一种用于控制工件上的空间温度的方法，其包含：提供保持在恒定温度的基底，所述恒定温度低于所述工件的温度，所述基底具有安装于所述基底顶部上的热绝缘材料层；固持所述工件使其抵靠具有多个空间区的平面支撑件的顶面，所述平面支撑件安装于所述热绝缘材...

本发明揭示一种半导体双镶嵌蚀刻制作过程，利用一具有约束等离子体功能的蚀刻反应室，将半导体双镶嵌蚀刻制作过程中，原本于不同反应室中进行的介电层蚀刻、去光阻、去除阻挡层等几个步骤，于该约束等离子体反应室中连续完成。该约束等离子体反应室包含环...

一种用于半导体制造设备的中央控制器，其中集成了多个控制器，具有开放式结构以在不同的控制环路间进行实时通信。该中央控制器中包括至少一个中央处理单元，用来执行高级输入输出（Ｉ／Ｏ）和控制算法，以及至少一个集成的输入输出控制器，其提供与传感器...

本发明提供一种在绝缘层内形成沟槽的方法，包括：首先，在绝缘层内刻蚀通孔。在刻蚀通孔之后，用有机栓塞填充一部分通孔。在从通孔刻蚀所希望量的有机栓塞之后，利用第一气体混合物将沟槽刻蚀到第一深度，并用第二气体混合物进一步刻蚀沟槽到最后所希望的...

本发明揭示一种用于蚀刻晶圆的蚀刻处理器，其包括用于固定该晶圆的夹盘，及用于报告该晶圆的温度的一温度传感器。夹盘包括由一温度控制系统所控制的一加热器。温度传感器有效耦合至该温度控制系统，以使该夹盘的温度维持在可选择的设定点温度。选择第一设...

本发明涉及一种在介电层中蚀刻开口的方法，该方法包括：将一半导体基板支撑于等离子蚀刻反应器中，该基板具有一介电层及位于该介电层之上的图案化光致抗蚀剂及／或硬质掩模层；向等离子蚀刻反应器供应蚀刻剂气体，该蚀刻剂气体包括（ａ）一种碳氟化合物气...

一种在介电层中蚀刻开口的方法，包括：将半导体基板支撑于等离子蚀刻反应器中，该基板具有介电层及位于该介电层上的图案化光致抗蚀剂层及／或硬质掩模；向等离子蚀刻反应器供应蚀刻剂气体，其包括（ａ）碳氟化合物气体（Ｃ↓［ｘ］Ｆ↓［ｙ］Ｈ↓［ｚ］，...

一种用于等离子处理器的夹盘包含温度控制基底、热绝缘体、平面支撑件和加热器。在操作中将所述温度控制基底的温度控制为低于工件的所要温度。所述热绝缘体安置于所述温度控制基底的至少一部分上方。所述平面支撑件固持工件且安置于所述热绝缘体上方。加热...

本发明涉及一种经改进的上电极系统，其具有一多部分电极，其中可独立于电极的外周边部分（１１４）来替换具有高磨损的电极的中心部分（１１０）。上电极可用于诸如通过蚀刻或ＣＶＤ来处理半导体基板的等离子处理系统中。多部分上电极尤其适用于大尺寸晶圆...

本发明涉及一种包含热喷涂含氧化钇涂层的半导体处理设备的组件，所述涂层在等离子体大气中提供抗侵蚀、腐蚀和／或腐蚀－侵蚀性。所述涂层可以保护基板以免受到物理和／或化学破坏。

本发明揭示一种测试一包括一腔室、一射频功率源以及一匹配网络的等离子处理系统的方法。从所述射频功率源向所述腔室生成一射频功率信号，但不触发所述腔室内的任何等离子。在影响所述腔室的其它参数均保持恒定的情况下，对所述腔室收到的所述射频功率信号...

本发明揭示一种等离子体处理反应器（２００），其包括一腔（２０２）及一衬底支撑件（２１６）。所述腔包括一贯穿所述腔的一侧壁的开口。所述衬底支撑件以可移开方式安装于所述腔内。所述腔的开口大到足以使所述衬底支撑件能够通过所述开口从所述腔中移除...

测试一具有一接地腔室及一连接至一底部电极的ＲＦ电源馈线的等离子体处理系统。在大气中测量所述底部电极与所述接地腔室之间的一第一电容。将消耗性硬件部件安装到所述腔室中。在所述接地腔室包含所安装的所有消耗性硬件部件情况下在真空下测量所述底部电...