一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法和应用，在硅基体的正面沉积硼源，依次形成硼掺杂层、富硼层和硼硅玻璃层，获得第一中间体，在第一中间体的预印刷电极区域形成掩膜，去除无掩膜保护区域的硼硅玻璃层后再去除掩膜，获得第二中间体，将第二中间体在保护气氛下进行加热处理以使硼发生扩散，然后在加热条件下进行氧化，获得第三中间体，将第三中间体上存在的硼硅玻璃层去除，获得可用于太阳能电池的硼掺杂选择性发射极，也可以将该制备硼掺杂选择性发射极的方法用于制备太阳能电池；本发明专利技术至少实现了：过程容易控制、掺杂均匀性好、成本低、无需二次通源、掩盖无需经过高温，不会引入污染、方阻调控空间更大、提效空间大等优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池领域，具体涉及一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法和应用。

技术介绍

1、硼掺杂选择性发射极，简单来说就是在n型(磷掺杂)晶硅衬底上不同区域实现差异化硼掺杂，即在预印刷电极区域进行重掺杂，在非印刷电极区域进行轻掺杂。

2、常规的硼掺杂匀质结，往往难以在voc(开路电压)、isc(短路电流)、ff(填充因子)电学参数上取得很好的平衡，而硼掺杂选择性发射极却可以做的很好：在预印刷电极区域进行重掺杂，可以降低rs(串联电阻)，从而改善ff，同时重掺杂有助于降低浆料烧穿对电池片的复合，进而提升voc；在非印刷电极区域进行轻掺杂，有助于表面复合的降低，促进voc提升，同时还可以改善短波响应，提升isc。因此硼掺杂选择性发射极相比硼掺杂匀质结有望可以提升晶硅电池光电转换效率。

3、现有硼掺杂选择性发射极的制备工艺有多种，包括etch-back法、二次扩散法、印刷硼浆法、激光熔融bsg法等。

4、etch-back法，即先在硅片整面进行重掺杂，然后沉积栅线掩膜，然后利用酸或者碱腐蚀溶液去刻蚀无栅线保护区域，从而腐本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述硅基体为电阻率为0.5-3Ω·cm的N型单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，沉积硼源的方式包括：在850-950℃下，通过通入硼化合物和氧气，在所述硅基体的正面沉积硼源。

4.根据权利要求3所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述硼化合物的通入量为250-500sccm，氧气的通入量为500-1500sccm；和/或，所述硼化合物为三氯化硼。</p>

5.根据...

【技术特征摘要】

1.一种硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，该制备方法包括：

2.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述硅基体为电阻率为0.5-3ω·cm的n型单晶硅片。

3.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，沉积硼源的方式包括：在850-950℃下，通过通入硼化合物和氧气，在所述硅基体的正面沉积硼源。

4.根据权利要求3所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述硼化合物的通入量为250-500sccm，氧气的通入量为500-1500sccm；和/或，所述硼化合物为三氯化硼。

5.根据权利要求3所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，控制硼化合物和氧气的通入时间为10-30min；和/或，控制体系的压强在100-300pa。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述第一中间体中，硼在所述硅基体中的掺杂深度为0.2-0.6μm，掺杂峰值浓度为1×1020-3×1020个/cm3；和/或，所述第一中间体的表面方阻在80-140ω/sq。

7.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述掩膜为耐酸性掩膜，耐受的酸至少包含氢氟酸。

8.根据权利要求1或7所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述掩膜为能够溶解在有机溶剂中的树脂型掩膜。

9.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，所述掩膜的形成方法为光刻法、丝网印刷法或光固化法；

10.根据权利要求1所述的硼掺杂选择性发射极的制备方法，其特征在于，采用氢氟酸水溶液去除...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈东东，刘金鑫，李彦潼，肖陈，包俊杰，
申请(专利权)人：江苏林洋太阳能有限公司，
类型：发明
国别省市：