本发明公开了一种诸如太阳能电池等光伏电池，其含有一个或多个与GaAs基本晶格匹配的SiGe或另一锗材料的外延生长层。使用包括将所述GaAs和锗材料间的边界用作蚀刻终止物的方法可以除去用于生长所述层的GaAs衬底。

本发明公开了一种形成GaAs或诸如SiGe等锗材料的层的方法。锗材料例如可以外延生长在GaAs表面上。使用层转移将所述锗材料和部分残余GaAs转移到受主衬底上。由于GaAs与锗材料之间的边界提供了蚀刻终止物，所以随后可以使用选择性蚀刻除...