本发明涉及一种准单晶硅片的制绒方法，其特点在于包括以下步骤：首先，采用湿法刻蚀方法去除以晶粒为主的准单晶硅片上的机械损伤层。之后，根据晶粒所占比例，采用等离子体刻蚀与反应离子刻蚀进行准单晶制绒。由此，等离子刻蚀和反应离子刻蚀无需去离子水...

本发明涉及一种直接式PECVD生产中节省气体的方法，其包括以下步骤：步骤①，针对原来生产中硅烷跟氨气的使用量，对该生产批次生产出的电池片进行首次取样检测；步骤②，对硅烷跟氨气的使用量进行定量的阶梯式递减供应；步骤③，对步骤②中生产批次生...

本发明涉及一种准单晶硅片的外观检测方法，其包括以下步骤：首先，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)。之后，将阵列通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺。接着，将二维网格量尺...