本发明涉及IGBT结构技术领域，公开了一种可软恢复的IGBT结构，包括位于器件正面的MOS栅极结构、二极管阳极结构、承受器件耐压的n漂移层、位于n漂移层下方并用于优化器件内部电场的场截止层，所述n漂移层与场截止层之间设置有一层渐变掺杂的...

本发明提供一种具有低损耗、软恢复特性及高动态鲁棒性的新型RC‑IGBT结构，涉及功率半导体器件技术领域，包括，衬底承载模块，所述衬底承载模块包括N型硅衬底，对所述N型硅衬底进行外延处理形成所述n‑漂移层。沟槽栅控模块，所述沟槽栅控模块对...

本发明提供一种具有良好折衷关系的新型RC‑IGBT结构，涉及半导体功率器件技术领域，包括，n型调节层形成模块，所述n型调节层通过离子的注入工艺形成，所述离子注入能量为3MeV‑5MeV、注入剂量为2×10¹²‑3×10¹²。载流子寿命控...

本发明涉及RC‑I GBT技术领域，公开了一种注入P型调节区增强短路能力的RC‑I GBT结构，包括基材，所述基材的正面设置有n漂移区，所述基材的背面下端设置有用于优化电场并令电场纵向截止的n缓冲区；所述n缓冲区上设置有位于有源区和终端...