送载板的传送滚轮组,所述载板包括承载本体、分别设置在所述承载本体的底部两侧且用于与所述传送滚轮组相接触的第一凸块以及第二凸块,所述载板传送结构还包括与所述传送滚轮组并排...
  • 本实用新型提供一种用于减小变形量的门阀。所述门阀包括基板、设置在基板第一面上的阀体以及设置在基板第二面上的加强件,所述加强件包括固定在所述第二面上的第一侧以及与之垂直相连且离开所述第二面的第二侧,所述第二侧的宽度比第一侧的宽度大15
  • 本实用新型提供一种等离子体处理设备。所述等离子体处理设备包括射频电源模块,所述射频电源模块包括用于产生正弦波的正弦波发生器、用于产生脉冲波的脉冲发生器以及用于将所述正弦波与脉冲波叠加且输出的输出单元。本实用新型能在不降低金字塔绒面陷光效...
  • 本实用新型提供一种气体喷淋头以及等离子体处理装置。所述气体喷淋头包括气体分布板,所述气体分布板包括进气面、出气面以及延伸通过所述进气面及出气面的气体通道,所述气体分布板还包括:多个凹槽,其设置在所述出气面上,并且与所述多个气体通道间隔设...
  • 本实用新型提供一种太阳能电池成膜用托盘。所述托盘包括盘体,所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元,每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽,凹槽底面的中部设置有支撑凸块,所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。本实用新型可有效避免硅片边...
  • 本发明提供一种用于改善反应腔粉尘的预镀膜方法及所形成的预镀膜。所述方法首先将承载硅片用托盘传送至反应腔并进行第一沉积工艺,在托盘表面形成第一非晶硅层;然后在反应腔中进行第二沉积工艺,在第一非晶硅层上形成第二非晶硅层;最后在反应腔中进行第...
  • 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。该方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔;然后对第一本征、N型、第二本征、P型PECVD反应腔、第一、第二PVD腔同时抽真空;接着在第一本征PECVD反应腔...
  • 本发明提供用于制造异质结太阳能电池的镀膜方法以及镀膜设备。所述方法先将承载有经制绒硅片的托盘传送至第一本征PECVD反应腔;然后对第一本征PECVD反应腔、N型PECVD反应腔、第一PVD反应腔同时抽真空;接着依次在各腔中进行第一本征P...
  • 本发明提供异质结太阳能电池及其制造方法。所述异质结太阳能电池包括N型单晶硅片,所述N型单晶硅片的正面上依次形成有第一及第三本征非晶硅层、N型非晶硅层、第一透明导电膜以及第一电极,其反面上依次形成有第二及第四本征非晶硅层、P型非晶硅层、第...
  • 本实用新型公开了一种PECVD沉积腔支撑装置,包括:等离子体外壳;三通道气体流量计外壳,所述三通道气体流量计外壳设置在等离子体外壳的一端;真空泵外壳,所述真空泵外壳设置在三通道气体流量计外壳的一端;管式炉外壳,所述管式炉外壳设置在三通道...
  • 本实用新型公开了一种PECVD系统的限位装置,包括基座、连接板、驱动机构、卡紧机构和夹紧机构,连接板可固定安装在基座内腔的左右两侧,驱动机构装配在基座的一侧,卡紧机构装配在驱动机构的一侧,夹紧机构螺纹连接在连接板的外壁。该PECVD系统...
  • 本实用新型公开了一种平板式PECVD进气排布结构,包括,箱体、放置孔和连接块,所述箱体的左右两侧均开设有放置孔,所述箱体的内腔左右两侧均安装有连接块,移动机构,所述连接块的内腔安装有移动机构,传动机构,所述箱体的内腔顶端安装有传动机构,...
  • 本实用新型公开了一种PECVD尾气处理装置,包括收集构件,所述收集构件的右侧安装有进气管,所述收集构件的内部安装有除尘构件,所述除尘构件的左侧上下两端均安装有撑杆,所述撑杆的外壁套接有插管,所述插管之间安装有过滤装置。该PECVD尾气处...
  • 本实用新型公开了一种PECVD设备的炉门结构,包括:炉体;封闭结构,固定安置于炉体一端上方;辅助密封结构,分别固定安置于炉体一端下壁;还包括:支撑台,所述支撑台固定焊接于炉体下壁,且位于中心部位处,本实用新型涉及PECVD设备技术领域,...
  • 本实用新型公开了一种PECVD设备炉体支撑调节机构,包括:底座;一对结构相同的调节机构,其分别固定安置于底座上壁面,且分别位于底座前后两端相互对称;还包括:控制箱,所述控制箱固定安置于一对所述其中一个调节机构上,本实用新型涉及PECVD...
  • 本实用新型公开了一种平板式PECVD机台送气管路,包括管道、插管和环板,所述管道的内部插接有插管,所述插管的外壁套接有环板,所述环板的两侧均安装有连接构件,所述插管的外壁底端安装有夹紧机构,所述夹紧机构的底端安装有保温构件。该平板式PE...
  • 本实用新型公开了一种PECVD镀膜装置,包括镀膜室、加热板和排气管,所述镀膜室的内壁上下两端均固接有加热板,所述镀膜室的外壁左侧内部插接有排气管,所述镀膜室的底端安装有送气构件,所述镀膜室的内部底端安装有镀膜构件。该PECVD镀膜装置,...