太阳能电池成膜用托盘制造技术

本实用新型专利技术提供一种太阳能电池成膜用托盘。所述托盘包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽，凹槽底面的中部设置有支撑凸块，所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。本实用新型专利技术可有效避免硅片边缘绕镀，提高电池效率，简化托盘设计，降低托盘的成本。降低托盘的成本。降低托盘的成本。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池成膜用托盘


[0001]本技术涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及太阳能电池成膜用托盘。

技术介绍

[0002]薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，其结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。
[0003]为获得更高组件功率以降低单位成本，光伏企业纷纷发布规格或边长为18Xmm(例如180mm、182mm或188mm)以及210mm等大尺寸硅片(简称“大硅片”)，当采用大硅片制作异质结太阳能电池时，其核心制造工艺包括：利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺在表面织构化后的N型晶体硅的一面上沉积很薄的I型本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜，并在晶体硅的另一面沉积薄的I型本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，两面的非晶硅薄膜制作可同步进行也可分步进行；再利用物理气相沉积(PVD)工艺在电池的两面沉积透明氧化物导电(ITO)薄膜，然后在ITO薄膜上制作金属电极。
[0004]在硅片上沉积非晶硅薄膜或ITO薄膜时，会将硅片放置在托盘中进行。图1显示了太阳能电池成膜用托盘1，托盘1包括盘体10以及设置在盘体10上的多个用于放置硅片的凹槽单元12。图2以及图3显示了现有技术一中的托盘1的凹槽单元12的结构。如图2及图3所示，现有技术一中的凹槽单元12的凹槽12A的底面120A为平坦的，硅片W放置在凹槽12A中时，硅片W与底面120A相接触，硅片W表面绒面易被破坏、划伤。图4以及图5分别显示了现有技术二中的托盘1的凹槽单元12的结构。如图4及图5所示，现有技术二中的凹槽单元12的凹槽12B的底面120B为平坦的，凹槽12B的边缘设置有用于承载硅片W的台阶122B，硅片W的边缘放置在台阶122B上时，硅片W的中部悬空且略微下垂，边缘在重力作用下翘曲，此翘曲会导致在利用PECVD或PVD工艺成膜时产生绕镀，影响电池效率。
[0005]因此，如何提供一种太阳能电池成膜用托盘能避免硅片悬垂弯曲造成的边缘绕镀，已成为业内亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]针对现有技术的上述问题，本技术提出了一种太阳能电池成膜用托盘，包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽，凹槽底面的中部设置有支撑凸块，所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。
[0007]在一实施例中，所述凹槽底面除设置所述支撑凸块的区域之外为平坦实体结构。
[0008]在一实施例中，所述预定高度为0.12
‑
0.30毫米。
[0009]在一实施例中，所述支撑凸块的面积小于1平方毫米。
[0010]在一实施例中，所述凹槽适于容纳166mm
×
166mm、180mm
×
180mm、91mm
×
182mm、94mm
×
188mm、105mm
×
210mm、182mm
×
182mm、188mm
×
188mm或210mm
×
210mm尺寸的单晶硅
片。
[0011]在一实施例中，所述盘体的宽度范围为150cm
‑
200cm，长度范围为100cm
‑
200cm，厚度范围为0.3cm
‑
1cm。
[0012]在一实施例中，所述支撑凸块的设置位置与由硅片制成的太阳能电池的主栅线相对应。
[0013]在一实施例中，所述支撑凸块与所述盘体为一体成型，所述盘体及支撑凸块的材质相同并且均为石墨、铝、不锈钢、陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚。
[0014]在一实施例中，所述支撑凸块与所述盘体为分体结构，所述支撑凸块安置或涂敷在所述凹槽底面上，所述盘体的材质为石墨、铝、不锈钢、陶瓷、玻璃、聚酰亚胺或聚芳醚，所述支撑凸块的材质为陶瓷、特氟龙、铝或不锈钢。
[0015]在一实施例中，在硅片被置放在所述凹槽中时，所述硅片的中部由所述支撑凸块支撑，所述硅片的边缘与所述凹槽底面接触。
[0016]本技术的太阳能电池成膜用托盘的包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽，凹槽底面的中部设置有支撑凸块，所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。
[0017]本技术可有效避免硅片边缘绕镀，提高电池效率，简化托盘设计，降低托盘的成本。
附图说明
[0018]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本技术的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。
[0019]图1为太阳能电池成膜用托盘的组成结构示意图。
[0020]图2为现有技术一中太阳能电池成膜用托盘的凹槽单元的组成结构示意图。
[0021]图3为使用图2中凹槽单元的凹槽支撑硅片的结构示意图。
[0022]图4为现有技术二中太阳能电池成膜用托盘的凹槽单元的组成结构示意图。
[0023]图5为使用图4中凹槽单元的凹槽支撑硅片的结构示意图。
[0024]图6为本技术的太阳能电池成膜用托盘的凹槽单元的组成结构示意图。
[0025]图7为使用图6中凹槽单元的凹槽支撑硅片的结构示意图。
具体实施方案
[0026]以下结合附图和具体实施例对本技术作详细描述，以便更清楚理解本技术的目的、特点和优点。应理解的是，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本技术的保护范围进行任何限制。除非上下文明确地另外指明，否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。
[0027]以下将结合附图所示的具体实施例对本技术进行详细描述。值得说明的是，下文所记载的实施例并不限制本技术，本领域的普通技术人员根据这些实施例所做出的结构或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。
[0028]图6为本技术中的太阳能电池成膜用托盘的凹槽单元的组成结构示意图。参
见图1，太阳能电池成膜用托盘1包括盘体10，所述盘体10上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元12。图1中所述盘体10的宽度范围为150cm
‑
200cm，长度范围为100cm
‑
200cm，厚度范围为0.3cm
‑
1cm。
[0029]参见图6，本技术中每个凹槽单元12包括与硅片形状相匹配的凹槽12C，凹槽12C的底面120C中部设置有支撑凸块122C，所述支撑凸块122C高出凹槽底面120C预定高度。所述预定高度为0.12
‑
0.30毫米。所述支撑凸块122C的面积小于1平方毫米。所述凹槽底面120C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池成膜用托盘，包括盘体，所述盘体上设置有多个用于承载硅片的凹槽单元，其特征在于，每个凹槽单元包括与硅片形状相匹配的凹槽，凹槽底面的中部设置有支撑凸块，所述支撑凸块高出所述凹槽底面预定高度。2.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述凹槽底面除设置所述支撑凸块的区域之外为平坦实体结构。3.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述预定高度为0.12
‑
0.30毫米。4.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述支撑凸块的面积小于1平方毫米。5.根据权利要求1所述的太阳能电池成膜用托盘，其特征在于，所述凹槽适于容纳166mm
×
166mm、180mm
×
180mm、91mm
×
182mm、94mm
×
188mm、105mm
×
210mm、182mm
×
182mm、188mm
×
188mm或210mm
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【专利技术属性】
技术研发人员：马哲国，陈金元，汪训忠，
申请(专利权)人：理想万里晖真空装备泰兴有限公司，
类型：新型
国别省市：