本发明提出灵活时频栅格。包含CP以及随后的时间间隔的基线OFDM格式在时域中缩放以生成一组扩展OFDM帧格式。该组扩展OFDM帧格式进一步透过频宽缩放而扩展。OFDM帧格式以及扩展OFDM帧格式组在无线通信系统中根据通信环境的改变而动态...

网络控制装置包含无线通信模块以及控制器。无线通信模块使用优选发送波束以在对应优选发送波束的一个或者多个DL时机中，与通信装置进行通信。控制器在对应优选发送波束的至少一DL时机中调度要发送的信号或者数据。当调度信号或者数据要发送时，控制器...

本发明提出具有端到端UE‑BS信令改进的小区间协同及波束感知扫描方法以用于波束成形毫米波网络中的鲁棒性HO触发。从网络及基站角度，执行BS间控制波束协同，接收相邻小区信息广播以便利UE端的波束感知扫描。BS间CB协同致能网络规划、预设或...

本发明提供一种时钟产生器及其相关的时钟产生方法。时钟产生器包括：缓冲级电路，被配置为接收具有相同第一频率但不同相位的多个第一参考时钟；无源混频器，被配置为从缓冲级电路接收多个第一参考时钟，接收具有相同第二频率但不同相位的多个第二参考时钟...

本发明揭露一种处理工作负载的方法及其多处理器系统。其中，该处理工作负载的多处理器系统包含：第一处理器集合，包含第一组标准单元，并且工作在第一频率范围中；第二处理器集合，包含第二组标准单元，并且工作在第二频率范围中，其中，该第一处理器集合...

本发明揭露一种管理存储器功耗的方法及其系统。该存储器是易失性存储器并且该易失性存储器包含存储通道中的至少两个存储列的存储单元，该管理存储器功耗的方法包含：监测缓冲区中用于存取该易失性存储器中每个存储列的请求；以及一旦从该请求中检测出在超...

本发明提供当不同预编码器应用到叠加信号时，实施DL MUST的方法。对于DM‑RS传输模式，近端用户可以透过分离DM‑RS符号而估计远离用户的信道。对于CRS传输模式，近端用户可以盲检测码远离用户编码器，该远离用户编码器没有指示给该近端...

本发明提供多种解码装置与方法，用于对视频解码系统中的图像或视频解码装置。接收与当前块有关的输入数据以解析调色板预测游程，其中该当前块使用调色板模式进行编码。根据调色板预测游程，计算调色板预测表中复用色彩的位置。确定调色板预测表的尺寸，并...

本发明提出新颖有效的连接模式小区重选程序，以改进LTE系统中配置具有扩展连接模式非连续接收周期的用户装置的移动性能。提出用户装置在无线电资源控制连接模式中执行小区重选的用户装置中心移动机制。当需要初始化具有目标小区的信令，允许用户装置选...

本发明提供一种数据处理装置和数据处理装置方法。该数据处理装置包含：压缩器，接收输入多媒体数据并依据该输入多媒体数据产生输出多媒体数据；以及输出接口，将该输出多媒体数据封装成输出比特流并通过摄像头接口输出该输出比特流；其中该压缩器依据至少...

本发明提供一种数据处理装置及数据处理方法。该数据处理装置包含：压缩器，依据压缩算法，通过压缩多媒体数据来产生压缩的多媒体数据；输出接口，在输出比特流中记录指示信息，并通过摄像头接口输出该输出比特流，其中该输出比特流从该压缩的多媒体数据获...

本发明公开一种事件检测方法、具有事件检测机制的电子系统以及配件。事件检测方法，应用于具有至少一个事件检测模块的电子系统中，包括：(a)启用所述至少一个事件检测模块；以及(b)应用在步骤(a)中启用的所述事件检测模块，以检测在所述事件检测...

本发明提供一种分频装置和分频方法。该分频装置包括：多个锁存装置，被设置为根据输入时钟信号和第一复位信号，选择性产生具有第一振荡频率的输出信号或具有不同于第一振荡频率的第二振荡频率的输出信号；以及控制装置，被设置为根据编程输入信号来产生所...

本发明提供一种选择性运行应用内的计算方法的本地机器代码的方法及相关设备。该方法包含：基于该计算方法的可用统计分析数据，在该应用运行前，决定该计算方法的预测使用水平；根据该预测使用水平是否超过阈值的决定，选择该计算方法的可执行码来运行，其...

本发明提供一种音频同步方法及相关电子设备。音频同步方法包括：从第一记录设备接收第一音频信号；从第二记录设备接收第二音频信号；对第一音频信号和第二音频信号执行相关运算以对准第一音频信号的第一样式和第二音频信号的第一样式；在第一音频信号和第...

数据处理装置，具有压缩器以及输出接口。压缩器根据压缩算法压缩显示数据以产生压缩显示数据。输出接口用于记录第一指示信息于第一输出比特流中，记录第二指示信息于第二输出比特流中，并通过显示接口输出第一输出比特流与第二输出比特流，第一指示信息针...

本发明实施例提供了一种半导体器件，能够高电压工作。其中该半导体器件包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中并且具有该第二导电类型；第二掺杂区，形成于该...

本发明实施例提供了一种半导体器件，能够高电压工作。其包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一阱掺杂区，形成于该半导体基底中，并且具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；第一掺杂区，形成于该第一阱掺杂区中，并且具有该第二导电类型；第二掺杂...

本发明实施例提供了一种能够高压操作的半导体器件及其形成方法。其中该半导体器件包括：半导体基底，具有第一导电类型；第一井区，形成于该半导体基底中并且具有第二导电类型，该第二导电类型相反于该第一导电类型；第二井区，形成于该第一井区中并且具有...

本发明实施例提供了一种晶圆级芯片尺寸封装及其形成方法。其中该封装包括：半导体结构；接合垫，形成于该半导体结构上并且包括：多个导电片段；导电元件，形成于该半导体结构上，并且与该接合垫相邻；钝化层，形成于该半导体结构、该接合垫及该导电元件上...