昆明物理研究所专利技术

昆明物理研究所共有410项专利

  • 本发明涉及光电探测技术领域,具体涉及一种两步液相交换法制备的大尺寸胶体量子点红外焦平面探测器,所述探测器包括硅基电路衬底,金属底电极,电子阻挡层,活性层,保护层,空穴阻挡层和顶电极层,所述电子阻挡层为乙二硫醇(EDT)包覆的PbS胶体量...
  • NiO/MgO/n‑Si异质结紫外探测器及其制备方法,属于紫外探测器领域,该探测器从下至上依次是阴极层、n‑Si、MgO薄膜、NiO薄膜及阳极层,阴极层为Al电极,阳极层为Au。选择电阻率为1‑3Ω·cm的N型<100>双面...
  • 本发明涉及光电探测技术领域,具体公开一种宽带级联型胶体量子点阵列光电探测器,所述光电探测器在衬底上由各功能层构成,包括硅基读出电路,金属电极,光敏层,保护层,电子传输层和氧化铟锡(ITO)透明导电级,其所述光敏层为级联PbS胶体量子点光...
  • 本发明公开一种确定长波碲镉汞器件倒装互连压强阈值的方法,包括:把材料切割成大小相同的实验片,在不同压力下与读出电路进行倒装互连,焊接完成后利用超声分开,然后利用Chen腐蚀液对材料进行腐蚀,观察位错腐蚀坑,测量每个实验片的EPD(位错腐...
  • 本发明涉及光电探测技术领域,公开了一种ZnO纳米晶保护的光伏型Ag<subgt;2</subgt;Se胶体量子点光电探测器制备方法,具体的,基于ZnO‑NCs保护的光伏型Ag<subgt;2</subgt;Se ...
  • 本发明公开了一种改善的碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用,制备方法包括:基于碲锌镉衬底的液相外延碲镉汞材料,对其表面采用溴甲醇湿法腐蚀处理,再用乳酸水溶液浸泡去除表面氧化物,然后在腐蚀后的碲镉汞表面沉积生长碲化镉和硫化锌钝化层,最后将...
  • 本发明公开了一种空穴势垒能带渐变的长波红外探测器二类超晶格材料,包括GaSb衬、GaSb缓冲层、p型电极接触层、电子势垒层、二类超晶格吸收层、第一层空穴势垒层、第二层空穴势垒层、第三层空穴势垒层、n型电极接触层和n型InAs盖层;第一层...
  • 本发明公开了一种碲镉汞APD钝化层、制备方法及其应用,包括:基于碲锌镉衬底的液相外延碲镉汞材料,对其采用溴甲醇溶液和乳酸水溶液进行湿化学腐蚀,随后在表面上沉积生长碲化镉钝化层,再进行闭管饱和汞压热退火在碲镉汞外延材料表面形成高组分过渡层...
  • 本发明提供一种中波宽波段高分辨连续变焦多光谱光学系统,包括物镜组和滤光轮,其特征在于所述物镜组包括沿光线传播方向依次设置的:由第一弯月形正透镜构成的前固定组;由第一弯月形负透镜、第一双凸正透镜和双凹负透镜组成的变倍组;由第二弯月形负透镜...
  • 本技术公开了一种分子束外延汞束源炉金属坩埚,所述坩埚在分子束外延束源炉中用于加热汞使用,该坩埚内壁设置有保护层,该保护层是利用CVD在坩埚内壁形成的裂解石墨、裂解氮化硼、石墨烯、碳纳米管或碳化硅纳米材料形成的高热导层。本技术的坩埚能够大...
  • 本技术公开了一种分子束外延设备上防止光学窗口污染的装置,该装置包括带有电加热玻璃和支撑架;所述电加热玻璃朝下的一面设置有导电薄膜,导电膜的电极处连接有供电线;所述装置通过支撑架固定在腔室观察窗位置,支撑架的圆框正好放入电加热玻璃;所述电...
  • 本技术公开了一种减少分子束外延束源炉炉口污染的装置,该装置包括带有加热功能的隔板以及隔板支架;所述隔板表面进行平滑度处理,用于降低隔板表面沉积;所述隔板支架与液氮冷阱不接触或利用隔热材料进行隔热。该装置在束源炉使用过程中,通过给加热板使...
  • 本技术公开了一种分子束外延衬底加热辅助装置,该衬底加热辅助装置(92)安装在分子束外延设备衬底加热部分多层圆筒状屏蔽罩内部;该装置包括在多层圆筒状屏蔽罩(91)内设置的衬底加热辅助装置内套(921)以及位于多层圆筒状屏蔽罩(91)与衬底...
  • 本发明公开了一种III‑V族分子束外延系统的钼盘清洗方法,该方法针对根据III‑V族分子束外延系统中表面覆盖含In、Al、Ga、As、Sb化合物钼盘的清洗,通过H<subgt;2</subgt;O<subgt;2<...
  • 本发明公开一种高质量Ag<subgt;2</subgt;Se胶体量子点(CQDs)油墨及薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1,将Ag<subgt;2</subgt;Se CQDs溶液与配体溶液混合震荡后离心得到离心...
  • 本发明提供一种图像直方图统计方法和系统,涉及图像处理技术领域,该系统包括设置模块、判断模块和遍历模块;在不引入跨时钟问题、不出现读写地址冲突问题和不增加资源消耗的情况下实现图像直方图统计,在实际应用中时序约束比四倍时钟的时序约束稳定。
  • 本发明公开了一种用于超晶格能带计算的非均匀网格有限差分法,包括:(1)沿二类超晶格生长方向将单个周期厚度内的超晶格非均匀地离散为N层,形成N个节点;(2)将薛定谔方程中的哈密顿量按照k<subgt;z</subgt;的阶数展...
  • 本发明涉及一种基于FPGA的四倍频图像直方图统计方法和系统,属于图像处理技术领域,该方法包括:创建一个Simple Dual Port RAM,长度根据图像大小自行设置;采样视频\图像像素灰度数据,得到四倍时钟下的统计数据;当统计数据有...
  • 本发明提供一种集成式微透镜红外探测器及其制作方法,该方法包括:将红外光敏芯片与读出电路通过铟柱倒装互联;在读出电路上表面上未被所述红外光敏芯片覆盖的非光敏区沉积预定材料,形成厚度大于铟柱高度与光敏面厚度之和的支撑层;从上侧同时减薄支撑层...
  • 本技术涉及一种真空腔体用可调方向拨叉装置,由角度调整及伸缩部分、支撑及伸缩控制部分、拨叉杆部分及外部旋转强磁套等部分组成;通过角度调整及伸缩部分可实现拨叉方向调整,通过支撑及伸缩控制部分可实现拨叉杆的前后伸缩,通过外部旋转强磁套部分可控...