吉布尔·施密德有限责任公司专利技术

吉布尔·施密德有限责任公司共有19项专利

  • 为了制造具有金属的导体结构的电路板,提供构造成膜或板的基础基质,该基础基质具有第一基质侧和第二基质侧,该基础基质至少部分地由不导电的有机聚合材料构成。在利用抗蚀剂覆盖第一基质侧之后,局部地去除抗蚀剂,从而将第一基质侧分割成至少一个第一部...
  • 本发明涉及一种用于运输薄的平面的基底、尤其是导体板的运输设备用的夹紧框架。根据本发明的夹紧框架能够实现对基底(6)的功能安全的操纵,以及通过减少构件数量能够实现制造成本的减少和简化的安装。夹紧框架具有至少一个夹紧条(3),夹紧条具有至少...
  • 在用于制造电路板的方法的情形中,在多个步骤中对基底(112)进行加工,该基体具有由绝缘电材料组成的载体层和被施覆在该载体层上的导电层。为了执行显影步骤和/或蚀刻步骤,将基底(112)置于旋转中。借助于至少一个喷嘴(113)将显影溶液和/...
  • 本发明涉及一种用于制造具有纹理的晶圆的方法以及一种能够用于这种方法的用于硅晶圆的粗糙化喷雾处理的装置。根据本发明的方法用于制造具有纹理的硅晶圆,其中,提供各晶圆坯件,并且在连续过程中在使用水平输送系统的情况下使得经线锯锯切的硅晶圆坯件经...
  • 本发明涉及一种抽吸装置,所述抽吸装置用于从处理基底的基本上平坦的处理表面(3a)处抽吸处理流体,借助运输辊(8、10)沿着基本上水平的运输方向来运输所述处理基底,所述抽吸装置具有抽吸源、操控所述抽吸源的抽吸控制单元和具有至少一个抽吸枪的...
  • 用于对基体的下侧进行湿处理的装置
    本发明涉及一种通过用流体使下侧润湿而对平坦的基体(S1、S2)进行湿处理的装置。该装置包括具有用于使用流体使被处理基体的下侧润湿的至少一个润湿辊(WA、WB)的至少一个润湿站(BA、BB),所述基体在输送方向(TR)上在处理滚子上方运动...
  • 一种用于在制造太阳能电池时在衬底上制造薄层的装置,其中,采用APCVD方法在高于250℃的温度情况下敷设薄层,在该装置中,衬底在连续运行中在水平的输送带上被输送,并通过APCVD涂层法被涂层。在此,输送带具有输送轮,所述输送轮由耐热的非...
  • 用于基片的表面处理的装置
    一种用于处理晶片下侧的装置具有用于运输晶片的运输滚轮(16a,16b),其同时构造为输送器件用于利用液态的工作介质(18)润湿晶片下侧。运输滚轮至少部分地浸入在工作介质中以用于在运输时在与运输滚轮接触期间润湿晶片下侧。运输滚轮具有旋转对...
  • 一种硅块(31)载体(13),设计作为载体装置(11)的一部分,与载体下部(25)一起固定连接到硅块(31),并且与其一起移动,来通过锯削、清洁或诸如此类来机械加工。载体(13)指向硅块(31)的底面具有多个通道(29),正如连接到此处...
  • 用于润湿扁平基底的装置和具有这种装置的设备
    一种用于当基底沿着输送轨移动时利用流体来润湿基底底面的装置,其具有多个流体输出件,所述流体输出件各有一个用于流体的输出开口,输出开口向上朝向,且一直伸到输送面之前很近处。所述输出开口具有周向边缘,以便基于表面张力形成凸形拱曲的流体储备,...
  • 在利用过程介质在基片下侧面上处理平坦的基片的基片表面的方法中,所述过程介质对基片表面具有一种剥蚀的或者说腐蚀的作用。所述基片水平放置地从下面利用所述过程介质润湿。向上指向的基片上侧面利用水或者相应的保护液体大面积地或者说全表面地润湿或者...
  • 用于处理硅基底的方法和装置
    在用于处理单晶体的平躺地沿着水平的输送带输送的硅晶片的方法中借助于喷口或者类似器件从上面施加蚀刻溶液用于构造表面纹理。该蚀刻溶液多次先后地从上面施加到硅基底的表面上,保留在其上并且与硅基底进行反应。
  • 描述了一种用于制造金属化的半导体衬底的方法,其中衬底被浸没到涂液中并且在那里优选地以光诱导的方式或者以光辅助的方式被涂层。紧接着,被涂层的衬底被转移到冲洗装置中,用于去除由电解质构成的金属残留物。在该冲洗装置中,衬底经受级联冲洗。在此堆...
  • 在用于为硅晶片上的硅太阳能电池制造正面发射电极作为正面触点的方法中,在硅太阳能电池的正面中产生凹陷。然后产生正面的n掺杂的硅层和抗反射层。然后借助喷墨印刷机将膏状物引入到凹陷中,该膏状物包含导电的金属粒子和腐蚀性玻璃熔料,该腐蚀性玻璃熔...
  • 一种用于电路板的保持装置构造成框架式的并且带有布置在两个位于外部的纵向侧处的输送滑块以用于输送保持装置,其中,在输送滑块之间布置有用于基片的保持装置的保持框架。保持框架以高度可变的方式支承在输送滑块处,并且因此在处理时可降下或抬起夹紧在...
  • 本发明描述了一种从硅块生产晶片的方法,其中通过粘合剂层将硅块固定在载体上,将硅块切成晶片,并将晶片与载体分离,此外在硅块表面和粘合剂层之间设置基于聚合物的剥离薄膜。
  • 本发明涉及一种用于清洁载体处的基质的装置和方法,基质彼此平行地相互以小的间距固定在载体的下侧处,载体在其内部中具有多个彼此平行地伸延的纵向通道。通过锯碎晶片,纵向通道利用开口过渡到基质之间的间隙中。通过相对运动将从中施加清洁液的长形的管...
  • 一种用于清洁载体处的基质的装置具有多个长形的管,载体在其内部中具有多个彼此平行地伸延的纵向通道,其借助于开口向外连接在载体的下侧处,管布置在管支承部处并且与液体供给部以传导液体的方式相连接。设置有定心型板,其搭接管并且可在其纵向上在远离...
  • 在用于处理基质的一种方法和一种装置中,通过以生产溶液喷洒从基质除去防蚀层。基质首先在主洗提模块中并且然后在次级洗提模块中被喷洒以生产溶液,其收集在模块下方的容器中。每个模块设置有容器。生产溶液在主洗提模块中被收集到两个容器中并且在此首先...
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