江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司专利技术

江苏盎华光伏工程技术研究中心有限公司共有32项专利

  • 本实用新型提供一种多晶硅料智能检测和分类运输装置,包括第一运输带,第一运输带上放置待检测硅块,在第一运输带两侧依次设有p/n检测仪、少子寿命/电阻率测试仪、数量检测仪和第一智能分类系统,第一智能检测系统根据检测的结果对硅块进行分区放置,...
  • 本实用新型公开一种多晶硅铸锭坩埚装料设备,包括坩埚,坩埚上方设有悬吊横梁,悬吊横梁上设有第一丝杠和第一导向杆,在悬吊横梁上套设有滑块,且滑块与所述第一丝杠配合,滑块在所述悬吊横梁上滑动,在滑块上设有与横梁方向垂直的第二丝杠和第二导向杆,...
  • 本实用新型公开了一种电泳电源设备,主要包括:PLC控制器、主电路、交流电源控制电路、数据采集放大电路和电柜门面,所述PLC控制器分别与主电路、交流电源控制电路、数据采集电路和电柜门面连接,所述主电路包括三相全波整流电路、滤波电路、全桥逆...
  • 本实用新型公开了一种硅的提纯包,一种硅的提纯包,包括包体与包盖,所述包体为上端开口的箱式结构,在所述包体上设置有包盖,在所述包体下部设置有水冷底盘,在所述包盖上氩气管与抽真空管,在所述包盖下方设置有加热器。本实用新型所公开的一种硅的提纯...
  • 一种硅的提纯方法及提纯包
    本发明公开了一种硅的提纯方法,包括以下步骤:步骤一,将固态硅加热熔化,熔化温度为1550‑1800℃;步骤二:将步骤一熔化后的液态硅放置在提纯包内,在氩气环境下加热提纯包至1450~1700℃后,再将提纯包逐渐降温至1450℃,使液态硅...
  • 本发明公开了一种电泳电源设备,主要包括:PLC控制器、主电路、交流电源控制电路、数据采集放大电路和电柜门面,所述PLC控制器分别与主电路、交流电源控制电路、数据采集电路和电柜门面连接,所述主电路包括三相全波整流电路、滤波电路、全桥逆变电...
  • 本发明提供一种多晶硅料智能检测和分类运输装置及方法,包括第一运输带,第一运输带上放置待检测硅块,在第一运输带两侧依次设有p/n检测仪、少子寿命/电阻率测试仪、数量检测仪和至少一个智能分类系统,智能检测系统根据检测的结果对硅块进行分区放置...
  • 本实用新型公开了一种硅片和太阳能电池片,该硅片表面形成有均匀规则分布的多个坑洞。本实用新型的方案,可以克服现有技术中载流子传输距离远、捕获面积小和转换效率低等缺陷,实现载流子传输距离短、捕获面积大和转换效率高的有益效果。
  • 本实用新型公开了一种高速铁路用太阳能发电系统,包括直立安装在高速铁路高架护栏两侧、且串联设置的多个太阳能电池组件,以及连接在所述多个太阳能电池组件与高速铁路接触网之间的配电系统。本实用新型的方案,可以克服现有技术中能量利用率低、占用空间...
  • 本发明公开了一种硅片的预处理方法、硅片和太阳能电池片,该方法包括:在硅片表面形成均匀规则分布的多个坑洞。本发明的方案,可以克服现有技术中载流子传输距离远、捕获面积小和转换效率低等缺陷,实现载流子传输距离短、捕获面积大和转换效率高的有益效果。
  • 本实用新型公开了一种光纤束引导激光浸入式局域场烧蚀装置,包括激光源和电池片载台,所述电池片载台设于封闭水箱中,所述激光源和电池片载台之间依次设有光纤准直器和光纤分路器,所述光纤分路器固定在阵列型光纤固定架上,所述阵列型光纤固定架位于封闭...
  • 本实用新型公开了一种基于石英衬底的硅片蘸取装置,包括炉体,所述炉体内设有用于盛放硅液的石英坩埚,所述石英坩埚的外侧周围设有加热器,所述石英坩埚的上方设有石英衬底,所述石英衬底和吊装杆相连,所述石英坩埚和加热器之间设有热屏,所述热屏通过连...
  • 本实用新型公开了一种具有补温导流筒的单晶炉,包括炉体,所述炉体中设有容纳硅液的石英坩埚,所述石英坩埚的侧面设有第一加热器,所述石英坩埚上方设有可供单晶棒穿过的导流筒,所述导流筒的底部设有第二加热器;所述第二加热器包括设于导流筒底部的环形...
  • 一种负压式硅片制作设备及其控制方法
    本发明公开了一种负压式硅片制作设备及其控制方法,包括炉体,所述炉体内设有用于盛放硅液的坩埚,所述坩埚的外侧周围设有加热器,所述坩埚的上方设有硅片提取单元,所述硅片提取单元包括可一起上下移动的冷却腔和扩容减压室,所述冷却腔伸入到扩容减压室...
  • 采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法
    本发明公开了一种采用氧化层辅助的硅片制作设备及其控制方法,包括炉体,所述炉体内设有石英坩埚,所述石英坩埚的外侧周围设有加热器,上方设有薄石英管,所述薄石英管的一端开口向下,另一端固定在夹持器上,所述夹持器和驱动电机相连并可带动薄石英管一...
  • 多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法
    本发明公开了一种多级吹扫式硅片制绒处理装置及其控制方法,包括反应腔室,所述反应腔室内设有硅片运动载台,其中,所述反应腔室上至少设有两个等离子体下游吹扫式处理单元,所述反应腔室的进口处设有前缓冲腔室和前闸板阀,所述反应腔室的出口处设有后缓...
  • 采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法
    本发明公开了一种采用补偿硅料的n型单晶硅拉制方法,包括如下步骤:a)选用含有磷和硼的n型多晶硅原料;b)将n型多晶硅原料投入单晶炉主加热腔室中,加热熔化后使用n型晶向的籽晶引晶拉制形成单晶硅棒;c)将单晶硅棒向上提起放入单晶炉副腔室,关...
  • 本实用新型公开了一种利用水导激光的太阳能电池局域场制作装置,包括激光源,其中,所述激光源设于压力水腔上,所述压力水腔的顶部设有喷嘴,所述激光源位于喷嘴正上方,所述激光源和喷嘴之间依次设有聚焦透镜和石英板,所述聚焦透镜的焦点位于喷嘴处,所...
  • 本实用新型公开了一种用于硅太阳能电池局域场的激光辅助装置,包括激光发生源和电池片载台,其中,所述激光发生源固定在悬臂上,所述悬臂上还设有激光分束器和偏光透镜,所述偏光透镜位于电池片载台的正上方,所述激光分束器位于激光发生源和偏光透镜之间...
  • 本实用新型公开了一种用于硅片的等离子体制绒装置,包括波导谐振腔和反应腔室,所述波导谐振腔的出口处设置有等离子体激发区,其中,所述等离子体激发区设于扫描矩管中,所述扫描矩管贯穿伸入到反应腔室中,所述反应腔室中设有用于放置硅片的托盘单元,所...