本技术公开了双面钝化接触电池结构，其包括硅基体、正面电极和背面电极，其中正面电极的正面遂穿层和正面掺杂层形成接触区域段，接触区域段填补在硅基体上并与硅基体的正面一体构成连续的接触面，接触面呈平面或绒面，正面电极还包括形成在接触面上且表面...

本发明涉及N型IBC电池结构及成型工艺，电池结构包括N型硅片、正面结构层、背面结构层及背场区电极和背发射极区电极，其中N型硅片的背面形成不同微观形貌的背表面发射区、中间隔离区、背场区；正面结构层包括前表面浮动结、前表面氧化层、前表面氮化...

本发明公开了一种选择性掺杂钝化接触结构及其制备方法和应用，该制备方法包括：在硅片的背表面依次设置隧穿氧化硅层、原位掺杂非晶硅层、掩膜层；在掩膜层上对应所述硅片的金属接触区域的部位进行开槽，去除该部位的掩膜层；通入磷源并进行磷扩散处理，在...

本发明涉及IBC电池结构的成型工艺，包括步骤：制绒、硼扩散；单面HF处理、抛光；沉积遂穿层、原位掺杂非晶硅层；激光开膜、制绒处理；激光转印硼浆、高温处理；清洗；沉积正背面钝化膜；印刷电极并烧结。本发明一方面可以减少少数载流子横向传输的复...

本发明公开了一种具有选择性隧穿层厚度的钝化接触结构及其制备方法和应用，制备时，在硅基体的背表面沉积第一隧穿氧化硅层并覆盖具有空隙结构的致密盖板，空隙结构对应于非金属接触区域，除空隙结构之外的部分对应于金属接触区域；然后沉积第二隧穿氧化硅...

本发明公开了一种太阳能电池中间体及其制备方法和应用，制备太阳能电池中间体时，先在制绒处理后的硅基体表面进行整面的硼原子轻掺杂，然后沉积减反钝化层，再通过转印的方式在接触区域沉积叠层浆料(依次为硼浆和金属浆料)并烘干、烧结；实践表明，本发...

本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法和应用，在硅基体的正面沉积硼源，依次形成硼掺杂层、富硼层和硼硅玻璃层，获得第一中间体，在第一中间体的预印刷电极区域形成掩膜，去除无掩膜保护区域的硼硅玻璃层后再去除掩膜，获得第二中间体，将第二...

本发明公开了一种钝化接触结构及其制备方法和应用，通过控制不同区域处于不同结构形态，交替设置隧穿氧化硅层和非晶硅层，进一步控制两层隧穿氧化硅层、两层非晶硅层之间在沉积时的厚度差，采用局域掩膜形成机制，可以通过蚀刻方法将非金属接触区域的隧穿...

本发明公开了一种钝化接触结构、多晶硅钝化接触电池及制备方法，该钝化接触结构中，电池背面为局域的钝化接触结构，可以降低光学损失，提高短路电流密度；背面的金属电极位于第一氧化层上，第一氧化层具有相对更高致密性、厚度厚的特点，在烧结的过程中可...

本发明公开了双面钝化接触电池结构的制备工艺及电池结构，其工艺包括步骤：选择N型硅片进行双面抛光；沉积硅片双面的隧穿氧化硅层及本征多晶硅层，并掺杂形成p‑poly层；进行单面刻蚀；正面制绒处理；双面沉积氧化硅层及本征多晶硅层，并掺杂形成n...

本发明涉及太阳能电池片及制备方法，电池片包括硅基体、掺杂层、金属层，金属层为贱金属层，太阳能电池片还包括形成在掺杂层和金属层之间金属氧化物层，贱金属层印刷成型在金属氧化物层的表面，贱金属层覆盖整个金属氧化物层表面，且形成接触面与硅基体表...

本发明公开了双面钝化接触电池结构，其包括硅基体

本发明公开了一种钝化接触晶硅电池的制备方法，在制绒处理

本发明公开了一种钝化接触晶硅电池中间体

本发明涉及太阳能电池片及制备工艺，该电池片包括硅基层