【技术实现步骤摘要】
本技术涉及半导体，更具体地说，涉及一种反极性led芯片结构。
技术介绍
1、现今行业内大尺寸植物照明的led芯片多采用p型gap面蚀刻图形化的方式，搭配银镜工艺制备的金属镜面层来提升芯片的外量子效率，常规的倒装芯片结构都是单一的金属镜面层，其对光的反射在98％左右；随着客户对外量子效率需求越来越高，单靠金属镜面层已经无法满足芯片发光效率的要求。
2、因此，如何提供一种外量子效率更高的led芯片的结构，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
1、有鉴于此，为解决上述问题，本技术提供一种反极性led芯片结构，技术方案如下：
2、一种反极性led芯片结构，所述反极性led芯片结构包括：
3、外延层；
4、位于所述外延层一侧的p型gap窗口层；所述p型gap窗口层暴露出部分所述外延层；
5、位于所述外延层设置有所述p型gap窗口层一侧的介质层；
6、位于所述介质层背离所述外延层一侧的dbr反射结构；
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【技术保护点】
1.一种反极性LED芯片结构，其特征在于，所述反极性LED芯片结构包括：
2.根据权利要求1所述的反极性LED芯片结构，其特征在于，所述DBR反射结构包括在第一方向上叠层设置的M组第一叠层，M≥1，且M为正整数；
3.根据权利要求2所述的反极性LED芯片结构，其特征在于，所述第一DBR反射层为SiO2层。
4.根据权利要求2所述的反极性LED芯片结构，其特征在于，所述第二DBR反射层为Ti3O5层。
5.根据权利要求2所述的反极性LED芯片结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一DBR反射层的厚度范围为500埃-10
【技术特征摘要】
1.一种反极性led芯片结构，其特征在于，所述反极性led芯片结构包括：
2.根据权利要求1所述的反极性led芯片结构，其特征在于，所述dbr反射结构包括在第一方向上叠层设置的m组第一叠层，m≥1，且m为正整数；
3.根据权利要求2所述的反极性led芯片结构，其特征在于，所述第一dbr反射层为sio2层。
4.根据权利要求2所述的反极性led芯片结构，其特征在于，所述第二dbr反射层为ti3o5层。
5.根据权利要求2所述的反极性led芯片结构，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一dbr反射层的厚度范围为500埃-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵鹏，马祥柱，黄璐，徐晶，班国训，韩效亚，
申请(专利权)人：江西乾照半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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