本发明提供薄膜及其制造方法，该薄膜包括以高的负载量分散在半导体－聚合物内的半导体－纳米晶体。本发明还公开了掺入该薄膜的光生伏打器件。

一种用于形成可电场编程的薄膜的组合物，该组合物包含基质前体材料组合物或介电基质材料，其中所述介电基质材料包含有机聚合物和／或无机氧化物；电子给体和电子受体，其类型和数量可有效地提供电场程序设计。该薄膜可用于数据存储器件中。

介绍了成型纳米结晶颗粒（１０）和制备成型纳米结晶颗粒（１０）的方法。一种实施方式包括形成分支纳米结晶颗粒（１０）的方法。它包括（ａ）在溶液中形成具有第一晶体结构的核心（１２），（ｂ）在溶液中从具有第二晶体结构的核心延伸生长出第一臂（１４...

一种制造单个或多个栅极场板的方法，其利用了下列连续步骤：在场效应晶体管表面上进行介电材料沉积／生长、介电材料蚀刻以及金属蒸镀。由于介电材料沉积／生长是一种充分可控的处理，因此这种制造方法允许对场板工作进行严格控制。而且，沉积在器件表面上...

提出了一种垂直有机场效应晶体管，所述晶体管包括共享公共源极电极的有源单元和电容器。所述有源单元包括夹在漏极电极和公共源极电极之间的半导体层。所述电容器包括夹在栅极电极和公共源极电极之间的电介质层。所述公共源极电极允许通过控制施加到栅极电...

一种氮化镓（ＧａＮ）基发光二极管（ＬＥＤ），其中光是通过所述ＬＥＤ的氮面（Ｎ面）提取的，且所述Ｎ面的表面被粗化成一个或多个锥面。

一种用于形成一氮化物半导体装置的方法，其包括：　　　　（ａ）在一衬底上生长一个或多个氮化镓（ＧａＮ）层；及　　　　（ｂ）在所述ＧａＮ层上生长一个或多个非极性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ层，以形成至少一个宽度范围从约２０＊至约７０＊的量子阱。

一种集成电路叠层，具有用于高性能混合信号集成电路应用的金属衬底。该金属衬底提供充分改进的串扰隔离，增强的散热以及到可靠的低阻抗地的顺畅通路。在一个实施例中，金属层具有绝缘填充的沟槽或孔穴的区域以及设置在金属衬底和硅集成电路层之间的诸如未...

一种生长氮化物薄膜的方法，其包含：　　　　在衬底上生长平坦半极性氮化物薄膜，其中所述平坦半极性氮化物薄膜是与所述衬底的表面平行生长。

一种用于太阳能设备以产生电能的光学系统。该光学系统包括不晕光学成像系统、耦合到不晕系统的非成像太阳能集能器以及从非成像太阳能集能器接收高会聚光的多结太阳能电池。

一种根据本发明的一个实施方案的制造用于光电电池活性层的聚合物复合膜的方法，包括：提供一定量的聚合物基体材料溶液，混合一定量的客体材料与所述量的聚合物基体材料溶液以形成活性材料共混物，和控制聚合物复合膜的生长速率以控制聚合物基体材料中聚合...

本发明揭示一种具有优化的光子晶体提取器（６４）的高效且可能高度定向的发光二极管（ＬＥＤ）。所述ＬＥＤ由以下组成：衬底（２８）；生长在所述衬底上的缓冲层（３０）（如果需要的话）；包含发射物质的活性层（３２）；一个或一个以上光学限制层，其定...

一种形成无位错应变硅薄膜的方法，包括提供两个弯曲的硅衬底的步骤。一个衬底通过在后表面上存在二氧化硅而弯曲。另一衬底通过存在氮化硅层而弯曲。对其中一个衬底进行氢注入，并且所述两个衬底在退火处理中彼此结合。将这两个衬底分离，从而将应变硅层留...

形成用于例如浅沟槽隔离中的浅沟槽的方法，包括提供ｐ型硅衬底，和在ｐ型硅衬底上形成一种层的步骤，其中，该层包括介于ｎ型硅之间的ｐ型硅。然后使介于ｎ型硅之间的ｐ型硅层经受阳极氧化处理以形成多孔硅。然后多孔硅区被氧化。可以控制硅层的孔隙度以形...

一种用于控制位于衬底上的硅锗缓冲层中的位错位置的方法，包括将应变硅锗层沉积在衬底上以及用位错诱导剂照射该硅锗层的一个或多个区域。位错诱导剂可包括离子、电子、或其它辐射源。硅锗层中的位错位于一个或多个区域。然后可用退火工艺处理该衬底和应变...

本发明涉及通过金属合金团簇内部吸除半导体中的杂质。具体而言，在硅中形成金属间团簇，该团簇包含两种或更多种过渡金属。该团簇的熔化温度低于主体材料的熔化温度，并且在吸除硅中的杂质及将这些杂质富集到隔离的、危害较低的位置方面特别有效。还描述了...

一种光电设备，其具有第一电极层、设置在第一电极上的高电阻率透明膜、第二电极层以及设置在第一和第二电极层之间的无机光活性层，其中，所述无机光活性层被设置成至少部分地与高电阻率透明膜电接触，至少部分地与第二电极电接触。所述光活性层具有第一无...

一种能量收集设备（１），包括：能量频率校正结构（５），用于接收第一频率的机械能；固态电机械转换器（３），耦合到逆频率校正器（５），以接收该逆频率校正器（５）提供的力。该力当被该逆频率校正器（５）提供时使该固态转换器（３）经受高于第一频率...

本发明提供一种场致发射阴极（２０），包括由多孔碳泡沫材料形成的发射元件（２２）。该发射元件具有限定许多发射边缘的发射表面（２４）。

本发明的一个实施方式提供一种使用了碳纳米管（ＣＮＴ）的电容器电极的制造方法，其中该电极包括金属衬底和涂覆于金属衬底上的活性材料（ＣＮＴ）层。更具体地说，该方法通过将ＣＮＴ分散在溶剂中以形成悬浮液而开始。接着，ＣＮＴ在悬浮液中被充电。然后...