提供了太阳能电池及其制造方法。在制造太阳能电池的方法中，在其受光表面上形成有防反光膜的ｐ型半导体基片装载入处理腔室。在这种情况，ｐ型半导体基片可以沿基片支撑体的边缘装载在处理多个基片的装置的基片支撑体上，在此状态下，ｐ型半导体基片的背面...

本发明提供一种等离子发生装置。此装置包括：绝缘板（Ｓｍｎ），沿第一方向及跨过第一方向的第二方向以矩阵形式排列；金属上板，包括其上设置绝缘板并具有四角形形状的贯通孔（Ｈｍｎ）；天线结构体（Ｔｍｎ），设置于各绝缘板上。天线结构体包括：第一型...

本文公开了一种真空处理装置，其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理，例如用于液晶显示屏（ＬＣＤ）面板的玻璃上，半导体晶片上，等等，其包括一上盖和一下盖，该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间；一对下部水平移动单元，该下部水平移动单...

本文公开了一种真空处理装置，其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理，例如用于液晶显示屏（ＬＣＤ）面板的玻璃上，半导体晶片上，等等，其包括一上盖和一下盖，该上盖和下盖彼此相互连接，用上盖和下盖之间形成的空隙组成真空处理空间，一腔体密封单元通...

一种用于真空处理装置的静电吸盘，其包括：一个具有突起的主基板；一个形成于该主基板上的绝缘层；一个用于通过施加电能产生静电力的形成于该绝缘层上的静电层；以及一个形成于该静电层上的介电层。这些突起可以具有各种形状，并且制造方法被简化和稳定化...

本文公开了一种真空处理装置，其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理，例如用于液晶显示屏（ＬＣＤ）面板的玻璃上，半导体晶片上，等等，其包括一上盖和一下盖，该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间；一对下部水平移动单元，该下部水平移动单...

本发明公开了一种真空处理装置，尤其是涉及一种用于对例如液晶显示（ＬＣＤ）板的玻璃、半导体的晶片等的基板进行蚀刻处理或者沉积处理的装置。还公开了一种真空处理装置的腔室，其包括：一个具有多边形外形的腔室主体；至少一个与腔室主体的一个侧壁可拆...

本发明公开了一种用于制造半导体的方法和装置，其适用于形成无定形碳减反射膜，所述无定形碳减反射膜通过提高抗蚀刻性而具有高选择性，并保持较低的与减反射率相关联的消光系数。根据本发明的用于形成无定形碳减反射膜的制造半导体的方法包括：（ａ）在衬...

一种装置，用于半导体处理，能够执行在例如晶圆的基片的表面上的例如蚀刻、沉积等的半导体处理。该装置用于半导体处理，包括：反应室，具有通道，要被处理的基片从中传送通过；一个或多个喷头，设置在反应室的上侧处，用于喷射气体以执行半导体处理；一个...

本文公开了一种真空处理装置，其用于在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理，例如用于液晶显示屏（ＬＣＤ）面板的玻璃上，半导体晶片上，等等，其包括一上盖和一下盖，该上盖和下盖可分离地相互连接形成一真空处理空间；一对下部水平移动单元，该下部水平移动单...

一种真空处理装置，包括上壳体和下壳体，彼此可分离地连接，以形成操作空间；以及分离单元，具有凸轮单元，用于通过转动，可分离地将上壳体与下壳体相连接。