利用印刷掩模和刮板，在硅衬底上形成树脂密封膜。刮板端梢部分的侧面基本上为Ｖ形，通过将刮板的端梢部分推到相邻凸电极间的间隙中进行印刷。结果，密封膜形成为在相邻凸电极间凹下，从而有助于凸电极的摆动运动。由此可知，在硅衬底安装到电路基片上后进...

一种半导体装置，包括：一半导体基片；在该半导体基片上形成的多个凸缘电极；及在相邻的凸缘电极之间的所述的半导体基片上形成的一密封膜，所述密封膜的一预定特性在其厚度方向上不同以使接近于该半导体基片的一部分中的该密封膜的特性比远离于该半导体基...

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，其中，若把半导体芯片在薄膜基片上进行键合时的键合条件设定为某一定条件，则薄膜基片的第１连接端子和半导体芯片的凸出电极相结合的部分的下面的粘合剂被吸出到周围，在粘合层上形成开口部。并且，在第１连接端子...

通过网板印刷法形成密封膜。通过配置在印刷台内的一平面加热器，印刷台的温度被设置在约３０至５０℃。具有约５００，０００至１，５００，０００ｃＰＳ的相对高的粘滞性的液体密封树脂被用于形成密封膜。然而，该液体密封膜通过印刷台被加热到约３０至５...

当树脂膜片成型区域的长度ＬＤ等于基胶片上扣齿孔间距的３倍时，树脂涂敷过程将由６个喷嘴执行，当树脂膜片成型区域的长度ＬＤ等于基胶片上扣齿孔间距的６倍时，树脂涂敷过程将由３个喷嘴执行。其结果是，基胶片在单个树脂涂敷过程中被输送的距离等于扣齿...

光电传感器阵列包括：在预定方向上彼此分开的多个光电转换元件，后者包括：具有入射有源区的半导体层，激励光入射到其上；分别在半导体层两端面上提供的源极和漏极；通过第一栅绝缘膜在半导体层之下提供的第一栅极。第二栅极经第二栅绝缘膜在半导体层之上...

由于光传感器阵列被设置有一或多个半导体层，所述半导体层具有用于通过入射激发光二生成载流子的载流子生成区，这些载流子生成区的位置可被任意地设定以使均衡入射光在两维方向上行进的平衡，实现了带有较少失真的感知。

一个切割胶带（１１）被粘到具有柱形电极（６）的硅片（１）的下表面上。沿着切割轨道切割硅片（１），由此在晶片（１）的芯片形成区域之间开槽（１２）。然后，形成密封膜（１３）。基本上沿着槽（１２）的中线切割密封膜（１３）。一个支撑胶带（１４）...

本发明提供一种２维图像读取装置，其可以将放置在光电传感器装置上的被检测体所带的静电进行放电，由此大幅控制读取误动作和设备的损坏。其用于读取被检测体图像的，其包括：排列在衬底一侧的多个传感器；设置成覆盖上述多个传感器的绝缘膜；及为给上述被...

本发明的半导体器件包括：半导体衬底（１１）；多个凸点电极（１６），形成在所述半导体衬底（１１）上；以及密封膜（２１），形成在所述凸点电极（１６）间的所述半导体衬底（１１）上，具有处于比所述凸点电极（１６）的上表面高的位置的上表面、和露出...

一种半导体器件，包括：半导体基衬（１），其上形成电路元件形成区和多个连接盘（２，２Ａ，２Ｂ）；第一柱状电极（６），形成于第一连接盘（２）上以便电连接到第一连接盘；第一导电层（５－１），形成于所述第二连接盘（２Ａ）上以便电连接到第二连接盘...

对于在薄膜晶体管衬底的内表面一侧设有反射层的半透射反射型的液晶显示装置，没有增加制造工序。在薄膜晶体管衬底１的上表面的各个一定的位置，同时形成由铝系列金属形成的栅电极（８）、辅助电容线（６）和反射层（７）。在反射层（７）上，通过栅绝缘膜...

一种半导体器件，其特征在于，具有： 半导体构成体（３、４１），其包含具有集成电路部的半导体衬底（４）、及与上述集成电路部连接的多个连接焊盘（５）； 多个再布线（１３、１０），在上述半导体构成体（３、４１）上形成，分别与上述连...

一种钟表装置，其特征在于： 在壳体内部具备文字板和钟表模块的钟表装置中，在所述文字板上设置成为所述钟表模块的驱动电源的球形半导体元件。

一种半导体装置，其特征在于，具有：在一面有多个连接垫的半导体基片；绝缘膜，它在所述半导体基片的一面上形成，具有对应所述各连接垫的开口部分、上表面、以及在厚度方向上在从所述上面下沉的位置具有底面的凹部；和在所述绝缘膜的上面或者所述凹部的底...

一种半导体器件，其特征在于，具备：　　　　半导体构成体（３），在上表面具有多个外部连接部（１１、５）；　　　　绝缘构件（１３），设置在上述半导体构成体（３）的侧方，由含有加固材料的树脂构成；　　　　绝缘膜（１４、８），设置在上述半导体构...

一种显示装置，包含有：　　　　基片、　　　　设置在所述基片上的第一电极和第二电极、以及　　　　光学材料层，置于所述第一电极和第二电极之间，并按照图版表面的浸润性不同的图形，使附着在所述表面的规定位置的光学材料含有液的液滴接触所述基片侧转...

本发明提供一种半导体薄膜的制造方法。将非晶硅薄膜的膜厚设定为通过内部的光干涉使激光束的吸收率大致达到峰值的膜厚如６２ｎｍ，比较试样的非晶薄膜的膜厚设定为４５ｎｍ，如果照射将Ｎｄ∶ＹＬＦ激光束变换成２次高次谐波的Ｎｄ∶ＹＬＦ／ＳＧＨ（脉冲...

本发明提供一种液晶显示装置，在与纸面垂直的方向上，通过在像素电极（５）和数据线（３）之间配置辅助电容线（６），能防止在像素电极（５）和数据线（３）之间产生耦合电容。在此情况下，辅助电容线（６）与数据线（３）相平行地配置在数据线（３）的整...

一种半导体器件，它包括半导体结构部件（２３），它具有一块半导体基片（２４），这块基片有第一表面和第二表面，并具有在第一表面上形成的集成电路元件、多个连接在集成电路元件上的连接条带（２５）、覆盖半导体基片并具有用于暴露上述连接条带（２５）...