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昆明物理研究所专利技术
昆明物理研究所共有410项专利
一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法技术
本发明涉及一种宽波段多光谱铟镓砷探测器的制备方法,属于铟镓砷探测器技术领域。所述方法通过InP缓冲层、InAs<subgt;y</subgt;P<subgt;1‑y</subgt;过渡层、In<subgt;...
快速启动的红外探测器制造技术
本发明快速启动红外探测器包括:杜瓦窗口、冷屏、红外芯片、装载基板、底板、杜瓦主体、杜瓦冷指、杜瓦内管座、节流制冷器安装座、节流制冷器底座、肋片管和滤光片,杜瓦内管座固定在节流制冷器安装座上,杜瓦主体下端固定在杜瓦内管座上,杜瓦窗口下端固...
一种避免像素间横向串扰的硅基OLED微型显示器结构制造技术
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种避免像素间横向串扰的硅基OLED微型显示器结构,其中电荷产生层由下至上依次由N型电荷产生层、中间层和P型电荷产生层组成,中间层包括若干岛状区和空白区,所述岛状区自由分布于空白区内。通过在电荷产生层中引...
一种减少原子沉积腔室颗粒的方法技术
本发明涉及原子沉积技术,特别是一种减少原子沉积腔室颗粒的方法,基于现有的原子沉积腔室结构,其特征在于所述腔室采用6061铝合金,通过对腔室进行喷砂处理、超声清洗和对腔室进行表面氧化处理,在腔室内表面生成一层氧化铝膜层,获得的腔室不容易脱...
一种应用于非制冷红外探测器的氧化钒刻蚀方法技术
本发明公开了一种非制冷红外探测器的氧化钒刻蚀方法,该方法包括:1)提供衬底,在衬底表面形成氧化钒薄膜和氮化硅薄膜;2)在氧化钒薄膜和氮化硅薄膜上形成图形化的光刻胶;3)刻蚀氮化硅薄膜,深度为1/3~2/3;4)去除光刻胶;5)采用氮化硅...
基于ODT辅助合成制备HgTe量子点的方法技术
本发明涉及一种胶体量子点制造技术领域,具体为一种基于ODT辅助合成制备HgTe量子点的方法,取油胺加入单口瓶中,再向瓶中依次加入HgCl<subgt;2</subgt;以及ODT,然后加入TOP‑Te溶液,最后再溶液中注入四...
金掺杂硫化铅胶体量子点光电探测器的暗电流抑制方法技术
金掺杂硫化铅胶体量子点光电探测器的暗电流抑制方法,涉及量子点技术。本发明的方法在石英衬底上通过磁控溅射生长金电极作为器件的底电极。在金电极上旋涂Au NP掺杂的硫化铅量子点溶液,再在量子点薄膜上方覆盖EDT溶液进行配体交换,配体交换后将...
一种高质量HgTe胶体量子点油墨及薄膜的制备方法技术
本发明属于量子点技术领域,具体公开一种高质量HgTe胶体量子点油墨及薄膜的制备方法,包括以下步骤:取HgTe胶体溶液;配体溶液制备:每5 mL的DMF溶液里中加入5 mg的DDAB、30 mg HgBr<subgt;2</s...
基于真空蒸镀设备的OLED显示器阴极及其制作方法技术
本发明涉及的是OLED显示器发光结构的制作技术,具体涉及基于真空蒸镀设备的OLED显示器阴极,应用于顶发射结构的OLED显示器上,其特征在于阴极材料采用聚乙烯二氧噻吩,其制作方法为用氯仿和醋酸的混合溶剂溶解3,4‑乙烯二氧噻吩,然后加入...
Ag2Se胶体量子点的粒径及掺杂调控方法技术
一种高质量Ag<subgt;2</subgt;Se胶体量子点(CQDs)的粒径及掺杂调控方法,涉及量子点控制技术,本发明将含有Ag源的AgNO<subgt;3</subgt;和Se源的TOP‑Se前驱体溶液,注射...
红外热像非均匀性校正参数及盲元表备份及远程恢复方法技术
本发明涉及一种红外热像非均匀性校正参数及盲元表备份及远程恢复方法,属于红外热像非均匀性校正参数及盲元表固化技术领域。本发明通过串口将红外热像原本固化在成像电路存储介质FLASH中的所有非均匀性校正参数组及盲元表导出到本地PC端进行备份,...
激子峰波长为2.0微米的PbS量子点墨水及薄膜的制备方法技术
本发明涉及一种胶体量子点墨水及薄膜制造技术领域。具体为一种激子峰波长为2.0微米的PbS量子点墨水及薄膜的制备方法,所述PbS量子点墨水由PbS量子点粉末溶于N,N‑二甲基甲酰胺、正丁胺、正己胺、吡啶混合溶液制备得到;再取PbS量子点墨...
一种碲锌镉晶片面形控制方法技术
本发明公开了一种碲锌镉晶片面形控制方法,该方法首先需确定实际工艺条件下碲锌镉晶片损伤层厚度和面形随磨抛工艺过程中的普适变化情况;结合分析结果,在每次碲锌镉晶片表面处理前,通过化学腐蚀的方法去除碲锌镉晶片双面的损伤层;同时在化学抛光前测量...
表面多层复合镀层材料增强导热的制冷型红外探测器用杜瓦镍基薄壁冷屏及其制备方法技术
本发明涉及表面多层复合镀层材料增强导热的制冷型红外探测器用杜瓦镍基薄壁冷屏及其制备方法,属于制冷型红外探测器技术领域。该方法将内表面已发黑处理的镍基薄壁冷屏装入电子束蒸发镀膜夹具中;对电子束蒸发镀膜设备抽高真空;待电子束蒸发镀膜设备真空...
一种Ⅲ-Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法技术
本发明提供一种Ⅲ‑Ⅴ族单晶的切割损伤深度测试方法,其特征在于包括以下步骤:S1,晶片表面清洁,S2,晶片初始厚度测量,S3,贴保护膜,S4,分步腐蚀得到阶梯台面,S5,择优腐蚀液使切割损伤显现,S6,对晶片台阶表面进行观察和测试,S7,...
一种带电磁弹簧的线性压缩机制造技术
本发明提供一种带电磁弹簧的线性压缩机,包括主机体,设于主机体内的由压缩活塞和永磁体构成的压缩振子部件,以及由套设在缸套外壁上的内软磁,和固定在主机体上的线圈架及其内的线圈构成的定子部件,其特征在于主机体内设有电磁弹簧,该电磁弹簧包括设于...
一种用于APD红外探测器读出电路的ESD防护结构制造技术
本发明公开了一种用于APD红外探测器读出电路的ESD防护结构,该ESD防护结构包括P型衬底;衬底中形成的N掺杂阱,构成PMOS的体端;阱形成的两个P掺杂有源区,构成PMOS的源端和漏端;PMOS的栅端通过电阻与源端及体端相连。该ESD防...
一种延时自调式节流制冷器及其方法技术
本发明提供一种延时自调式节流制冷器及其方法,制冷用杜瓦,以及设于制冷用杜瓦内的延时阀,其特征在于所述延时阀包括阀体,并在制冷用杜瓦与阀体之间设冷却腔,阀体内设有空腔,空腔内设有其上带延时复位机构的移动阀芯,该移动阀芯将空腔分隔为可连通或...
一种探测器制冷组件散热装置制造方法及图纸
本技术提供一种探测器制冷组件散热装置,包括基座,其特征在于基座顶面通过转接板与探测器制冷组件相连接,基座上设有敞口向上的第一凹槽,第一凹槽底部两端分别设有通孔,转接板与基座顶面相接的底面设有敞口向下的第二凹槽,第二凹槽与第一凹槽相互配接...
一种线性压缩机间隙密封耦合缝式气体轴承制造技术
本技术提供一种线性压缩机间隙密封耦合缝式气体轴承,包括其内设空腔的缸体,活动设于缸体空腔内的活塞,通过活塞将空腔分为压缩腔和背压腔,活塞内设有高压腔,该高压腔通过单向阀与压缩腔连通,在活塞外壁与缸体空腔壁之间设有间隙,其特征在于:活塞中...
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