本实用新型公开了一种竖直移动式InSb晶片退火装置，其可使多个InSb晶片的退火环境一致。一种加热炉竖直移动式InSb晶片退火装置，包括：加热炉，沿竖直方向依次包括预热区、退火区及保温区三个温区，所述加热炉具有贯通所述三个温区的炉腔；石...

本实用新型公开了一种磁阻器件测试装置，其可以方便准确地测试磁阻器件的参数，从而有效地提高生产线上磁阻器件的测试效率。一种磁阻器件测试装置，包括：载流导体，所述载流导体通有交流电以产生测试磁场；第一电机，用于驱动所述载流导体在待测磁阻器件...

本实用新型公开了一种适合大批量生产的具有InSb磁阻元件的磁头。一种具有InSb磁阻元件的磁头，包括外壳、设置在所述外壳内的InSb磁阻元件以及磁钢，所述磁头还包括PCB板组件，所述PCB板组件包括第一PCB板和第二PCB板，所述磁钢和...

本发明公开了一种掺杂型InSb薄膜、其制备方法及InSb磁敏器件，可改善InSb磁敏器件的温度效应，性能稳定。一种掺杂型InSb薄膜，InSb薄膜内掺杂有Te，所述Te的掺杂浓度大于或等于1×10

本实用新型提供了一种用于InSb薄膜的退火装置，包括用于放置InSb薄膜的具有内腔的退火室、设置在所述退火室下方的下加热器，其特征在于：该退火装置还包括上加热器，所述上加热器可移动地设置在所述退火室的上方。所述退火室内具有多个分别用于放...

本实用新型公开了一种具有延伸电极的磁敏器件，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。

本实用新型揭露一种磁编码器及其导磁码盘及该导磁码盘的制备方法，该磁编码器通过在导磁码盘上设置对永磁体产生的磁场具有扰动作用的导磁部，导磁码盘容易加工，不受磁极对数的限制，对导磁部和非导磁区的间隔、数量的限制较小，在兼顾了检测精度的情况下...

本发明揭露一种磁编码器及其导磁码盘及该导磁码盘的制备方法，该磁编码器通过在导磁码盘上设置对永磁体产生的磁场具有扰动作用的导磁部，导磁码盘容易加工，不受磁极对数的限制，对导磁部和非导磁区的间隔、数量的限制较小，在兼顾了检测精度的情况下使磁...

本实用新型公开了一种具有预埋电极的磁敏器件，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。

本实用新型公开了一种高性能磁阻器件，包括第一电极、第二电极以及多个连接电极，设InSb薄膜圆盘为n个，连接电极为n+1个，第1个连接电极的一端与第一电极相连接，另一端跨过位于第1个InSb薄膜圆盘上的绝缘膜并与第1个InSb薄膜圆盘上的...

本实用新型公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构，通过过渡层，屏蔽了掺杂效应，保证了薄膜层的电学性质；过渡层选用与薄膜层同类材料，二者热膨胀系数差异很小，降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响；当衬底层材料选用陶瓷时，由于过渡层设...

本发明公开了一种InSb光导器件及其制备方法。InSb光导器件包括InSb光敏元件，InSb光敏元件通过扩散法掺杂有P型杂质。P型杂质为Zn或Cd。InSb光导器件制备过程包括：取InSb高纯晶体材料，通过切割、研磨、抛光、光刻成型制得...

本发明公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构及制造工艺，通过过渡层，屏蔽了掺杂效应，保证了薄膜层的电学性质；过渡层选用与薄膜层同类材料，二者热膨胀系数差异很小，降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响；当衬底层材料选用陶瓷时，由于过...

本发明公开了一种高性能磁阻器件及制造工艺，通过多个科比诺圆盘的串联结构，取代传统的长条形磁阻器件，在获得最大磁阻效应的同时，又具备较大的输入阻抗。

本发明公开了一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。

本发明公开了一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。