一种半导体栅结构，包括一个屏蔽电极和一个开关电极。屏蔽电极的各个部分位于所述漏区和所述阱区之上。第一电介质层位于屏蔽电极和漏区以及阱区之间。开关电极的各个部分位于所述阱区和所述源区之上。第二电介质层位于开关电极和阱区以及源区之间。第三电...

一种形成在半导体晶片上的高值多晶硅电阻器，该高值电阻器包括：　　　　至少一个氧化物层，　　　　制作在所述至少一个氧化物层上的第一多晶硅层，所述第一多晶硅层具有露出至少一个氧化物层的图案化且被腐蚀的开口，该被腐蚀的开口的外围限定了垂直边缘...

本发明通过向沟槽底部注入掺杂剂，将低压沟槽ＭＯＳＦＥＴ器件中的漂移区合并在一起，从而允许采用非常小的单元间距，从而实现非常高的沟道密度和均匀掺杂的沟道，并最终极大地降低沟道的电阻。通过选择适当的掺杂剂量和漂移区的退火参数，器件的沟道长度...

本发明公开了一种保护性ＳＣＲ集成电路装置，其建立在邻接的Ｎ阱和Ｐ阱上且限定了阳极和阴极。除阳极和阴极的接触结构之外，该装置具有桥接于该Ｎ阱和该Ｐ阱的ｎ型叠层（Ｎ＋／ＥＳＤ）结构，以及在该Ｐ阱中的ｐ型叠层（Ｐ＋／ＰＬＤＤ）结构。ｎ型叠层结...

本发明描述了用于在电流模式电路中接收差分电流的系统和方法。当出现接收器输入是浮动的、未驱动的、被短接在一起或者一个或两个输入被短接到地的情况时，系统的输出保持稳定。二极管连接的ＭＯＳ晶体管接收不相等的电流，并且电流镜像放大所接收的电流。...

一种用于产生预定水平偏置电流的集成电路偏置网络。一个晶体管产生对应于施加给所述场效应晶体管的预定输入栅－源电压的一定水平的偏置电流。提供了一个控制电路。控制电路连接到场效应晶体管并提供通过控制电流路径的电流以产生场效应晶体管输入电压。一...

一种向电压参考电源线（Ｖｒｅｆ）提供附加电流的电流提升电路。当负载（Ｃａ，Ｃｂ）要求的电流过多从而导致电压参考电源线（Ｖｒｅｆ）有压降时，该压降被检测，于是开关（Ｐ１，Ｐ２）起作用，向电压参考线（Ｖｒｅｆ）提供附加电流。一个增益级（ＧＡ...