【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种真空处理装置，尤其涉及用于在基片上进行蚀刻处 理或喷镀处理的真空处理装置，例如用于液晶显示屏(LCD)面板的玻璃 上，半导体晶片上，等等。
技术介绍
所述真空处理装置是一种通过在真空状态下使用物理或化学反应， 例如等离子体反应等在基片上进行蚀刻处理或喷镀处理的装置，例如用 于液晶显示屏面板的玻璃上，半导体晶片上。所述真空处理装置包括一真空处理腔，用于在基片上进行蚀刻处理 或喷镀处理；和一转移腔，用于将基片从负载锁定腔转移到真空处理腔 以及将基片从真空处理腔转移到负载锁定腔。同时，上述的腔室，特别是所述真空处理装置的真空处理腔需要打 开进行保养或维修。图1是传统的真空处理装置的透视图，其上盖是可开启的。如图l所示，在真空处理装置中，作为主要处理小面积基片的半导体处理装置，上盖3是从腔体1通过4交链5和气缸7打开的。但是，如图1所示，其很难完全开启上盖3并在真空处理装置的腔 体1中替换安装的内部器件。特别是，由于在半导体处理装置中用于处理大面积基片所安装的内 部器件十分沉重，要使用起重机替换内部器件。然而所迷的内部器件不 能悬挂在起重机上，因为图1...
【技术保护点】
一真空处理装置，该装置包括：一上盖和一下盖，该上盖和下盖彼此相互连接，用上盖和下盖之间形成的空隙组成真空处理空间；一腔体密封单元通过密封或解封空隙来密封和解封真空处理单元；以及一空隙保持单元用来维持空隙，该空隙保持单 元安装在上盖和下盖上。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：车勋，金亨俊，严用铎，李珠熙，韩在柄，曹生贤，尹大根，
申请(专利权)人：IPS有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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