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本发明公开了一种硼掺杂选择性发射极及其制备方法和应用，在硅基体的正面沉积硼源，依次形成硼掺杂层、富硼层和硼硅玻璃层，获得第一中间体，在第一中间体的预印刷电极区域形成掩膜，去除无掩膜保护区域的硼硅玻璃层后再去除掩膜，获得第二中间体，将第二中间...
该专利属于江苏林洋太阳能有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏林洋太阳能有限公司授权不得商用。

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