本发明描述了一种通过如下操作生产半导体基底的方法：利用sp3碳同素异形体（例如金刚石或类金刚石碳）的主体，并且用电子供体离子处理所述主体，以形成n型半导体5基底。供体离子的离子半径比sp3碳同素异形体的原子离子半径大或小15%以内。本发...