本发明公开一种大尺寸半导体成膜设备，包括设备主体以及混合装置，设备主体包括反应腔室以及喷淋机构，喷淋机构设置在反应腔室中，并与混合装置连通，反应腔室于喷淋机构下方设置有喷淋板，喷淋机构可相对喷淋板进行移动，通过上述设置，本发明的半导体成...

本技术公开一种围帘式气浴机构及围帘式气浴装置，主要公开了一种围帘式气浴机构，包括主通道，主通道设置有主气浴喷孔，主通道内的工作流体可经主气浴喷孔喷出，进一步地，主通道于两侧还设置有夹送通道，夹送通道设置有夹送气浴喷孔，夹送通道内的夹送流...

本技术公开一种均匀喷淋装置，包括喷淋组件，喷淋组件包括第一喷淋管以及第二喷淋管，第一喷淋管套设于第二喷淋管内，第一喷淋管与第二喷淋管之间形成喷淋腔室，第一喷淋管设置有第一喷孔，第二喷淋管设置有第二喷孔，通过上述设置，本技术的均匀喷淋装置...

本技术公开一种应用于半导体成膜的加热装置，包括加热板以及若干加热单元，加热板用于对半导体膜进行加热，加热单元均匀设置在加热板下方，以实现加热板的均匀加热，通过上述设置，位于加热板下方的各个加热单元，可使加热板上各个位置热量保持一致，以实...