本技术提供了一种反极性LED芯片结构，该反极性LED芯片结构在介质层与金属镜面层之间设置了DBR反射结构，该反极性LED芯片结构发出的光在DBR反射结构与金属镜面层都进行了反射，并且该DBR反射结构对光的反射率达到99％，所以可以进一步...

本发明提供了一种多结太阳能电池及其制作方法，其至少一子电池包括沿第一方向依次设置的背场层、基区、发射区以及窗口层；且在该所述子电池中，除所述基区和发射区以外的至少一区域具有掺杂剂；同时，在该所述子电池和与其相邻的隧穿结之间还设有间隔层。...

本发明提供一种LED芯片粗化方法及LED芯片，该方法通过基于n‑AlGaInP粗化层上层叠的图形化电极，将n‑AlGaInP粗化层表面分区，以形成关于图形化电极对称的多个待粗化区域，其中，远离图形化电极的待粗化区域为初始待粗化区域，靠近...

本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，该LED芯片包括依次层叠的第一型半导体层、有源层、电子阻挡层和第二型半导体层，考虑到有源层中AlGaInP势垒层和GaInP势阱层构成的异质结的导带带阶很小，导致有源层中的电子容易外溢，因此，在有...

本发明提供了一种反极性