一种干燥陶瓷制品的方法，包括提供来自微波发生源的微波辐射，提供具有中间部分和至少一端的陶瓷蜂窝结构，和使陶瓷蜂窝结构暴露于微波辐射，同时屏蔽至少一端，以避免直接接受微波辐射，从而使中间部分吸收的辐射等于或高于至少一端吸收的辐射，因此确保...

提供了一种半导体激光器（１０），它包括半导体基板（２０）、活性区域（３０）、脊形波导（４０）、驱动电极结构（５０，５２，５４）和微型加热元件结构（６１，６４）。微型加热元件结构包括一对加热元件条带（６２，６４），这些条带沿着半导体激光器...

公开一种光纤，该光纤具有基于二氧化硅的芯体，所述芯体包含选自下组的碱金属氧化物：Ｋ↓［２］Ｏ、Ｎａ↓［２］Ｏ、ＬｉＯ↓［２］、Ｒｂ↓［２］Ｏ、Ｃｓ↓［２］Ｏ以及它们的混合物，所述芯体中碱金属氧化物的平均浓度约为５０－５００重量ｐｐｍ，所...

一种形成窄孔分布的多孔陶瓷制品的方法，该方法包括：在烧制环境中加热含形成陶瓷原料的生坯体，将烧制环境的温度升高至峰值温度，然后降低温度至保持温度，以形成多孔陶瓷。

揭示用于形成多孔陶瓷制品的陶瓷批料组合物。形成陶瓷的前体批料组合物包含形成陶瓷的无机批料组分和可回收的成孔剂如环十二烷。还揭示用于制造多孔陶瓷制品的方法。

本发明提供了对玻璃板进行刻划的系统和方法。可产生这样一种激光束，沿着其至少一部分长度，它具有基本上均匀的峰值能量密度。所述激光束沿玻璃板移动，产生刻划线。此外，玻璃板可沿刻划线分离。在一些方面，所述激光束是双模激光束，包含约６０％－７０...

一种用来制造陶瓷蜂窝结构体的方法，该方法包括：以一定的方式将至少一个第一类的生坯蜂窝结构体和至少一个第二类的生坯蜂窝结构体输送通过窑，由此减少烧制得到的制品内的裂纹或裂缝。

一种光纤，包括：（ｉ）纤芯；（ｉｉ）包围该纤芯的包层，（ｉｉｉ）毗邻该纤芯且位于该包层内的至少一个应力构件，该应力构件包括用Ｂ和Ｆ共同掺杂的二氧化硅。

本发明公开了用于陶瓷壁流过滤器的堵塞混合物，其包含钛酸铝前体反应性批料组合物，该组合物包含氧化铝源、氧化硅源和氧化钛源；烧结助剂；有机粘结剂；液体载剂。本发明也公开了包含由本发明的堵塞混合物形成的端部堵塞物的陶瓷壁流过滤器以及该过滤器的...

对熔融玻璃递送系统进行改进，使该系统与溢流下拉工艺相匹配。将澄清器不能去除的显著量的缺陷转移到玻璃板的不能用的进口和远边。在一个实施方式中，将搅拌装置从澄清器的出口再定位至进口。在另一个实施方式中，澄清器的基本形状优选从圆柱形变为双尖端...

本发明公开了保护玻璃的方法。所述方法包括在玻璃的至少一个表面上施涂涂层组合物，其中，所述涂层组合物包括碱溶性聚合物、挥发性碱、表面活性剂和水。涂层中可包含聚合物微珠来防止相邻玻璃制品，特别是玻璃板的阻隔。有利地，所述微珠也能保护玻璃板不...

一种熔凝氧化硅制品，其中羟基（ＯＨ）和氘氧基（ＯＤ）的合并浓度小于１０ｐｐｍ，在一个实施方式中小于１ｐｐｍ。所述熔凝氧化硅制品通过在含一氧化碳的无卤素气氛中干燥烟炱坯体形成。干燥烟炱坯体可任选掺杂，使熔凝氧化硅制品中的ＯＨ和ＯＤ浓度达到...

本文描述表现出用作平板显示装置如有源矩阵液晶显示器（ＡＭＬＣＤ）中的基板的所需物理和化学性质的无碱硼铝硅酸盐玻璃。这些玻璃组合物具有适应下拉法、尤其是熔合拉制法的许多性质。

本发明涉及可处理其大小以使波长在紫外线到微波范围内的电磁辐射偏振的偏振设备；更具体而言，本发明涉及适合在可见光和ＩＲ波长使用的设备。该设备具有一长度、宽度和厚度，以及一成图案的通道、空隙或孔的系统，所述通道、空隙或孔嵌埋于或穿过玻璃基质...

公开陶瓷制品，一个方面，所述陶瓷制品主要由组成接近Ｍｇ↓［２］Ａｌ↓［４］Ｓｉ↓［５］Ｏ↓［１８］的堇青石构成。该陶瓷制品具有以相对高的孔隙率和相对窄的孔径分布的独特组合为特征的微结构，所述孔隙率和孔径分布都是通过水银孔隙仪测定，它们使...

揭示用于固体氧化物燃料电池的复合电极。该复合电极由铁酸镧锶相和氧化钇稳定化的氧化锆相的烧结混合物形成。铁酸镧锶相具有通式（ＬａｘＳｒｙ）１±δ（ＦｅａＭｎｂＣｏｃ）Ｏ３，其中１．０≥ｘ≥０．６５；０．３５≥ｙ≥０．０；ｘ＋ｙ＝１．０，δ...

提供了用于控制半导体激光器的方法，其中，半导体激光器产生朝着波长转换器件的输入面指向的输出光束。本发明的各个特定方面涉及光斑在波长转换器件的输入面上对准和／或有意不对准的情况。还揭示了其它实施方式以及要求其权益。

使两种以上的不混溶液体接触的方法包括：提供一体式热回火微结构流体装置（１０），该微结构流体装置中包括反应物通道（２６），该反应物通道具有在０．２毫米至１５毫米范围内的特征横截面直径（１１），并且沿着其长度依次具有：两个以上的供反应物进入...

提供一种基本无微开裂的多孔堇青石陶瓷蜂窝体。虽然该蜂窝体显示７×１０↑［－７］至１６×１０↑［－７］／℃（２５－８００℃）的中高热膨胀（ＣＴＥ），该蜂窝体仍显示相对高的热冲击参数（ＴＳＰ），如由于高ＭＯＲ／Ｅ比使ＴＳＲ≥５２５℃，和／或...

一种微流体装置（１０）包括限定在其中的至少一个反应物通道（２６）和一个以上的热控制通道，所述的一个以上的热控制通道定位和布置成在各由壁（１８，２０）定界的两个容积（１２，１４）内，这些壁是大体平面状的且彼此平行，反应物通道位于所述大体平...